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  • 本申请涉及功率半导体封装及其制造方法。功率半导体封装包括:基底,其定义有单元区以及围绕所述单元区的外围区,且包括衬底和位于所述衬底上方的外延层;结接层,其设置于所述外围区内且位于所述外延层上方;势垒层,其设置于所述单元区内且位于所述外延层上...
  • 本公开的实施例提供了一种转移基板及发光基板的制备方法,涉及显示技术领域,用于提高发光基板的制备效率。该转移基板包括第一衬底和多个粘接件。多个粘接件设置于第一衬底上,且被配置为粘接发光器件;粘接件在第一预设温度下的黏着力为第一黏着力,粘接件在...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,该制造方法在以多晶硅栅极为掩膜,刻蚀去除所述多晶硅栅极暴露出的栅氧化层之后,且在进行后续结构的制造工序之前,采用包含第一离子的掺杂离子进行倾斜离子注入,从而使第一离子至少被注入到所述栅氧化层边缘与所述衬...
  • 本发明公开了一种预检分诊流程的确定方法和应用方法,包括:定义患者类型,患者类型包括第一特征和第二特征;确定预检分诊用户信息,定义用户信息组的名称、属性和内容;所述用户信息组的内容包括一项或多项用户信息;所述用户信息组的属性包括采集来源、优选...
  • 本公开的实施例提供查询处理方法、装置、设备和可读介质。该方法包括:至少基于目标文档的结构信息和目标文档的语义分析结果,将目标文档分割为多个文档片段,结构信息至少指示目标文档的层级结构;以及生成多个文档片段各自的文档向量化表示,以用于执行针对...
  • 本申请提供了一种测试脚本生成方法、装置、设备及存储介质,其中,该方法包括:将测试用例的具体命令与库函数调用签名库中的模式命令匹配,确定匹配成功的模式命令对应的待选库函数调用签名,然后将待选库函数调用签名的模式命令与具体命令进行匹配,再根据模...
  • 本发明公开了一种针对Foxn1基因缺陷的体外诱导造血干细胞向T淋巴细胞分化的专用培养基、试剂盒及其应用,涉及细胞培养技术领域。该发明的包括一种简化且高效的培养基组合和培养流程,通过将复杂试剂配制过程优化为两种独立包装试剂盒,显著降低了类器官...
  • 本发明公开了一种良外观耐蠕变的聚丙烯复合材料及制备方法和应用,涉及高分子材料技术领域。本发明的良外观耐蠕变的聚丙烯复合材料以高分子量共聚聚丙烯作为基体树脂,本身具有较高的分子缠结程度,高长径比无机填料贯穿缠结到高分子量聚丙烯分子链间,分子链...
  • 本申请涉及一种转印装置、转印系统和太阳能电池。转印装置包括第一传动带、驱动模块和压印模块,第一传动带的外表面设有栅线图形;驱动模块用于沿第一旋转方向以预设线速度旋转,以带动第一传动带向电池片传送所述栅线图形;压印模块用于沿第一旋转方向以预设...
  • 本申请涉及一种图案转印设备、方法和太阳能电池。设备,包括:输送机构,用于提供衬底;加热装置,包括腔体和位于腔体内的红外加热器件,用于接收输送机构提供的衬底,并在腔体内利用红外加热器件加热衬底;驱动单元和压印机械,驱动单元用于将经加热装置加热...
  • 一种焊接工装以及焊接方法,焊接工装包括基座;基座包括第一环壁部、第二环壁部;第一环壁部与第二环壁部相隔一段大于零的距离,定义第一环壁部、第二环壁部的排列方向为焊接工装的轴向;第一环壁部沿焊接工装的周向设置且朝向焊接工装的径向内侧;第二环壁部...
  • 本发明属于工业炉壳体结构用钢焊接技术领域,尤其涉及一种炉壳壳体结构用钢ALK490的焊接方法,其特征在于,通过调节焊前预热温度,按接头形式、板厚,确定坡口形式及焊接方法,再针对接头形式、坡口形式和焊接方法选用合适的焊接材料,具体操作如下:1...
  • 该方向性电磁钢板的制造方法具有热轧工序、热轧板退火工序、冷轧工序、脱碳退火工序、分离剂涂布工序、成品退火工序、表面处理工序、热氧化‑还原退火工序和张力赋予绝缘被膜形成工序,所述热氧化‑还原退火工序包含下述过程:一次升温过程,其将表面处理钢板...
  • 本发明涉及一种用于对人造板的边缘和/或倒棱进行密封和覆层的组合物,所述组合物包括至少一种膨胀剂和至少一种添加剂,所述添加剂由如下构成:通式(I)R1 aSiX1
  • 提供了一种多层表面保护膜以及制造和使用此类膜的方法。该表面保护膜具有第一和第二热塑性聚氨酯(TPU)层以及位于第一和第二TPU层之间的中间乙烯醋酸乙烯酯(EVA)层。使用第一和第二TPU层作为外层有助于膜的光学透明度。TPU层可以具有不同的...
  • 本申请公开了一种芯片结构及显示基板,属于显示技术领域。芯片结构,包括:第一衬底、发光单元、色转换单元和第一围坝。由于第一围坝是环绕色转换单元设置的,且该第一围坝是分布在第一衬底和第一封装层之间的,该第一围坝在第一衬底上的正投影位于第一封装层...
  • 本申请提供了一种LED芯片结构,包括:N电极;第一外延发光结构,第一外延发光结构位于N电极的一侧;第一氧化物层,第一氧化物层位于第一外延发光结构的远离N电极的一侧;第二氧化物层,第二氧化物层位于第一氧化物层的远离第一外延发光结构的一侧;第二...
  • 本发明涉及一种基于宽光谱复合减反膜的太阳能电池结构及制备,研制的宽光谱复合减反膜是由20层不同折射率膜材上下交替构成的膜系结构,利用干涉相消来减少电池表面反射光,在400nm‑1100nm波长范围内对垂直入射光的最小反射率低至0.34%,平...
  • 本申请涉及一种光伏电池的电极转印方法和光伏电池。该方法包括:获取光伏电池基板,其中,光伏电池基板沿厚度方向上的第一侧面上印制有接触电极层;获取转印基板,其中,转印基板的第一侧面上开设有凹槽;在转印基板的第一侧面的凹槽内填充电极浆料,形成电极...
  • 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备及车辆。其中,半导体器件包括:衬底;介质层,介质层设于衬底上;第一钝化层,第一钝化层设于介质层背离衬底的一侧;第一导电层,第一导电层与第一钝化层设于衬底的同一侧,且第一导电层的部分层叠于...
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