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最新专利技术
  • 静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法
    静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法_联华电子股份有限公司_202510796461.2
    本发明公开一种静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法， 其中该静态随机存取存储器的布局图案至少包含一基底， 多条鳍状结构位于该基底上， 多条栅极结构位于该基底上并且跨越该多条鳍状结构， 以组成多个晶体管分布于该基底上， 其中该多个晶体管包...
    2025-11-08
  • 存储器及其制造方法、电子设备
    存储器及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410389602.4
    一种存储器及其制造方法、电子设备。存储器包括第一半导体结构以及与第一半导体结构耦合的第二半导体结构。第一半导体结构包括阵列排布且彼此间隔的多个存储阵列， 每个存储阵列包括阵列排布的多个存储单元， 每个存储单元包括沿第一方向延伸的垂直晶体管和...
    2025-11-08
  • 半导体结构
    半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410389611.3
    本公开提供一种半导体结构， 至少可以包括：第一传输管的栅极与字线连接， 第一传输管的源极与电容连接；多层存储阵列， 每层存储阵列包括至少一个存储单元， 不同层的存储单元连接不同的字线， 每一字线的第一端均连接对应的一个第二传输管的源极， 第...
    2025-11-08
  • 存储器器件及其制造方法
    存储器器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410390080.X
    本公开提供了一种存储器器件及其制造方法， 所述存储器器件包括第一半导体结构， 所述第一半导体结构包括第一区域， 所述第一区域包括：导电线， 所述导电线包括两个沿第一方向延伸的第一部分和连接两个所述第一部分的第二部分；所述第二部分连接所述第一...
    2025-11-08
  • 半导体结构及其形成方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其形成方法、存储器和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410397673.9
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其形成方法、存储器和存储器系统， 该半导体结构包括：多个半导体柱；多个半导体柱构成沿第一方向排布的若干行半导体柱；相邻的行半导体柱中的多个半导体柱沿第二方向彼此交错排布；且半导体柱沿第三方向延伸；第一方向、...
    2025-11-08
  • 存储器件、半导体结构及其制作方法
    存储器件、半导体结构及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410398933.4
    本公开实施例涉及半导体领域， 提供一种半导体结构及其制作方法， 其中， 半导体结构包括：衬底， 衬底包括多个沿第一方向以及第二方向间隔排布的有源结构， 有源结构包括第一有源部和第二有源部；衬底包括第一表面， 第二有源部沿第一有源部向第一表面...
    2025-11-08
  • 存储芯片及其制作方法、存储器、电子设备
    存储芯片及其制作方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410415289.7
    本申请提供一种存储芯片及电子设备， 涉及存储技术领域， 通过采用双面存储架构来提高存储密度。该存储芯片中包括衬底结构、外围电路、第一存储阵列、第二存储阵列。衬底结构中设置有连接孔。外围电路设置在衬底结构的正面。第一存储阵列设置在衬底结构的正...
    2025-11-08
  • 半导体器件、形成方法和存储系统
    半导体器件、形成方法和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410425181.6
    本公开提供了一种半导体器件、形成方法和存储系统， 涉及半导体技术领域。其中， 半导体器件包括：第一半导体结构， 包括堆叠结构和晶体管， 所述堆叠结构包括沿第一方向交替堆叠的第一导电层和第二导电层， 所述晶体管设置于所述堆叠结构的一侧， 所述...
    2025-11-08
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202410942292.4
    本揭示内容提供一种形成半导体结构的方法。方法包括以下操作。在位元线结构之间形成含硅导电层。于臭氧环境下将含硅导电层的第一部分转化成氧化层。在氧化层及位元线结构上形成氮化物层。移除氧化层上的氮化物层的一部分及设置在氮化物层的部分下的氧化层的一...
    2025-11-08
  • 半导体结构及形成半导体结构的方法
    半导体结构及形成半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202410942541.X
    一种半导体结构包括基板、栅极介电层与栅极结构。基板具有阵列区与邻接阵列区的周围区， 其中基板的周围区具有凹槽。栅极介电层位于凹槽的表面上。栅极结构位于凹槽中且包括第一功函数层与第二功函数层。第一功函数层位于栅极介电层上。第二功函数层位于第一...
