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最新专利技术
  • MOCVD反应室及其控制方法
    MOCVD反应室及其控制方法_南昌大学_202610080896.1
    本发明提供一种MOCVD反应室及其控制方法，反应室包括真空腔壳体、喷淋头、衬底承载组件、加热组件、旋转组件以及尾气集排装置；旋转组件包括旋转组件基座，旋转组件基座通过气‑磁联合作用实现悬浮支撑，并由气体喷射驱动旋转；旋转组件基座与衬底承载组...
    2026-05-07
  • 一种用于清洁LPCVD设备的控温刻蚀方法
    一种用于清洁LPCVD设备的控温刻蚀方法_浙江晶盛光子科技有限公司_202411470418.9
    本发明提供了一种用于清洁LPCVD设备的控温刻蚀方法，包括：将清洁气体传输至炉管内，所述清洁气体与炉管内壁上的多晶硅发生化学反应；其中，炉尾的温度高于炉管内其他位置的温度。本发明通过限定炉尾的温度高于炉管内其他位置的温度，有效提高了炉尾处的...
    2026-05-07
  • 提高蒙烯材料面电阻均匀性的化学气相沉积装置
    提高蒙烯材料面电阻均匀性的化学气相沉积装置_北京石墨烯研究院_202411463537.1
    本发明涉及一种提高蒙烯材料面电阻均匀性的化学气相沉积装置，包括反应腔、进气装置、出气装置，进气装置、出气装置分别设置于反应腔的两侧，所述反应腔内设置用于放置衬底材料的置物板，在置物板的两端设置有阻挡组件，该阻挡组件包括第一阻挡组件和第二阻挡...
    2026-05-07
  • SiC化学气相沉积装置
    SiC化学气相沉积装置_株式会社力森诺科_202610149108.X
    本发明提供一种SiC化学气相沉积装置，上述SiC化学气相沉积装置具有：炉体，其在内部构成沉积空间；和载置台，其位于上述沉积空间内，且在载置面载置SiC晶片，上述炉体具有：第1孔，其位于与上述载置面对置的上部，向上述沉积空间内导入原料气体；第...
    2026-05-07
  • 一种铝粉催化CVD生长MoSe2/WSe2横向异质结纳米片的方法
    一种铝粉催化CVD生长MoSe2/WSe2横向异质结纳米片的方法_华南师范大学_202610025479.7
    本发明公开了一种铝粉催化CVD生长MoSe2/WSe2横向异质结纳米片的方法，包括如下步骤：S1：使用SiO2/Si片预处理后，作为生长基底；S2：旋涂含有钼源和钨源的前驱体溶液至生长基底表面；S3：将S2中得到的生长基底与铝粉、硒粉共同置...
    2026-05-07
  • 基于光谱诊断的金刚石生长分布式偏压调控方法及系统
    基于光谱诊断的金刚石生长分布式偏压调控方法及系统_宁波晶钻科技股份有限公司_202610087343.9
    本发明提供一种基于光谱诊断的金刚石生长分布式偏压调控方法及系统，涉及微波等离子体化学气相沉积金刚石制备技术领域。通过发射光谱实时捕捉关键前驱物质光谱分布，实现偏压的“按需分配”，将大尺寸衬底(直径≥50mm)各区域生长速率差缩小至1μm/h...
    2026-05-07
  • 一种金刚石膜的制备方法及高品质金刚石膜
    一种金刚石膜的制备方法及高品质金刚石膜_北京安泰钢研超硬材料制品有限责任公司_202511886841.1
    本申请涉及金刚石膜制备技术领域，具体公开了一种金刚石膜的制备方法，包括以下步骤：衬底预处理、形核处理、CVD生长金刚石膜、后处理；所述形核处理的方法包括激光打标形核，具体步骤为：采用激光器在预处理后的衬底表面进行图形化处理；所述图形化处理所...
    2026-05-07
  • 一种耐氢刻蚀的极紫外光刻掩模版用单壁碳纳米管复合防护膜的制备方法
    一种耐氢刻蚀的极紫外光刻掩模版用单壁碳纳米管复合防护膜的制备方法_中国科学院金属研究所_202511847217.0
    本发明涉及极紫外光刻掩模版防护膜制备领域，具体为一种耐氢刻蚀的极紫外光刻掩模版用单壁碳纳米管复合防护膜的制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法生长单壁碳纳米管并采用气相过滤沉积方法制备组装单壁碳纳米管薄膜；在由单壁碳纳米管/管束构成的薄膜表...
    2026-05-07
  • 相向交错生长碳纳米管形成的低热阻热界面结构及方法
    相向交错生长碳纳米管形成的低热阻热界面结构及方法_香港科技大学深港协同创新研究院(深圳福田)_202411449463.6
    本发明公开了一种相向交错生长碳纳米管形成的低热阻热界面结构及方法，通过在氧化硅‑氧化硅键合形成的微通道内相向交错生长碳纳米管，实现了纳米管之间的缠绕结构，有效增加了接触面积并减少了接触距离，显著降低了界面热阻至1mm2K/W以下，低于压合法...
    2026-05-07
  • 一种半导体芯片镀膜设备
    一种半导体芯片镀膜设备_南通优睿半导体有限公司_202610100523.6
    本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种半导体芯片镀膜设备，包括工作台，所述工作台的上端面转动设置有镀膜盘，所述镀膜盘的上端面固定安装有多个呈圆周阵列设计的支撑架，每个所述支撑架的内侧均设置有吸附管，每个所述支撑架的上方均设置有芯片本体，所...
