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最新专利技术
  • 半导体封装件以及制造半导体封装件的方法
    半导体封装件以及制造半导体封装件的方法_三星电子株式会社_202510203034.9
    提供半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：半导体芯片， 在半导体芯片中电极形成在芯片基底的第一表面上；透明基底， 包括布线层；柱电极， 通过布线层电连接到电极；以及包封树脂层， 覆盖布线层， 其中， 柱电极通过第一导...
    2025-11-04
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510401354.5
    一种半导体封装件可包括：半导体芯片， 包括基底的第一表面上的电极， 第一表面是光入射表面；贯穿孔， 从基底的第二表面延伸到电极， 基底的第二表面与基底的第一表面相对；布线层， 在第二表面上， 并且通过贯穿孔电连接到电极；柱电极， 电连接到布...
    2025-11-04
  • 照度传感器和包括该照度传感器的显示设备
    照度传感器和包括该照度传感器的显示设备_三星显示有限公司_202510353311.4
    提供了照度传感器和包括照度传感器的显示设备。照度传感器包括：读出线， 设置在衬底上， 并且在第一方向上延伸；光接收元件， 设置在读出线上；第一传感器晶体管， 配置成基于作为光接收元件的第一电极的传感器节点的电压来控制感测电流；第二传感器晶体...
    2025-11-04
  • Ⅱ型能带排列的垂直结构p+-NiO/p--NiO/GaN光伏探测器及其制备方法
    Ⅱ型能带排列的垂直结构p+-NiO/p--NiO/GaN光伏探测器及其制备方法_南京市市政设计研究院有限责任公司_202510949572.2
    本发明公开了一种基于Ⅱ型能带的p+‑NiO/p‑‑NiO/GaN垂直结构光伏探测器。其结构包括：n‑GaN衬底、位于衬底上方的i‑GaN吸收层、位于吸收层上方的p‑‑NiO层和p+‑NiO欧姆接触层、以及i‑GaN上设有的AlN窗口层、阳极...
    2025-11-04
  • 光伏组件及其制造方法
    光伏组件及其制造方法_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511179235.6
    本申请提供一种光伏组件及其制造方法， 该光伏组件包括多片电池片和多条用于连接相邻两片电池片的焊带， 其中， 相邻两片电池片中一者的正面与另一者的背面部分重叠；每条焊带包括沿第一方向依次连接的第一焊带分段、第二焊带分段和第三焊带分段， 第一焊...
    2025-11-04
  • 太阳能电池模块以及中继馈线
    太阳能电池模块以及中继馈线_丰田自动车株式会社_202510261971.X
    本发明提供一种太阳能电池模块以及中继馈线。太阳能电池模块具有中继馈线。中继馈线具有：第一中继馈线， 其包括与第一太阳能单电池的第一汇流条电极相连接的第一电极、与第二太阳能单电池的第四汇流条电极相连接的第二电极、以及对第一电极与第二电极进行连...
    2025-11-04
  • 一种太阳能光伏板
    一种太阳能光伏板_广东隆光照明电器有限公司_202510924566.1
    本发明公开了一种太阳能光伏板， 包括第一柔性层、底板层、透明的第二柔性层；底板层包括多块排列设置的子板， 所有的子板设置于第一柔性层， 且相邻两块子板能够在相互共面的状态与呈夹角的状态之间切换， 每块子板背离第一柔性层的一侧均设置有太阳能晶...
    2025-11-04
  • 一种基于金属网格铜电极的HJT太阳能电池
    一种基于金属网格铜电极的HJT太阳能电池_深圳市志凌伟业光电有限公司_202510910120.3
    本发明公开了一种基于金属网格铜电极的HJT太阳能电池， 包括N型单晶硅衬底， 且正面和背面分别制绒处理， N型单晶硅衬底的正面依次层叠设置有I型非晶硅层、P型非晶硅层， N型单晶硅衬底的背面依次层叠设置有I型非晶硅层、N型非晶硅层；P型非晶...
    2025-11-04
  • 一种Ⅲ族氯化物非原位掺杂的碲化镉薄膜太阳能电池及制备方法
    一种Ⅲ族氯化物非原位掺杂的碲化镉薄膜太阳能电池及制备方法_中茂绿能科技(西安)有限公司_202510979204.2
    本发明公开了一种Ⅲ族氯化物非原位掺杂的碲化镉薄膜太阳能电池及制备方法， 所述碲化镉薄膜太阳能电池包括自下而上依次设置的衬底层、透明导电氧化物薄膜层、高阻缓冲层、电池窗口层、电池层、背接触层与背电极层， 电池层包括吸收层以及涂覆在电池窗口层上...
