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最新专利技术
  • 一种治疗肿瘤相关失眠的中药组合物
    一种治疗肿瘤相关失眠的中药组合物_上海中医药大学附属岳阳中西医结合医院_202510544771.5
    本发明涉及中药技术领域，具体是一种治疗肿瘤相关失眠的中药组合物，由如下重量份的原料药组成：淮小麦30‑60份、知母6‑9份、百合9‑15份、大枣9‑15份、炙甘草9‑12份。本发明针对肿瘤相关失眠的症状和病机，采用调和阴阳、养心安神、和中缓...
    2025-10-21
  • 泛酸或其药学上可接受的盐在制备增强病原菌对达托霉素的敏感性的药物中的应用
    泛酸或其药学上可接受的盐在制备增强病原菌对达托霉素的敏感性的药物中的应用_暨南大学_202510547732.0
    本发明属于生物医药技术领域，具体涉及泛酸或其药学上可接受的盐在制备增强病原菌对达托霉素的敏感性的药物中的应用。本发明首次发现泛酸或其药学上可接受的盐的加入可以提高包括金黄色葡萄球菌、无乳链球菌和白喉杆菌在内的革兰氏阳性菌对达托霉素的敏感性，...
    2025-10-21
  • 一种促进放射合并创伤修复的水凝胶及其制备方法
    一种促进放射合并创伤修复的水凝胶及其制备方法_中国人民解放军军事科学院军事医学研究院_202510543753.5
    本发明涉及一种促进放射合并创伤修复的水凝胶及其制备方法，其中，所述水凝胶，包括：载体，其原料包括第一载体原料和第二载体原料，所述第一载体原料与所述第二载体原料的质量比为1:2～1:4；负载物，负载于所述载体上，所述负载物包括CBD，所述CB...
    2025-10-21
  • 新生儿床边立位片拍摄辅助器
    新生儿床边立位片拍摄辅助器_武汉新塔医疗科技有限公司_202510543220.7
    本发明涉及医疗器械技术领域，公开了新生儿床边立位片拍摄辅助器，包括设备本体基座、拼接式平板探测器、驱动组件、插接组件、卡接组件和锁止组件。本发明通过调节辊上螺旋状插接槽，可以实现电路连接与机械连接有序同步。在连接过程中，转动调节辊，螺旋状插...
    2025-10-21
  • 一种便携式搅拌器的改进结构
    一种便携式搅拌器的改进结构_佛山市富利宝电器有限公司_202510548782.0
    一种便携式搅拌器的改进结构，涉及一种电动家电领域，包括带有动力机构的底座、带有搅拌刀的筒形容器，容器下部侧壁向内侧弯曲，使下部侧壁与上部侧壁在弯曲处形成钝角夹角，容器下部的其中一侧的弯曲处比容器下部的另一侧的弯曲处高，并且，弯曲处是由高到低...
    2025-10-21
  • 一种办公桌
    一种办公桌_广东华盛家具集团有限公司_202510541387.X
    本发明公开一种办公桌，包括桌面板以及分别设置在桌面板下端两侧的两个支撑部，还包括遮挡板，遮挡板竖向安装在桌面板的下端并分布在两个支撑部之间，且遮挡板上端分别与两个支撑部铰接，其下端分别通过连接结构与两个支撑部可拆卸连接并锁定在竖向分布的位置...
    2025-10-21
  • 一种可用于3D打印的基于食品加工副产物颗粒稳定的双凝胶及其制备和应用
    一种可用于3D打印的基于食品加工副产物颗粒稳定的双凝胶及其制备和应用_深圳味本真食品科技有限公司_202510545460.0
    本发明属于食品加工技术领域，公开了一种可用于3D打印的基于Pickering食品加工副产物颗粒稳定的双凝胶及其制备和应用。双凝胶的制备方法包括以下步骤：将食品加工副产物分散在水中得到分散液，研磨得到纳米/亚微米研磨颗粒分散液；将水凝胶剂添加...
    2025-10-21
  • 一种固态胶体槟榔卤水颗粒产品的制备方法
    一种固态胶体槟榔卤水颗粒产品的制备方法_陈启国_202510545131.6
    本发明公开了一种固态胶体槟榔卤水颗粒产品的制备方法，其包括以下步骤：S1、原料准备：选取优质槟榔果实，清洗后干燥至含水量10%～15%，粉碎成粒径0.5—1.5mm的槟榔粉；准备甜味剂、香料、胶体、防腐剂及适量的水；S2、槟榔卤水的熬制：将...
    2025-10-21
  • 一种犬齿咬合测试机装配体
    一种犬齿咬合测试机装配体_海恩斯坦检测认证(上海)有限公司_202510546200.5
    本发明公开了一种犬齿咬合测试机装配体，包括加工底座，所述加工底座上设置有侧安装型材和固定型材，所述侧安装型材上设置有移动组件，所述移动组件上设置有移动型材，所述固定型材上设置有测试组件，所述移动型材上设置有咬合组件；所述咬合组件包括升降型材...