    2026-05-07
  • 一种行星盘增加单次做片量结构
    一种行星盘增加单次做片量结构_长春长光圆辰微电子技术有限公司_202511908701.X
    本发明公开了一种行星盘增加单次做片量结构，能够放置在蒸镀机台中，包括：行星盘；以及布置于所述行星盘中的载盘；支架具有多个支撑体，多个所述支撑体均连接于所述行星盘，并均布在所述载盘的外圆周。本发明的一种行星盘增加单次做片量结构，设置了载盘结构...
    2026-05-07
  • 一种高硬度与高耐蚀性能的钢材及其制备方法
    一种高硬度与高耐蚀性能的钢材及其制备方法_中国航发北京航空材料研究院_202610008740.2
    本申请公开了一种高硬度与高耐蚀性能的钢材及其制备方法，属于金属材料表面改性，制备方法包括对钢材进行磨削、清洗和干燥后，进行渗碳处理；对渗碳处理后的钢材进行热处理；将Cr为靶材，对热处理后的钢材进行离子注入，得到成品钢材。本申请创造性地将离子...
    2026-05-07
  • 一种硬质合金刃口处理方法及其制备的刀具
    一种硬质合金刃口处理方法及其制备的刀具_赣南科技学院_202512052653.5
    本发明涉及硬质合金技术领域，特别涉及一种硬质合金刃口处理方法及其制备的刀具；在本发明内，先对硬质合金刀具的刃口进行表面清洁预处理，再对预处理后的所述刃口进行离子注入，以在刃口表层形成强化层，然后对离子注入后的所述刃口进行微弧氧化处理，以在所...
    2026-05-07
  • 一种具有双层结构的高耐蚀钽薄膜及其制备方法
    一种具有双层结构的高耐蚀钽薄膜及其制备方法_中国科学院金属研究所_202610066451.8
    本发明公开了一种具有双层结构的高耐蚀钽薄膜及其制备方法，涉及半导体制造及表面工程领域，该薄膜沉积于基底上，从下至上依次包括与基底接触的非晶钽结合层及位于非晶钽结合层之上的(α+β)钽混合相耐蚀层，非晶钽结合层厚度为5nm‑100nm，可掺入...
    2026-05-07
  • 一种用于改性镀硅的磁控溅射镀膜控制方法及设备
    一种用于改性镀硅的磁控溅射镀膜控制方法及设备_成都中科德联真空科技有限责任公司_202512039795.8
    本发明提供了一种用于改性镀硅的磁控溅射镀膜控制方法及设备，其中方法包括步骤S1‑S4, 其中通过复合控制策略，实现了对沉积速率的主动补偿，将大面积基片的膜厚不均匀性从传统工艺的±8‑12%稳定控制在±2%以内，其次通过霍尔源分段束流密度控制...
    2026-05-07
  • 一种钼硅靶材及其制备方法
    一种钼硅靶材及其制备方法_有研亿金新材料(山东)有限公司_202511995881.X
    本发明涉及磁控溅射靶材领域，尤其涉及一种钼硅靶材及其制备方法。所述制备方法包括：1)将高纯Mo粉和高纯Si粉混合后进行真空热处理，得到钼硅合金坯料；所述高纯Mo粉和高纯Si粉的原子比为9 : 3~5 : 3，真空热处理的温度≤1100℃；2...
    2026-05-07
  • 一种支撑机构及真空处理设备
    一种支撑机构及真空处理设备_光驰科技(上海)有限公司_202610145298.8
    本发明涉及真空处理技术领域，公开了一种支撑机构及真空处理设备。支撑机构包括旋转支撑机构和/或顶升支撑机构；旋转支撑机构包括第一腔体座、动力组件、传动组件和旋转平台，第一腔体座设于真空腔室；动力组件设于第一腔体座，旋转平台的一端转动设于第一腔...
    2026-05-07
  • 金属件、镀膜方法及电子设备
    金属件、镀膜方法及电子设备_富联裕展科技(河南)有限公司_202511832033.7
    本申请公开了一种金属件、镀膜方法及电子设备，所述金属件包括金属基材、打底层、过渡层以及干涉层，所述打底层覆盖于所述金属基材的表面，所述过渡层覆盖于所述打底层背离所述金属基材的表面；以及所述干涉层覆盖于所述过渡层背离所述打底层的表面，所述干涉...
    2026-05-07
  • 一种刀具用PVD涂层的制备工艺
    一种刀具用PVD涂层的制备工艺_株洲锋镝新材料有限公司_202610053127.2
    本发明涉及刀具表面处理技术领域，且公开了一种刀具用PVD涂层的制备工艺，该工艺包括刀具基体预处理、涂层沉积设备调试、基体等离子体清洗、过渡层沉积、纳米多层涂层沉积及后处理步骤。本发明制备的涂层与基体结合力强，纳米硬度可达35‑40GPa，摩...
    2026-05-07
  • 适用480-1970nm波段超宽带减反膜及其制备方法
    适用480-1970nm波段超宽带减反膜及其制备方法_云南北方光学科技有限公司_202610073657.3
    本申请涉及可见光‑短波红外镀膜技术领域，实施例具体公开了一种适用480‑1970nm波段超宽带减反膜及其制备方法，包括：从下至上依次设置的基底层和空气层，以及设置于所述基底层和空气层之间的膜层结构；所述基底层的材料为H‑QK3、H‑LaF1...
    2026-05-07
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