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最新专利技术
  • 一种RGB三色集成封装灯条的制备工艺及灯条
    一种RGB三色集成封装灯条的制备工艺及灯条_安徽芯瑞达科技股份有限公司_202510665229.5
    本发明公开了一种RGB三色集成封装灯条的制备工艺及灯条， 一种RGB三色集成封装灯条的制备工艺， 包括：提供多个颜色的晶片， 将其固定于焊盘， 通过超声焊将晶片的电极与基板引脚连接， 形成一电流通路， 对晶片采用胶体进行灌封或注塑， 形成覆...
    2025-11-03
  • 紫外发光二极管封装结构
    紫外发光二极管封装结构_中国科学院半导体研究所_202511010615.7
    本发明提供了一种紫外发光二极管封装结构， 可应用于发光二极管封装结构技术领域。该结构包括：散热基板、紫外发光二极管芯片、三维围坝、固液混合介质层、透镜以及焊接层， 其中， 紫外发光二极管芯片设置于散热基板上， 并通过焊接层与散热基板连接；三...
    2025-11-03
  • 深紫外分离式高反射封装基板
    深紫外分离式高反射封装基板_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202511030116.4
    本发明涉及一种深紫外分离式高反射封装基板， 属于LED封装技术领域。包括从下至上依次粘接的陶瓷基板突起共晶层、高反射材料封装腔体层以及围坝透镜固定层；陶瓷基板突起共晶层包括陶瓷基板， 陶瓷基板上呈阵列形式一体成型有多个焊接突起对；高反射材料...
    2025-11-03
  • 减小出光角度的发光二极管及其制备方法和显示面板
    减小出光角度的发光二极管及其制备方法和显示面板_京东方华灿光电(广东)有限公司_202510917577.7
    本公开提供了一种减小出光角度的发光二极管及其制备方法和显示面板， 属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、钝化层、电极和反射层；钝化层和外延层依次层叠于衬底的表面上， 钝化层具有露出外延层的通孔， 电极位于钝化层的远离衬底的...
    2025-11-03
  • 发光器件和发光器件的制作方法
    发光器件和发光器件的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510914513.1
    本公开提供了一种发光器件和发光器件的制作方法， 属于光学领域。该发光器件包括：衬底；出光层， 所述出光层位于所述衬底的出光面上；出光层包括交替层叠的第一膜层和第二膜层；第一膜层的厚度范围为0.5×103～2.5×103埃， 第二膜层的厚度范...
    2025-11-03
  • 反极性发光二极管及其制备方法
    反极性发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510701407.5
    本公开提供了一种反极性发光二极管及其制备方法， 属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、第一透明导电层、介质层、粘附层和外延层， 所述第一透明导电层、所述介质层、所述粘附层和所述外延层依次层叠在所述衬底上；所述粘附层与所述外延层的粘...
    2025-11-03
  • 改善发光均匀性的发光二极管
    改善发光均匀性的发光二极管_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510719700.4
    本公开提供了一种改善发光均匀性的发光二极管， 属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层和第一电极；外延层包括第一半导体层和第二半导体层；第一电极电连接第二半导体层；第一电极包括：主电极条和多个子电极条；多个子电极条包括第一子电极条、第...
    2025-11-03
  • 发光器件及其制备方法
    发光器件及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511272737.3
    本发明公开了一种发光器件及其制备方法， 所述发光器件包括衬底， 及依次层叠于衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层， 所述P型半导体层上设有间隔设置的第一电极和第二电极， 所述N型半导体层的材料为Alx1Iny1Ga(1‑x1‑y1)N...
    2025-11-03
  • 图形化衬底、发光二极管及其制备方法
    图形化衬底、发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510902193.8
    本公开公开了一种图形化衬底、发光二极管及其制备方法， 属于半导体技术领域。所述图形化衬底包括衬底本体、位于所述衬底本体的表面具有多个第一凸起和多个第二凸起， 所述多个第一凸起间隔排布形成多个第一六边形， 所述多个第二凸起间隔排布形成多个第二...
    2025-11-03
  • 半导体元件
    半导体元件_晶元光电股份有限公司_202510415050.4
    本发明公开一种半导体元件， 包括外延结构。外延结构包括第一半导体结构、第二半导体结构、以及活性区。第一半导体结构包括第一中间层以及第一覆盖层且具有第一导电型态。第二半导体结构具有第二导电型态。活性区位于第一半导体结构及第二半导体结构间。第一...
