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最新专利技术
  • 显示面板
    显示面板_成都辰显光电有限公司_202410134940.3
    本发明公开了一种显示面板，其属于显示技术领域，显示面板包括多个阵列排布的像素单元，每个所述像素单元均包括多个子像素，所述子像素具有长度方向和宽度方向；每个所述像素单元中的多个所述子像素均沿行方向间隔排布，每行所述像素单元中的至少一个所述子像...
    2025-08-23
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_成都辰显光电有限公司_202410135584.7
    本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括基板、驱动电路层、若干第二金属走线以及挡墙结构。其中，驱动电路层包括若干延伸至边框区的第一金属走线；若干第二金属走线位于边框区且设置于基板的侧表面并朝向基板的上表面一侧延伸，且若干第...
    2025-08-23
  • 一种跨境电商客服服务邮件转工单方法和系统
    一种跨境电商客服服务邮件转工单方法和系统_钰真(上海)信息技术有限公司_202410125500.1
    一种跨境电商客服服务邮件转工单方法，包括以下步骤：步骤S1：配置服务器和数据库，用于接收和存储客户发送的电子邮件和相关信息；步骤S2：自动提取邮件中的关键信息；步骤S3：根据提取的关键信息生成相应的工单，并将邮件内容与工单关联；步骤S4：将...
    2025-08-23
  • 数据构建方法、模型训练方法、信息处理方法以及设备
    数据构建方法、模型训练方法、信息处理方法以及设备_阿里巴巴(中国)有限公司_202410133816.5
    本申请提供一种数据构建方法、模型训练方法、信息处理方法以及设备，其中方法包括：获取初始数据集，所述初始数据集中的初始数据包括基础信息、基础信息对应的至少一个关联信息、以及各关联信息对应的行为信息，所述行为信息用于表示用户针对关联信息的行为；...
    2025-08-23
  • 数据处理方法、系统及装置
    数据处理方法、系统及装置_杭州阿里云飞天信息技术有限公司_202410133398.X
    本说明书实施例提供数据处理方法、系统及装置，其中所述数据处理方法包括：获取关联存储设备的多源日志数据，其中，所述多源日志数据包含至少两种业务类型的子日志数据；基于所述多源日志数据构建日志特征矩阵，并将所述日志特征矩阵输入至类型识别模型，获得...
    2025-08-23
  • 一种信息处理方法、装置、电子设备、计算机可读介质
    一种信息处理方法、装置、电子设备、计算机可读介质_北京字跳网络技术有限公司_202410131299.8
    本申请公开了一种信息处理方法、装置、电子设备、计算机可读介质，该方法包括：在获取到需求描述信息之后，先根据该需求描述信息的语义是否清楚，生成分析结果；再依据该分析结果，确定该需求描述信息是否属于模糊需求类；响应于该需求描述信息属于模糊需求类...
    2025-08-23
  • 一种项目代码中的内存问题的检测方法和相关设备
    一种项目代码中的内存问题的检测方法和相关设备_华为技术有限公司_202410131753.X
    本申请提供了一种项目代码中的内存问题的检测方法和相关设备。该方法包括：获得项目代码；对项目代码进行编译，确定项目代码中的至少一个内存接口；根据至少一个内存接口，确定每个内存接口对应的内存的信息；根据每个内存接口对应的内存的信息，确定项目代码...
    2025-08-23
  • 用于数据中心的分布式电力单元
    用于数据中心的分布式电力单元_微软技术许可有限责任公司_202480006214.1
    公开了用于向数据中心提供辅助电力的技术，数据中心通常由电力公用设施服务。该系统包括控制器、第一模组和第二模组。公共DC母线在DC侧将第一模组耦合到第二模组。公共AC母线将第一模组耦合到AC侧上的第二模组(例如，模组的输出)。AC断路器被设置...
    2025-08-23
  • 微型发光二极管及其制备方法和显示面板
    微型发光二极管及其制备方法和显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202410138154.0
    本发明提供一种微型发光二极管及其制备方法和显示面板。该微型发光二极管，包括：基板，第一电极和第二电极，第一电极和第二电极依次叠置于基板的一侧，还包括Ga极性外延部和多个N极性外延部，位于第一电极和第二电极之间，N极性外延部和Ga极性外延部同...
    2025-08-23
  • 一种IBC电池及其制备方法
    一种IBC电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410139975.6
    本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明实施例中，硼掺杂后进行激光掺杂处理，可以在正极栅线与硅片接触的第一区域进行高浓度硼掺杂，而在其他区域进行低浓度掺杂，既降低了硅片和正极栅线之间的接触电阻，又降低了寄生吸收及表面复合，...
