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摄影电影;光学设备的制造及其处理,应用技术
  • 光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质
    光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202111533657.0
    一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，修正方法包括：提供主图形；根据相邻所述主图形的间距设定禁止边规则；在所述主图形的侧部添加辅助图形，其中，基于禁止边规则获得在所述主图形的侧部添加的辅助图形的数量。本发明有利于根据主图形周围...
    2026-02-04
  • 制造纳米压印光刻复制品及其模具以及半导体器件的方法
    制造纳米压印光刻复制品及其模具以及半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511372089.9
    本公开涉及制造纳米压印光刻复制品及其模具以及半导体器件的方法。制造纳米压印光刻复制品的方法包括在衬底之上沉积第一抗蚀剂层，并选择性地将第一抗蚀剂层曝光于第一光化辐射。对选择性曝光的第一抗蚀剂层进行显影，以在第一抗蚀剂层中形成图案。第一抗蚀剂...
    2026-02-04
  • 一种多光程气体吸收池
    一种多光程气体吸收池_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202512021811.0
    本发明涉及光谱探测技术领域，具体提供一种多光程气体吸收池，包括：气室，以及设置在气室两端的第一腔镜和第二腔镜，第一腔镜和第二腔镜均至少包括：圆形积分区，以及套设在圆形积分区外的内环形反射区和外环形反射区；其中，第一腔镜的圆形积分区和第二腔镜...
    2026-02-04
  • 一种背投影屏幕及投影系统
    一种背投影屏幕及投影系统_四川菲斯特科技有限公司_202511282208.1
    本发明属于投影显示领域，公开了一种背投影屏幕，包括成像层、黑色吸光层和锯齿形微结构层；所述黑色吸光层由第一黑色吸光层和第二黑色吸光层组成；所述第一黑色吸光层包括若干第一黑色吸光条，所述第二黑色吸光层包括若干第二黑色吸光条，所述第一黑色吸光条...
    2026-02-04
  • 面向舵面卡死的可重复使用运载器控制力矩重分配方法
    面向舵面卡死的可重复使用运载器控制力矩重分配方法_大连理工大学_202512015298.4
    本发明属于可重复使用运载器控制技术领域，具体涉及一种面向舵面卡死的可重复使用运载器控制力矩重分配方法。本发明的目的是为了解决可重复使用运载器舵面卡死时控制力矩分配适配性差、鲁棒性不足的问题，引入考虑舵面协同效应的动态控制分配重构策略实现故障...
    2026-02-04
  • 宽频带增益可控限幅放大器电路和光模块
    宽频带增益可控限幅放大器电路和光模块_材料科学姑苏实验室_202520425874.5
    本公开实施例提供一种宽频带增益可控限幅放大器电路和光模块。宽频带增益可控限幅放大器电路包括：多个差分放大模块，其中，多个差分放大模块串联，用于对输入信号进行逐级放大；差分放大模块包括：差分放大电路、比例电流源和电流调节电路，其中，比例电流源...
    2026-02-04
  • 一种亚分辨率辅助图形二维结构厚掩模近场建模方法
    一种亚分辨率辅助图形二维结构厚掩模近场建模方法_武汉宇微光学软件有限公司_202511843470.9
    本申请属于计算光刻技术领域，具体公开了一种亚分辨率辅助图形二维结构厚掩模近场建模方法，包括：基于尺寸序列，生成尺寸序列中各个尺寸对应的二维参考掩模，尺寸序列包括多个尺寸，尺寸序列中相邻的两个尺寸之间相差预设步长；通过对各个尺寸对应的二维参考...
    2026-02-04
  • 无掩模光刻机
    无掩模光刻机_合肥芯碁微电子装备股份有限公司_202210892945.3
    本发明公开了一种无掩模光刻机和无掩模光刻机的控制方法，无掩模光刻机包括：激光器，匀光器，空间光调制器，投影物镜，基板，运动平台，控制器和光强传感器，空间光调制器相对于运动平台的XY平面绕Z旋转一个固定角度，其图形刷新同步由运动平台位置触发信...
    2026-02-04
  • 与套刻相关的计量方法
    与套刻相关的计量方法_ASML荷兰有限公司_202480045365.8
    一种计量方法，包括获得衬底上的第一层中的第一结构的第一绝对位置度量以及所述衬底的第二层中的第二结构的第二绝对位置度量；以及根据所述第一绝对位置度量和所述第二绝对位置度量确定以下一项或多项：曝光引起的第一层图案位移，描述由所述结构的曝光而产生...
    2026-02-04
  • 一种基于高频信息提取的快速全息图生成方法
    一种基于高频信息提取的快速全息图生成方法_北京航空航天大学_202311487094.5
    本发明提出一种基于高频信息提取的快速全息图生成方法，该方法包括以下三个步骤：第一步，基于高斯滤波器对物体进行预处理，将物体的高频信息和低频信息分离，并得到相对应的高频图像和低频图像；第二步，用新型查找表法对高频图像进行计算，得到对应的高频全...