    2025-11-03
  • 一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片
    一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片_江西乾照光电有限公司_202511279101.1
    本发明公开一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片， 所述制备方法包括：提供一衬底， 将衬底放入MOCVD设备的石墨盘上， 然后通入反应气体， 生长外延层；在生长外延层时， 在MOCVD设备的区域气流补偿管道通入的气体包括NH3， 通过...
    2025-11-03
  • 一种LED半导体芯片封装装置
    一种LED半导体芯片封装装置_江苏国中芯半导体科技有限公司_202511269714.7
    本发明涉及芯片封装技术领域， 具体为一种LED半导体芯片封装装置， 包括：封装台， 所述封装台上固定设置有工作承板；封装位确认机构， 所述封装位确认机构安装在工作承板上， 用于对芯片的封装位置进行确定；芯片平放组件， 所述芯片平放组件也安装...
    2025-11-03
  • 一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体
    一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202511222929.3
    本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体， 所述发光二极管芯片包括衬底以及位于所述衬底上的外延功能层， 所述发光二极管芯片的侧面包括交替排列的第一梯形沟槽和第二梯形沟槽， 所述第一梯形沟槽的底面和侧壁的表面粗糙度大于所述第二...
    2025-11-03
  • 一种LED灯珠芯片扩晶机
    一种LED灯珠芯片扩晶机_深圳芯叶晨科技有限公司_202511100347.8
    本发明涉及扩晶的技术领域， 具体为一种LED灯珠芯片扩晶机， 包括：基板及其顶部的机壳和承载平台；位于承载平台外围所述基板的顶部安装有两个装配柱， 其中一个所述装配柱上可控的安装有上模， 所述上模的内部开设嵌槽和装配腔， 所述嵌槽与装配腔互...
    2025-11-03
  • 基板及其制备方法、显示设备
    基板及其制备方法、显示设备_海信视像科技股份有限公司_202410353737.5
    本申请提供实施例属于显示技术， 提供一种基板及其制备方法、显示设备， 制备方法包括提供具有焊盘的透光板， 透光板的其中一面包括相邻的第一区域和第二区域， 多个焊盘呈间隔设置在透光板的第一区域上；在焊盘远离透光板的一侧形成遮挡层， 遮挡层覆盖...
    2025-11-03
  • 分片电池及其形成方法、光伏组件
    分片电池及其形成方法、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202510212456.2
    本申请实施例涉及光伏技术领域， 特别涉及一种分片电池及其形成方法、光伏组件， 分片电池包括：所述分片电池为对整片电池进行切片处理后形成的， 所述分片电池具有经由所述切片处理而形成的切割面；其中， 至少部分所述切割面具有第一纹理结构， 所述第...
    2025-11-03
  • 一种QFN芯片封装结构及方法
    一种QFN芯片封装结构及方法_宁波金晟芯影像技术股份有限公司_202510940552.9
    本发明公开了一种QFN芯片封装结构及方法， 包括：底部基板、感光芯片、密封胶圈、滤光玻璃和填充胶圈；底部基板为铜箔基板阵列中的一个封装区域， 基板阵列包含多个阵列排布的封装区域， 相邻封装区域之间设有裁切线， 封装区域的边缘位置形成有多个电...
    2025-11-03
  • 背接触电池和光伏组件
    背接触电池和光伏组件_天合光能股份有限公司_202511286072.1
    本申请涉及太阳能电池技术领域， 尤其涉及一种背接触电池和光伏组件。本申请实施例的背接触电池， 包括半导体基底， 半导体基底具有相对设置的正面和背面， 正面和背面之间围绕有侧面；背面交替分布有发射极和基极接触区， 发射极和基极接触区之间设有隔...
    2025-11-03
  • 叠层电池及其制备方法和光伏组件
    叠层电池及其制备方法和光伏组件_协鑫集成科技股份有限公司_202511057985.6
    本申请公开了叠层电池及其制备方法和光伏组件。叠层电池包括底电池、顶电池和连接层， 连接层位于底电池和顶电池之间；底电池包括：晶硅衬底；第一隧穿氧化层， 位于晶硅衬底和顶电池之间；第一掺杂多晶硅层， 位于第一隧穿氧化层和顶电池之间；正膜， 位...
    2025-11-03
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_浙江晶科能源有限公司_202510962069.0
    本申请实施例涉及太阳能电池技术领域， 特别涉及一种太阳能电池及其制备方法， 太阳能电池包括：基底， 基底具有第一表面；掺杂层， 掺杂层位于第一表面；钝化层， 钝化层位于掺杂层远离第一表面的表面， 钝化层具有激光处理区域， 且钝化层具有待形成...
    2025-11-03
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