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最新专利技术
  • 自动产生堆叠结构中的半导体晶粒的晶片标识符的方法、半导体元件以及使用该方法的存储器元件
    自动产生堆叠结构中的半导体晶粒的晶片标识符的方法、半导体元件以及使用该方法的存储器元件_南亚科技股份有限公司_202410809020.7
    本公开提供一种用于自动产生堆叠结构中的半导体晶粒的晶片标识符的方法。该方法包括以下步骤：取得一第一半导体晶粒和一第二半导体晶粒， 其中该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒分别包括一第一标识符产生电路和一第二标识符产生电路；通过将该第二半导体晶...
    2025-11-07
  • 包括水平排列的存储器晶粒的半导体结构及其制备方法
    包括水平排列的存储器晶粒的半导体结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202410767537.4
    本公开提供一种半导体结构， 包括一逻辑晶圆；一第一正面重分布层(RDL)， 设置在该逻辑晶圆上方；一第一存储器晶粒， 设置在该第一正面重分布层上方；一第二存储器晶粒， 设置在该第一正面重分布层上方， 其中该第一存储器晶粒与第二存储器晶粒呈水...
    2025-11-07
  • 芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备
    芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410433100.7
    本申请实施例提供一种芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备， 涉及半导体技术领域， 用于提高芯片堆叠结构的空间利用率。芯片堆叠结构包括电路结构层、芯片层和电子元件， 芯片层位于电路结构层上。芯片层包括多个芯片， 多个芯片并排设置， 且相邻两个芯...
    2025-11-07
  • 半导体器件及制造半导体器件的方法
    半导体器件及制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202411565833.2
    本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件可以包括：行线；与行线交叉的第一列线；与行线交叉的第二列线；第一存储单元， 位于行线和第一列线之间并且包括与第一列线相邻的第一可变电阻图案和与行线相邻的第一开关图案；以及第二存储单元...
    2025-11-07
  • 铪基铁电三维存储器件及其制备方法和应用
    铪基铁电三维存储器件及其制备方法和应用_中国人民解放军海军军医大学_202511252628.5
    本发明属于先进存储领域， 具体涉及铪基铁电三维存储器件及其制备方法和应用。铪基铁电三维存储器件按照如下步骤制备：准备衬底， 于衬底上沉积底电极， 于底电极上沉积隔离层， 以底电极和隔离层为电极单元， 由下至上依次沉积若干电极单元， 得到铪基...
    2025-11-07
  • 一种铁电存储器及其制备方法
    一种铁电存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202510739587.6
    本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法。一种铁电存储器， 其包括反铁电电容， 所述反铁电电容包括依次堆叠的底电极、反铁电层和顶电极；其中， 反铁电层采用HZO， 并且铪Hf与锆Zr的摩尔比为2 : 8～3 : 7。本发明能够解决铁电存储器破坏...
    2025-11-07
  • 存储器阵列解码及互连件
    存储器阵列解码及互连件_美光科技公司_202510949235.3
    本申请案涉及存储器阵列解码及互连件。薄膜晶体管可存取安置成交叉点架构的两个或更多个存储器单元层面。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的一或多个通路图案， 其可促进在所述复合堆叠内构建所述薄膜晶体管， 同时使用数目减少的处理步骤。通过利...
    2025-11-07
  • 铁电内存结构
    铁电内存结构_闳康科技股份有限公司_202510077391.5
    一种铁电内存结构， 其包括：第一铁电材料层以及第一金属化合物层， 紧接贴附于第一铁电材料层的表面上， 第一金属化合物层是经由原子层沉积的方式沉积形成。铁电内存结构应用于铁电内存组件， 可实现低电压、高速操作且高可靠度的特性。
    2025-11-07
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410399905.4
    本申请提供一种芯片及其制备方法、电子设备， 可以提高铁电层的铁电性能、以及铁电电容的数据保持能力， 使得包含铁电电容和晶体管的芯片满足更多应用场景的需求。该芯片包括衬底、晶体管和铁电电容， 铁电电容设置于晶体管背离衬底的一侧， 晶体管通过前...
    2025-11-07
  • 三维半导体存储器件及包括该三维半导体存储器件的电子系统
    三维半导体存储器件及包括该三维半导体存储器件的电子系统_三星电子株式会社_202411599838.7
    提出了一种三维半导体存储器件及包括该三维半导体存储器件的电子系统。三维半导体存储器件可以包括：晶体管阵列， 在衬底上包括多个晶体管；第一保护接触插塞， 延伸到晶体管之间的区域中；第二保护接触插塞， 设置成包围晶体管阵列；以及杂质区， 在第一...
