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最新专利技术
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202411810683.7
    本申请公开了半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：从衬底延伸的衬底部分、设置在衬底部分之上的半导体层、围绕半导体层的至少部分的栅极结构、以及设置在半导体层上的第一电介质间隔件和第二电介质间隔件。栅极结构的部分设置在第一电介质间隔件和第二电...
    2025-11-04
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411590282.5
    一种半导体器件包括：衬底；在衬底上的有源图案， 有源图案包括彼此间隔开并且垂直堆叠在彼此上的多个沟道图案；在所述多个沟道图案的至少一侧上的源极/漏极图案；围绕所述多个沟道图案的栅电极， 栅电极包括在所述多个沟道图案中的相邻沟道图案之间的下部...
    2025-11-04
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510128686.0
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在衬底之上形成第一多层堆叠和第二多层堆叠。第一和第二多层堆叠包括：多个间隔开的纳米片， 沿堆叠的第一方向布置；以及电介质间隔件， 设置在相邻纳米片之间。在第一多层堆叠和第二多层堆叠...
    2025-11-04
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202411810895.5
    一种制造半导体器件的方法， 包括：形成有源结构；在有源结构上形成初步栅极介电层；在初步栅极介电层上形成包括第一偶极子材料的第一偶极子层和包括第二偶极子材料的第二偶极子层；去除有源结构的除第一区域之外的区域中的第一偶极子层和第二偶极子层；去除...
    2025-11-04
  • 具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件和制造具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件的方法
    具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件和制造具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件的方法_星科金朋私人有限公司_202510431845.4
    具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件和制造具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件的方法。一种半导体器件具有包括光子电路的桥管芯。光学环氧树脂沉积在光子电路上方。桥管芯设置在第一互连结构上方。密封剂沉积在桥管芯和第一互连结构上方。密封剂的一部分被移除以...
    2025-11-04
  • 一种塑封双层封装结构及其产品制作方法
    一种塑封双层封装结构及其产品制作方法_北京新雷能科技股份有限公司_202511035644.9
    本发明提供了一种塑封双层封装结构及其产品制作方法， 涉及注塑封装技术领域。封装基板上设置有封装基板底面焊盘、封装基板正面焊盘， 封装基板底面焊盘上设置有BGA焊球， 封装基板正面焊盘上焊接有第一层元器件、PCB支架、裸芯片；第一层元器件、P...
    2025-11-04
  • 一种异形分裂栅极复合结构的SiC MOSFET
    一种异形分裂栅极复合结构的SiC MOSFET_深圳市杜因特半导体有限公司_202510686353.X
    本申请属于半导体技术领域， 具体公开了一种异形分裂栅极复合结构的SiC MOSFET， 该SiC MOSFET包括：SiC衬底；形成位于SiC衬底上的外延层；形成在外延层上的多分支异形栅极结构， 该栅极结构包括主沟槽和从主沟槽中部水平延伸的...
    2025-11-04
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202411451570.2
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：形成在衬底中的沟槽；间隙填充沟槽的一部分的埋置导电层；以及在埋置导电层之上间隙填充沟槽的剩余部分的覆盖结构， 该覆盖结构包括含碳材料。在半导体器件中， 可以通过降低覆盖层的拉伸应力来最小...
    2025-11-04
  • 一种氮-磷共掺杂的SiC衬底或SiC外延片及其制备方法
    一种氮-磷共掺杂的SiC衬底或SiC外延片及其制备方法_深圳麒磷晶源半导体有限公司_202510872498.9
    本申请属于半导体材料技术领域， 具体涉及一种氮‑磷共掺杂的SiC衬底或SiC外延片及其制备方法。本申请所述氮‑磷共掺杂的SiC衬底或SiC外延片， 所述碳化硅衬底中磷原子的掺杂浓度大于氮原子的掺杂浓度；所述SiC外延片包括衬底层和SiC外延...
    2025-11-04
  • 衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构
    衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构_珠海格力电子元器件有限公司_202511295872.X
    本申请提供了一种衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构， 该衬底结构包括：衬底本体；多个周期性排布的沟槽结构， 多个沟槽结构位于衬底本体中， 任意相邻的两个沟槽结构接触；多个填充层， 填充层一一对应地位于沟槽结构中， 填充层的表面与衬底本...