    2025-10-21
  • 一种农作物植株切割高度控制调整系统及其方法
    一种农作物植株切割高度控制调整系统及其方法_安徽农业大学_202510544672.7
    本发明公开了一种农作物植株切割高度控制调整系统及其方法，属于畜草切割控制技术领域，包括切割车体，切割车体上安装有行走模块，行走模块通过安装在切割车体上的动力模块提供切割车体的行走动力，切割车体上还设有两个升降模块，升降模块上安装有视觉识别模...
    2025-10-21
  • 一种园林树木养护用均匀施肥装置
    一种园林树木养护用均匀施肥装置_林海生态环境股份有限公司_202510547164.4
    本发明公开了一种园林树木养护用均匀施肥装置，包括机架，所述机架的输出端连接有主轴，所述主轴内设置有输入管，所述输入管一端连接有储液囊，所述储液囊一侧安装有出液管，所述机架下表面安装有支架,本发明将肥料作为输入土壤的养分，也通过加水的方式配置...
    2025-10-21
  • 一种基于掩膜版直镀法的联合钝化背接触电池制备方法
    一种基于掩膜版直镀法的联合钝化背接触电池制备方法_福建金石能源有限公司_202510549632.1
    本发明公开了一种基于掩膜版直镀法的联合钝化背接触电池制备方法，包括如下步骤：S09：在硅片背面沉积透明导电薄膜，所述导电薄膜为掺杂的氧化铟体系或氧化锡体系的透明导电薄膜，通过PVD方式沉积形成，厚度为50‑150nm，制备方法为：首先将掩膜...
    2025-10-21
  • 背侧深沟槽隔离结构及其制造方法
    背侧深沟槽隔离结构及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510559540.1
    本发明提供一种背侧深沟槽隔离结构，包括衬底，在衬底上形成有沟槽，沟槽中形成有填充介质；沟槽具有顶部垂直段、中部侧掏段和底部收缩段；顶部垂直段具有垂直侧壁的沟槽顶部；中部侧掏段连接于顶部垂直段下方，侧壁向外扩张；底部收缩段连接于中部侧掏段下方...
    2025-10-21
  • 金属氧化物半导体静电保护器件
    金属氧化物半导体静电保护器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202510560921.1
    本发明提供一种金属氧化物半导体静电保护器件，包括：衬底；设置在衬底中的第一导电类型的阱区；源极区，形成在第一导电类型的阱区中，源极区包括第一重掺杂区，第一重掺杂区为第二导电类型；漏极区；栅极结构；体接触区，体接触区包括第三重掺杂区，第三重掺...
    2025-10-21
  • 一种BCD器件制造方法
    一种BCD器件制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510559392.3
    本申请公开了一种BCD器件制造方法，包括：提供SOI晶圆，所述SOI晶圆由下至上依次包括衬底层、埋氧层和顶层硅；采用光刻和刻蚀工艺，在所述SOI晶圆中定义出TVS器件区域和主器件区域，位于所述TVS器件区域的所述顶层硅和埋氧层被去除、衬底层...
    2025-10-21
  • 沟槽型MOS器件的制作方法
    沟槽型MOS器件的制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510565219.4
    本申请公开了一种沟槽型MOS器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有沟槽，沟槽和衬底的表面形成有第一氧化物层，沟槽中填充有第一多晶硅层，第一多晶硅层的顶部形成有V字型凹陷；对第一多晶硅层顶部周侧预定区域的第一氧化物层进行刻蚀，使第一多...
    2025-10-21
  • 增大嵌入式隧道氧化物闪存擦写循环性能窗口的方法
    增大嵌入式隧道氧化物闪存擦写循环性能窗口的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510561832.9
    本发明提供一种增大嵌入式隧道氧化物闪存擦写循环性能窗口的方法，提供衬底，在衬底上依次形成缓冲氧化层和硬掩膜层，通过图形化刻蚀形成浅沟槽；沉积第一绝缘材料，使其在浅沟槽中与衬底的有源区表面齐平；对第一绝缘材料进行回刻蚀以打开填充空间；进行第二...
    2025-10-21
  • SOI LDMOS器件的版图
    SOI LDMOS器件的版图_华虹半导体(无锡)有限公司_202510559289.9
    本发明提供一种SOI LDMOS器件的版图，包括由多个正多边形单元胞拼接形成的阵列，每个单元胞包括：正多边形的有源区，其边界由浅沟槽隔离层定义；包围有源区的正多边形深沟槽隔离层，实现器件外围的全介质隔离；位于有源区内的第一导电类型阱区和第二...
    2025-10-21
  • MOS器件的制备方法
    MOS器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510560937.2
    本申请提供一种MOS器件的制备方法，通过对栅极两侧的衬底进行四次离子注入，以分别形成源区和漏区，具体的，先对衬底进行第一次离子(P型离子)注入，然后对衬底进行第二次离子(BF2)注入，接着对衬底进行第三次离子(硼离子)...
    2025-10-21
  • 栅间氧化物层的形成方法
    栅间氧化物层的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510559552.4
    本申请公开了一种栅间氧化物层的形成方法，包括：通过HTO沉积工艺在浮栅多晶硅层上形成第一氧化物层，浮栅多晶硅层形成于耦合氧化物层上，耦合氧化物层形成于衬底上；对第一氧化物层进行热处理以使第一氧化物层的厚度达到其目标厚度；在第一氧化物层上形成...
    2025-10-21
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