    2025-08-23
  • 一种光伏电池组件、光伏电池装置、光伏电池系统及光伏电池组件的制作方法
    一种光伏电池组件、光伏电池装置、光伏电池系统及光伏电池组件的制作方法_华为技术有限公司_202410144610.2
    本申请实施例涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种光伏电池组件、光伏电池装置、光伏电池系统及光伏电池组件的制作方法。本申请实施例旨在解决光伏电池产生的电压较低的问题。本申请实施例提供了一种光伏电池组件，包括导电层、第一电池单元以及第二电池单元。...
    2025-08-23
  • 集成电路及其制备方法、功率放大电路及电子设备
    集成电路及其制备方法、功率放大电路及电子设备_华为技术有限公司_202410142456.5
    本申请实施例提供一种集成电路及其制备方法、功率放大电路及电子设备，涉及半导体技术领域，用于减少寄生电容和寄生电感，提高集成电路的性能。集成电路包括衬底、HEMT器件和第一匹配电路。HEMT器件包括外延层、栅极、第一极、第二极和第一焊盘，栅极...
    2025-08-23
  • 一种晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
    一种晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410138003.5
    本发明公开了一种晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，以改善有源层坡度角过大时，上方绝缘层容易发生断裂，进而导致水汽入侵，致使发生显示不良的问题。所述晶体管包括：衬底，以及位于所述衬底一侧的有源层，以及位于所述有源层背离所述衬底一侧、且与...
    2025-08-23
  • 环栅晶体管及其制备方法、电子设备
    环栅晶体管及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410144735.5
    本申请提供一种环栅晶体管及其制备方法、电子设备。其中，环栅晶体管包括衬底、多个沟道层、多个栅极功能层、多个第一隔离部、源极和漏极，每个沟道层的相对两侧具有第一侧面和第二侧面，每个第一隔离部包括第一隔离层和第二隔离层，第一隔离层具有第一面，第...
    2025-08-23
  • 晶体管、集成电路、电子设备以及晶体管的制造方法
    晶体管、集成电路、电子设备以及晶体管的制造方法_华为技术有限公司_202410157287.2
    本申请的实施例提供了一种晶体管、集成电路、电子设备以及晶体管的制造方法，涉及半导体器件技术领域。该晶体管可以同时实现较小的尺寸与较大的导通电流。该晶体管包括：有源区；有源区中包括源区、沟道区以及漏区；晶体管还包括：设置于沟道区上的绝缘层，以...
    2025-08-23
  • 半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备
    半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备_华为技术有限公司_202410148645.3
    本申请实施例提供一种半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高半导体器件的击穿电压。该半导体器件包括：沟道层；势垒层，势垒层覆盖沟道层；钝化层，钝化层覆盖势垒层，钝化层的第一区域延伸至势垒层内部；栅极结构，栅极结...
    2025-08-23
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410146527.9
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低半导体结构的记忆效应。半导体结构包括由层叠设置的沟道层和势垒层组成的外延叠层，设置于势垒层远离沟道层一侧的源极、栅极以及漏极，设置于源极和漏极之间的离子注入区...
    2025-08-23
  • 半导体开关器件及制作方法、晶圆、封装结构及电子设备
    半导体开关器件及制作方法、晶圆、封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202410146486.3
    本申请实施例提供一种半导体开关器件及制作方法、晶圆、封装结构及电子设备，涉及半导体技术领域，用于在满足功率开关器件击穿电压要求的情况下，降低功率开关器件的导通电阻。该半导体开关器件包括衬底、沟道层、势垒层、至少一个晶体管以及再生长半导体层。...
    2025-08-23
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410144757.1
    本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低栅极漏电，提高器件稳定性和可靠性。半导体器件包括衬底、异质结构、栅帽层、栅极和阻隔层。异质结构位于衬底上。栅帽层位于异质结构远离衬底的一侧。栅帽层包括朝向异质...
    2025-08-23
  • 功率半导体封装及其制造方法
    功率半导体封装及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202410137256.0
    本申请涉及功率半导体封装及其制造方法。功率半导体封装包括：基底，其定义有单元区以及围绕所述单元区的外围区，且包括衬底和位于所述衬底上方的外延层；结接层，其设置于所述外围区内且位于所述外延层上方；势垒层，其设置于所述单元区内且位于所述外延层上...
    2025-08-23
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