    2026-02-04
  • 一种新型磁吸式纳米压印结构
    一种新型磁吸式纳米压印结构_吉林工业职业技术学院_202520588131.X
    本实用新型涉及一种新型磁吸式纳米压印结构，旨在解决传统纳米压印技术中设备成本高、压力来源单一等问题。该结构的核心创新在于，将永磁或强磁材料嵌入纳米压印膜的边缘，并在膜下方设置电磁线圈。通过调节电磁线圈的电流，控制其产生的磁场强度，进而实现对...
    2026-02-04
  • 基于化学机械抛光的光学邻近效应校正仿真方法、装置、程序产品及终端
    基于化学机械抛光的光学邻近效应校正仿真方法、装置、程序产品及终端_华芯程(杭州)科技有限公司_202511971699.0
    本申请提供一种基于化学机械抛光的光学邻近效应校正仿真方法、装置、程序产品及终端，通过化学机械抛光工艺仿真工具，获得晶圆表面的三维轮廓高度图，并通过构建增强型光刻模型来感知晶圆表面的形貌变化，并在增强型光刻模型可以感知形貌变化的基础上通过光学...
    2026-02-04
  • 光刻胶剥离液组合物
    光刻胶剥离液组合物_合肥盛剑微电子有限公司_202511935239.2
    本发明公开了光刻胶剥离液组合物，原料按质量分数计，包括：质子极性溶剂30wt%‑80wt%；烷醇胺0.5wt%‑10wt%；酯类溶剂10wt%‑40wt%；金属保护剂0.01wt%‑1wt%；挥发抑制剂1wt%‑20wt%；余量若有，则为去...
    2026-02-04
  • 镜头缺陷检测方法、装置及半导体结构的制备方法
    镜头缺陷检测方法、装置及半导体结构的制备方法_上海积塔半导体有限公司_202210878193.5
    本申请涉及一种镜头缺陷检测方法、装置及半导体结构的制备方法。本申请中的镜头缺陷检测方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括多个曝光区域；对各所述曝光区域进行曝光，在所述多次曝光的过程中，至少采用两种不同的曝光能量；在所述多次曝光后，根据各所述曝光区...
    2026-02-04
  • 用于检测和/或量化制造不准确度的方法和系统
    用于检测和/或量化制造不准确度的方法和系统_多普勒实验室股份有限公司_202380047884.3
    本公开涉及一种用于检测和/或量化由光刻工艺产生的制造不准确度的方法。该方法包括：提供用于使用一组光刻工艺在基板上制造结构的至少一个设计，其中制造的结构限定计量传感器的阵列，其中每个计量传感器适于在应用物理过程时产生已知和有限的一组可能的不同...
    2026-02-04
  • 掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法
    掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法_HOYA株式会社_202011344580.8
    本发明的课题在于提供一种可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率、提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性的掩模坯料。解决方法是该掩模坯料，其在基板上具备图案形成用的薄膜。上述薄膜由含有铬的材料形成。另外，上述薄膜由与...
    2026-02-04
  • 一种低成本亚微米精度激光模板光刻装置与方法
    一种低成本亚微米精度激光模板光刻装置与方法_武汉大学_202210430461.7
    本发明公开一种低成本亚微米精度激光模板光刻装置及方法，包括旋涂有光刻胶的衬底、光刻模板以及激光光源，所述光刻模板放置在旋涂有光刻胶的衬底上，激光光源安装在移动平台上造成激光与衬底的相对位置移动形成扫描，激光脉冲出光与移动行为关联，所述激光光...
    2026-02-04
  • 一种纳米压印用掩模张力装置
    一种纳米压印用掩模张力装置_江苏优众微纳半导体科技有限公司_202520584741.2
    本实用涉及纳米压印领域，尤其公开了一种纳米压印用掩模张力装置，包括操作台，所述操作台顶部设置有张力机构，所述张力机构包括封板，所述封板一侧固定设置有第一夹板，所述封板另一侧固定设置有所述行轨组，所述行轨组上活动连接有第二夹板，所述第二夹板侧...
    2026-02-04
  • 一种面向超表面制造的电子束曝光写场拼接动态优化方法
    一种面向超表面制造的电子束曝光写场拼接动态优化方法_南京南智先进光电集成技术研究院有限公司_202511938656.2
    本发明公开了一种面向超表面制造的电子束曝光写场拼接动态优化方法，首先提取版图中的关键图形与低密度区域，生成密度分布图；然后结合设备参数，生成多种候选写场分割方案及其拼接缝，并为每条缝构建融合图形切割代价、工艺误差风险和移动效率的损失函数；通...
    2026-02-04
  • 一种基于边级定位的光刻热点检测方法
    一种基于边级定位的光刻热点检测方法_浙江大学_202512003618.4
    本发明公开一种基于边级定位的光刻热点检测方法，首先将集成电路版图构建为一个图结构，其中每个节点对应集成电路版图中多边形的一条边，边对应节点之间的连接关系；引入边类型，所述边类型包括邻接边、图形边和空间边；提取边特征和节点特征，构建得到完整的...
    2026-02-04
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