    2025-11-04
  • TBC电池及其制备方法
    TBC电池及其制备方法_TCL中环新能源科技股份有限公司_202510983225.1
    本发明提供了一种TBC电池及其制备方法， 涉及太阳能电池技术领域。所述TBC电池包括：硅基底， 所述硅基底的背面包括至少一个N区、至少一个P区；所述N区上设置有N型掺杂多晶硅层， 所述P区上设置有P型掺杂多晶硅层；所述N区和P区之间设置有隔...
    2025-11-04
  • 通用栅极保护二极管
    通用栅极保护二极管_意法半导体国际公司_202510421232.2
    本公开的实施例涉及通用栅极保护二极管。实施例金属氧化物半导体(MOS)设备包括：MOS电容器， 该MOS电容器具有阱和栅极， 该MOS电容器被设置在第一掺杂类型的半导体衬底中；以及栅极保护二极管， 该栅极保护二极管被设置在半导体衬底中。该栅...
    2025-11-04
  • 集成电路和制造集成电路的方法
    集成电路和制造集成电路的方法_三星电子株式会社_202510224091.5
    提供了集成电路和制造集成电路的方法。所述集成电路包括：标准单元；第一电力线， 在第一方向上延伸并且向标准单元提供第一电源电压；以及第二电力线， 在第一方向上延伸并且向标准单元提供第二电源电压， 第一电力线和第二电力线在与第一方向垂直的第二方...
    2025-11-04
  • 包括对角线电源图案的集成电路及其制造方法
    包括对角线电源图案的集成电路及其制造方法_三星电子株式会社_202510216204.7
    一种集成电路， 包括：标准单元；电力轨， 在第一布线层中在第一方向上延伸并被配置为向标准单元供电；以及上部电源图案， 设置在第一布线层上方的第二布线层中。上部电源图案包括在第一方向上延伸的多个矩形上部电源贴片， 并被配置为向电力轨供电。多个...
    2025-11-04
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社日本显示器_202510278971.0
    本发明涉及半导体装置及其制造方法。实现即使是微细的像素电路也不会对电路动作造成不良影响的半导体装置。半导体装置具有：半导体层；与前述半导体层对置、并且具有第1阶差部的栅电极；前述半导体层与前述栅电极之间的栅极绝缘层；前述栅电极之上的第1绝缘...
    2025-11-04
  • 固态断路器
    固态断路器_深圳平湖实验室_202511277185.5
    本公开提供的固态断路器， 包括P型晶体管， P型晶体管包括4H‑SiC衬底， 位于4H‑SiC衬底的硅面所在侧的第一3C‑SiC层， 以及位于第一3C‑SiC层远离4H‑SiC衬底的一侧的第一栅极、第一源极和第一漏极；N型晶体管， N型晶体...
    2025-11-04
  • 包括鳍形有源区的集成电路器件
    包括鳍形有源区的集成电路器件_三星电子株式会社_202411927529.8
    一种集成电路器件包括鳍形有源区。成对的下沟道区设置在有源区上。成对的上沟道区设置在下沟道区的上部上。下源极/漏极区形成在有源区上， 并且接触成对的下沟道区。上源极/漏极区形成在下源极/漏极区上， 并且接触成对的上沟道区。上源极/漏极区包括接...
    2025-11-04
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510400690.8
    提供了一种半导体装置和制造半导体装置的方法， 所述半导体装置包括具有在FEOL工艺中形成的硅化物层的背侧接触结构。所述方法包括：在基底上形成沟道结构；在基底中形成占位结构；在占位结构上形成硅化物层；基于沟道结构在硅化物层上形成源极/漏极区域...
    2025-11-04
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202411810683.7
    本申请公开了半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：从衬底延伸的衬底部分、设置在衬底部分之上的半导体层、围绕半导体层的至少部分的栅极结构、以及设置在半导体层上的第一电介质间隔件和第二电介质间隔件。栅极结构的部分设置在第一电介质间隔件和第二电...
    2025-11-04
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411590282.5
    一种半导体器件包括：衬底；在衬底上的有源图案， 有源图案包括彼此间隔开并且垂直堆叠在彼此上的多个沟道图案；在所述多个沟道图案的至少一侧上的源极/漏极图案；围绕所述多个沟道图案的栅电极， 栅电极包括在所述多个沟道图案中的相邻沟道图案之间的下部...
    2025-11-04
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510128686.0
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在衬底之上形成第一多层堆叠和第二多层堆叠。第一和第二多层堆叠包括：多个间隔开的纳米片， 沿堆叠的第一方向布置；以及电介质间隔件， 设置在相邻纳米片之间。在第一多层堆叠和第二多层堆叠...
    2025-11-04
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