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  • 本发明公开了一种扇出型封装结构及封装方法,包括以下步骤:1)对芯片和载板预处理;2)在载板上制备临时键合层;3)将金属框架贴装到临时键合层上;4)将芯片贴装在金属框架上;5)塑封;6)对步骤5)所得产品进行处理,使芯片表面的端子露出;7)制...
  • 本申请公开了一种光电共封装方法以及光电共封装结构,光电共封装方法包括:步骤S1,分别制备光子集成电路祼片、电子集成电路祼片和中介层晶圆,光子集成电路祼片具有光连接口;步骤S2,利用倒装芯片键合将光子集成电路祼片和电子集成电路祼片分别通过微凸...
  • 本发明提供一种堆叠封装结构及其制作方法,包括以下步骤:提供一半导体结构,半导体结构至少包括有源结构、贯穿其的连接柱结构及位于其上表面的互联结构,互联结构包括绝缘层及嵌于绝缘层内的互连层,互联结构内设有第一互联区及第二互联区,于第一互联区内形...
  • 本发明提供一种三维封装结构及其制作方法,包括以下步骤:提供一至少包括有源结构、嵌于其内的连接柱结构及位于其上表层且与连接柱结构电连接的信号传输层的半导体结构;形成覆盖信号传输层且包括绝缘层及嵌于其内的布线层的布线结构,于布线结构上表面形成包...
  • 本发明提供一种三维封装结构及其制作方法,包括以下步骤:提供一包括有源结构、嵌于其内的连接柱结构及位于其上表层的信号传输层的半导体结构;形成与信号传输层电连接且其中的介电层上表面高于互连层的互联结构,于介电层上表面键合第一载体层;形成布线结构...
  • 本发明提供一种三维封装结构及制备方法,该制备方法采用玻璃基板作为芯片堆叠结构混合键合时的临时载板,且玻璃基板是通过介质层实现与芯片堆叠结构的键合而非通过剥离层进行键合,剥离层不与堆叠结构直接接触,无需考虑去除精度的问题,同时,玻璃的表面平整...
  • 本发明提供一种三维封装结构及其制作方法,包括以下步骤:提供一包括有源结构、嵌于其内的连接柱结构及位于其上表层的信号传输层的半导体结构;形成与信号传输层电连接且其介电层上表面高于互连层的互联结构,于介电层上表面键合第一载体层;形成布线结构并于...
  • 本发明提供了一种半导体封装以及其制造方法。作为非限制性实施例,本发明的各种态样提供半导体封装以及其制造方法,其包括在其多个侧面上的屏蔽。
  • 公开了一种开关用电力电子模块、系统及检测方法,模块中,绝缘基板设于封装壳体内;多个功率半导体芯片单元并联连接于绝缘基板上;立体悬浮式非接触传感结构设于封装壳体内,传感器载板通过绝缘支撑件以立体悬浮方式跨越安装于多个功率半导体芯片单元中的单一...
  • 本申请提供了一种功率模组及功率变换设备,涉及电子技术领域。功率模组包括绝缘基板、功率器件、连接端子、塑封件及绝缘壳体。在绝缘基板的厚度方向上,功率器件及连接端子均设置于绝缘基板的一侧。塑封件包覆功率器件、部分绝缘基板及部分连接端子。绝缘基板...
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其封装方法,其中的芯片封装结构包括:基板,具有沿基板厚度方向的第一表面和第二表面;芯片,设置于基板的第一表面;被动元件,设置于基板的第一表面;散热盖,固定在基板的第一表面,散热盖在朝向基板的一端,形成有用于容置芯...
  • 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件可以包括:第一半导体芯片,其具有装置区域和在平面图中围绕装置区域的伪区域;第二半导体芯片,其位于第一半导体芯片的装置区域的上表面上;以及模制层,其覆盖第一半导体芯片上的第二半导体芯片,其中,第一半导体芯...
  • 本发明为一种孔壁形成侧面可润湿结构的封装元件,该封装元件的一复合基板上覆盖有一塑封层,该塑封层上形成有一顶重布线层,该顶重布线层的顶面边缘未受一绝缘保护层覆盖而形成至少一边缘焊接面,且邻近该复合基板的边缘有至少一导电孔切割形成的至少一导电接...
  • 本申请提供一种芯片、晶圆和电子设备及芯片的制作方法,涉及半导体器件技术领域,用于解决如何提高芯片的加工精度的问题。该芯片包括衬底、功能层、重布线层以及封装体。衬底包括相背对的第一表面和第二表面。功能层设置于第一表面。重布线层层叠设置于功能层...
  • 本发明公开了一种具有顶出功能的硅光半导体封装设备,涉及半导体封装技术领域,本发明通过大流槽、锥形槽、小流槽和流槽二流出,气体从大流槽进入后,由于大流槽空间较大,能容纳较多气体快速涌入,接着进入锥形槽,锥形槽独特的形状使得通道逐渐收窄,气体在...
  • 本公开涉及用于制造双侧镀覆面板级封装的方法。为了形成集成电路封装,集成电路管芯由第一包封体横向包封。在IC管芯和第一包封体的共面的面之上形成第一镀覆层,该第一镀覆层包括第一导电线和第二包封体。从相对的共面的面,形成延伸穿过第一包封体至第一导...
  • 本发明公开了基于堆叠工艺的低电容集成雷电抑制芯片的制备方法:S1、制备下层芯片;S2、制备上层芯片;S3、将上层芯片与下层芯片进行堆叠与键合,得到基于堆叠工艺的低电容集成雷电抑制芯片。本发明还公开了根据上述制备方法制备得到的基于堆叠工艺的低...
  • 本发明公开了一种芯线焊接装置,具有芯线整形机构、芯线焊接动态纠偏装置、CCD模组和焊接组件,芯线整形机构对芯线进行整形,芯线焊接动态纠偏装置通过摆动线缆对芯线进行纠偏。本发明的有益效果是:通过芯线整形机构的中心定位件定位,能够将两对应的芯线...
  • 本发明公开了一种芯线焊接动态纠偏装置和芯线焊接方法,升降体上安装有微型电机,微型电机的动力输出端上安装有摆臂,且微型电机的轴心线与摆臂所摆动的平面垂直,升降体上开设有避让槽,摆臂的底部穿过避让槽,且摆臂的顶部可在避让槽内摆动,摆臂的底部设置...
  • 本发明公开了一种液态金属柔性连接方法及柔性连接结构。该方法包括以下主要步骤:在芯片表面制作阻焊层形成图案化芯片焊盘;制备电路板;通过压电驱动式压电驱动喷射阀制作液态金属凸点阵列或线性图案;贴装芯片;进行低温回流互连;最后进行底部胶填充及固化...
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