    2025-11-04
  • 薄膜晶体管
    薄膜晶体管_应用材料公司_202511070771.2
    本文的多个实施方式包括薄膜晶体管(TFT)， 所述薄膜晶体管包括具有不同迁移率的层的沟道层堆叠物。由于高迁移率沟道层和/或多个高迁移率沟道层中的载流子密度更高， 本文公开的TFT通过低迁移率和高迁移率沟道层传输更高的总电流， 这样增加了TF...
    2025-11-04
  • 功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法
    功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510438772.1
    本公开涉及功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法， 其包括：半导体主体， 被配置为在第一负载端子和第二负载端子之间传导正向负载电流；主要控制端子；辅助控制端子， 与主要控制端子隔离；控制电极结构， 包括：主要控制电极， 按照电气方式连接到...
    2025-11-04
  • 半导体器件和实施此类半导体器件的金属氧化物半导体场效应晶体管
    半导体器件和实施此类半导体器件的金属氧化物半导体场效应晶体管_安世有限公司_202510425056.X
    本公开涉及一种半导体器件， 特别是用于金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的半导体器件， 所述半导体器件具有适合于电流切换和信号处理目的的RESURF架构。本公开的优点是提供了一种半导体单元， 特别是用于金属氧化物半导体场效应晶体管MO...
    2025-11-04
  • 用于具有增强电绝缘性的GaN HEMT的外延晶圆及其制造方法
    用于具有增强电绝缘性的GaN HEMT的外延晶圆及其制造方法_威弗洛得有限公司_202510409111.6
    根据本发明的实施方式提供了一种用于具有增强电绝缘性的GaN HEMT的外延晶圆及其制造方法， 所述外延晶圆包括：生长基底；成核区域， 所述成核区域生长在所述生长基底上；具有高电阻特性的高电阻区域， 所述高电阻区域包括高电阻单元区域， 所述高...
    2025-11-04
  • 一种半导体器件的制造方法及半导体器件
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511288242.X
    本方案涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件， 该半导体器件的制造方法包括 : 提供一衬底， 衬底包括通过隔离沟槽分隔的至少两个区域， 至少一个区域中形成有功能沟槽；对形成有功能沟槽的区域进行掺杂离子注入， 形成MOS区；在功能沟槽形成应...
    2025-11-04
  • 功率器件及其制备方法、电子设备
    功率器件及其制备方法、电子设备_广东芯粤能半导体有限公司_202511271928.8
    本申请涉及一种功率器件及其制备方法、电子设备， 器件包括：衬底， 衬底的第一表面上包括外延层；外延层内包括经由顶面沿朝向衬底的第一方向排列的源区、基区、屏蔽区；多个栅极， 沿平行于第一表面的第二方向间隔分布， 并沿第一方向贯穿源区、基区， ...
    2025-11-04
  • 短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法
    短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202511174234.2
    本发明公开了一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法， 结构包括：位于第一导电类型外延层中的不连通的第二导电类型阱区；相邻第二导电类型阱区之间的第一导电类型外延层作为第一导电类型JFET区；位于第二导电类型阱区之中的第一导电类型...
    2025-11-04
  • 沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法
    沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法_株洲中车时代半导体有限公司_202410367522.9
    本发明实施例公开了一种沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法， 芯片包括：第一导电类型衬底、依次设置在所述第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区、第二导电类型阱区和第一导电类型源区， 在所述第一导电类型源区之间设置栅沟槽， 在所述栅沟槽中设...
    2025-11-04
  • 一种混合势垒碳化硅场效应晶体管及其制造方法
    一种混合势垒碳化硅场效应晶体管及其制造方法_复旦大学_202510985668.4
    本发明公开一种混合势垒碳化硅场效应晶体管及其制造方法。该混合势垒碳化硅场效应晶体管包括：第一导电类型碳化硅衬底；第一导电类型漂移层， 形成于第一导电类型碳化硅衬底上；沟槽， 间隔分布于第一导电类型漂移层中；第二导电类型多晶硅层， 填充于沟槽...
    2025-11-04
  • 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202510878388.3
    本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆， 属于半导体技术领域。该半导体器件包括半导体本体、栅极、二维材料层、源极和漏极， 半导体本体被设置为第一导电类型， 半导体本体包括相对的第一表面和第二表面， 第一表面设置有...
    2025-11-04
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