    2025-11-07
  • 存储器设备和制造该存储器设备的方法
    存储器设备和制造该存储器设备的方法_爱思开海力士有限公司_202411693275.8
    本公开涉及存储器设备和制造该存储器设备的方法。提供了存储器设备和制造方法。该存储器设备包括：第一栅极导电图案， 其设置在单元区域和字线接触区域内并且在第一方向上延伸；以及第二栅极导电图案， 其与第一栅极导电图案顺序地设置并且在第一方向上延伸...
    2025-11-07
  • 三维堆叠半导体设备
    三维堆叠半导体设备_长江存储科技有限责任公司_202410396443.0
    提供了用于半导体设备的系统、设备和方法。在一个方面中， 一种半导体设备包括第一半导体结构。第一半导体结构包括沿第一方向延伸的多个第一沟道结构、以及多个连接结构。每个连接结构包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域和第一导电类型的第...
    2025-11-07
  • 垂直存储器装置及其制造方法
    垂直存储器装置及其制造方法_三星电子株式会社_202510392704.6
    一种垂直存储器装置， 包括：第一沟道， 位于衬底上并在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上延伸；第一电荷存储结构， 包括在基本平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上顺序地堆叠在所述第一沟道的外侧壁上的第一隧道绝缘图案、第一电荷存储图案和第一阻...
    2025-11-07
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_202411736712.X
    一种半导体存储器装置包括：数据存储层；字线， 其与数据存储层交叠；以及阻挡绝缘层， 其插置在数据存储层和字线之间并且包括超晶格结构。
    2025-11-07
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411383907.0
    本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可以包括：层叠体， 该层叠体包括交替层叠的绝缘层和牺牲层；层间绝缘层， 该层间绝缘层设置在所述层叠体上；绝缘插塞， 该绝缘插塞穿过所述层叠体和所述层间绝缘层；以及接触插塞， 该接触插...
    2025-11-07
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410412928.4
    一种半导体结构的形成方法， 包括：提供衬底， 衬底包括存储区和外围区；在存储区的衬底上形成浮栅结构；在浮栅结构上形成氮化物层；在氮化物层上形成第一氧化物层， 且在形成第一氧化物层的步骤中， 在外围区的衬底上形成第二氧化物层。本发明实施例的第...
    2025-11-07
  • 非易失性存储器装置
    非易失性存储器装置_三星电子株式会社_202510103178.7
    一种非易失性存储器装置， 包括半导体衬底， 该半导体衬底包括单元区域、坝区域和阶梯区域。非易失性存储器装置包括栅极堆叠、多个第一沟道结构、虚设沟道结构、字线切口、至少一个串选择线、多个第二沟道结构、串选择线切口、掩埋结构、坝结构、位于字线切...
    2025-11-07
  • 存储器组件及半导体组件的制造方法
    存储器组件及半导体组件的制造方法_华邦电子股份有限公司_202510011257.5
    本发明提供一种存储器组件及半导体组件的制造方法。存储器组件包括：位于衬底上的多个第一堆叠结构、多个第二堆叠结构、介电结构以及衬层。多个第一堆叠结构之间具有第一开口。多个第二堆叠结构之间具有第二开口。介电结构覆盖在多个第一堆叠结构与第二堆叠结...
    2025-11-07
  • 快闪存储器及其制造方法
    快闪存储器及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202410521444.3
    本发明提供了一种快闪存储器及其制造方法， 快闪存储器包括具有多个有源区域的衬底以及多个存储单元。各存储单元包括下栅极、形成于下栅极上的栅极间介电层以及形成于栅极间介电层上的上栅极。下栅极包括位于衬底上方的第一部分以及嵌置于第一部分中的第二部...
    2025-11-07
  • 存储器结构及其形成方法
    存储器结构及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511102621.5
    一种存储器结构及其形成方法， 其中存储器结构包括：衬底， 衬底表面具有阱区；浮栅， 浮栅位于阱区表面；复合隧穿氧化层， 复合隧穿氧化层包括：位于阱区表面的干氧化层、位于干氧化层表面的栅氧化层、以及位于栅氧化层表面的氮氧化层。本发明技术方案能...
    2025-11-07
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