    2025-11-08
  • 存储器组件及其制造方法
    存储器组件及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411108879.1
    本发明提供一种存储器组件及其制造方法。存储器组件包括衬底、多个字线结构、多个位线结构、多个虚设位线结构、多个分隔墙以及多个导体插塞。多个位线结构设置于衬底上方， 沿着第二方向延伸， 从衬底的阵列区延伸至过渡区。多个虚设位线结构设置于衬底的过...
    2025-11-08
  • 制造半导体结构的方法
    制造半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202411232514.X
    本揭露的实施例提供制造半导体结构的方法包括以下步骤。提供基板， 其中基板上具有主动装置层。在主动装置层上形成堆叠膜层。在堆叠膜层上形成光阻平台层。在光阻平台层上共形地沉积阻挡层。在阻挡层上形成光阻剂层。蚀刻光阻剂层直至暴露出阻挡层的多个暴露...
    2025-11-08
  • 图案的制造方法和使用其制造半导体器件的方法
    图案的制造方法和使用其制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202411457369.5
    本公开涉及图案的制造方法和使用其制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：隔离层， 其在第一方向和第二方向上限定多个有源区；波浪形图案的多个沟槽， 其在第一方向上延伸以穿过有源区和隔离层， 多个沟槽在第二方向上彼此间隔开；和埋栅结构， 其间...
    2025-11-08
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411609393.6
    公开了一种半导体器件， 所述半导体器件包括：第一沟道区域；第一电介质结构， 所述第一电介质结构位于所述第一沟道区域上；第一金属图案， 所述第一金属图案与所述第一电介质结构间隔开；以及第一偶极结构， 所述第一偶极结构位于所述第一金属图案与所述...
    2025-11-08
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510117465.3
    提供一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、以及位于第一电极与第二电极之间的电介质膜结构， 其中， 电介质膜结构包括第一铁电材料膜、第一插入膜、第二铁电材料膜和第一顺电材料膜， 第一铁电材料膜比第一顺电材料...
    2025-11-08
  • 具有外围电路区域的半导体装置
    具有外围电路区域的半导体装置_三星电子株式会社_202510342021.X
    根据本公开的示例实施例的半导体装置包括：包括存储器单元的存储器单元阵列区域， 存储器单元中的每一个包括单元晶体管和信息存储结构；以及外围电路区域， 其在水平方向上与存储器单元阵列区域间隔开。外围电路区域包括在第一水平上的上互连件、在垂直于水...
    2025-11-08
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510395994.X
    一种半导体器件， 其可以包括：第一沟道， 其位于衬底的第一区域上；第一栅极结构， 其围绕第一沟道的一部分；位线， 其位于第一沟道的第一侧并且电连接到第一沟道；电容器， 其位于第一沟道的第二侧并且电连接到第一沟道；第二沟道， 其位于衬底的第二...
    2025-11-08
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202411808039.6
    本公开涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法可以包括：在第一基板上形成第一层叠件， 第一层叠件包括与第一基板接触的第一表面和位于第一表面的相对侧的第二表面；在第一层叠件中形成锥形的第一开口， 第一开口从第二表面延...
    2025-11-08
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410418422.4
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备， 涉及半导体芯片技术领域， 旨在减小形成栅极层的难度。半导体结构中第一沟道结构贯穿第一介质层和第一栅极层， 第二沟道结构贯穿第一介质层和第二栅极层， 第一栅极层和第二栅极层同...
    2025-11-08
  • 存储器结构及其形成方法
    存储器结构及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511102621.5
    一种存储器结构及其形成方法， 其中存储器结构包括：衬底， 衬底表面具有阱区；浮栅， 浮栅位于阱区表面；复合隧穿氧化层， 复合隧穿氧化层包括：位于阱区表面的干氧化层、位于干氧化层表面的栅氧化层、以及位于栅氧化层表面的氮氧化层。本发明技术方案能...
    2025-11-08
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