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最新专利技术
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410285832.6
    本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备， 图像传感器制备包括：提供包括器件功能层的半导体基底， 器件功能层中形成有电性改性层， 电性改性层朝向半导体基底的第二面的一侧显露于器件功能层；于器件功能层中制备器件隔离区， 器件隔离区远离半...
    2025-10-28
  • Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器
    Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202511188486.0
    本申请提供了一种Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器， 属于红外焦平面阵列芯片领域；解决了现有技术台面刻蚀深度较深导致红外焦平面阵列芯片的表面漏电流较大的问题；该方法包括以下步骤：外延材料生长和清洗；硬掩膜沉积、台面光刻和刻...
    2025-10-28
  • 异质集成单行载流子光电探测器阵列以及制备方法和应用
    异质集成单行载流子光电探测器阵列以及制备方法和应用_西南交通大学_202510800829.8
    本发明公开了一种异质集成单行载流子光电探测器阵列及其制备方法和应用， 在薄膜铌酸锂平台上制备脊波导及多模干涉耦合器结构， 采用1×N多模干涉耦合器， 通过N个波导向光电探测器馈送光信号；外延层结构采用金属有机化学气相沉积技术在半绝缘InP衬...
    2025-10-28
  • 一种图像传感器的制备方法及图像传感器
    一种图像传感器的制备方法及图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511235297.4
    本申请公开了一种图像传感器的制备方法及图像传感器， 图像传感器的制备方法包括：在衬底上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成抗蚀剂掩模层， 并且采用纳米压印工艺图案化抗蚀剂掩模层；经由图案化的抗蚀剂掩模层刻蚀硬掩模层以及衬底， 在衬底中形成深沟槽；...
    2025-10-28
  • 一种半导体结构及其制备方法、图像传感器及电子设备
    一种半导体结构及其制备方法、图像传感器及电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202511232816.1
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法、图像传感器及电子设备， 涉及半导体技术领域， 半导体结构包括：依次层叠设置的至少两个半导体基底；相邻两个半导体基底的键合表面包括导电网格结构， 导电网格结构包括分别位于两个半导体基底上的间隔排布的多条...
    2025-10-28
  • 半导体结构及其制备方法、图像传感器
    半导体结构及其制备方法、图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511221844.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、图像传感器， 所述半导体结构包括：衬底；衬底中形成有阱区；浅沟槽隔离结构， 浅沟槽隔离结构用于在所述阱区中定义像素单元；其中， 浅沟槽隔离结构与阱区之间还设置有对浅沟槽隔离结构的侧壁和底部形成包围的N...
    2025-10-28
  • 图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备
    图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511172933.3
    本申请公开了一种图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备。其中， 图像传感器的制备方法包括：提供一形成有浅槽隔离结构的衬底；在浅槽隔离结构的上方形成绝缘层；在绝缘层上形成多个间隔分布的隔离区域；在每个隔离区域形成具有双层的交错结构的光电二...
    2025-10-28
  • 背照式图像传感器制备方法、背照式图像传感器及电子设备
    背照式图像传感器制备方法、背照式图像传感器及电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511159111.1
    本申请涉及一种背照式图像传感器制备方法、背照式图像传感器及电子设备， 包括：提供衬底， 衬底内包括经由衬底的第一表面朝向衬底内延伸， 且沿平行于第一表面的第一方向间隔排布的多个第一隔离结构；于第一表面上形成第一SiP层， 以及沿朝向衬底的第...
    2025-10-28
  • 掩模及其形成方法、图像传感器的形成方法
    掩模及其形成方法、图像传感器的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510905170.2
    一种掩模及其形成方法、图像传感器的形成方法， 其中掩模的形成方法包括：在衬底上形成阻挡结构材料层；在所述阻挡结构材料层上形成图形化的光阻层；将所述光阻层的图形转移至所述阻挡结构材料层， 形成阻挡结构， 所述阻挡结构的平均刚度大于所述光阻层的...
    2025-10-28
  • 一种高深宽比沟槽单次外延填充方法
    一种高深宽比沟槽单次外延填充方法_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202510897211.8
    本发明提供了一种高深宽比沟槽单次外延填充方法， 根据外延沉积温度与沟槽变形温度的大小关系， 确定相应的外延沉积压力， 若外延沉积温度＞沟槽变形温度， 外延沉积压力为150～400Torr， 若外延沉积温度＜沟槽变形温度， 外延沉积压力为5～...
    2025-10-28
  • 一种半导体中子探测器及其制造方法
    一种半导体中子探测器及其制造方法_嘉善复旦研究院_202511177261.5
    本发明提供一种半导体中子探测器及其制造方法。一种半导体中子探测器， 包括：半导体衬底层；形成于所述半导体衬底层表面的沟槽阵列， 所述沟槽阵列在所述半导体衬底层表面限定出隔离于所述沟槽阵列的槽底区域的半导体台面区域；填充于所述沟槽阵列内的中子...
    2025-10-28
  • 基于双异质结纳米线网络的深紫外光电探测器及其制作方法
    基于双异质结纳米线网络的深紫外光电探测器及其制作方法_厦门大学_202510841141.4
    本发明公开一种基于双异质结纳米线网络的深紫外光电探测器及其制备方法， 包括由下到上的衬底、双异质结纳米线网络层和平行金属电极， 第一电极下方的双异质结纳米线网络层为铜芯纳米线并作为深紫外光电探测器的其中一个电极与第一电极电连接；其他区域下方...
    2025-10-28
  • 背照式倒装键合改进型单行载流子光电探测器及其封装
    背照式倒装键合改进型单行载流子光电探测器及其封装_西南交通大学_202510800758.1
    本发明公开了一种背照式倒装键合改进型单行载流子光电探测器及其封装方法， 在半绝缘磷化铟衬底上采用金属有机化学气相沉积技术外延生长层结构， 采用渐变掺杂的铟镓砷吸收层形成准电场， 以加速光生载流子的传输；引入两个铟镓砷磷四元层以缓解因InGa...
    2025-10-28
  • 焊带、串焊装置和光伏组件
    焊带、串焊装置和光伏组件_天合光能股份有限公司_202511221127.0
    本申请实施例提供一种焊带、串焊装置和光伏组件， 属于光伏电池生产技术领域。其中， 焊带包括至少两个侧面， 其中， 至少两个侧面中包括至少一个第一目标侧面， 第一目标侧面在至少一个目标区域镀设有磁性材料， 以使得第一目标侧面基于磁力件的吸附引...
    2025-10-28
  • 晶硅电池组件、制备方法及光伏系统
    晶硅电池组件、制备方法及光伏系统_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202511153356.3
    本申请公开了一种晶硅电池组件、制备方法及光伏系统， 属于太阳能电池技术领域。晶硅电池组件包括多个晶硅电池片， 多个晶硅电池片包括第一晶硅电池片和第二晶硅电池片， 第一晶硅电池片中的向光面设有第一连接件， 第二晶硅电池片的背光面设有第二连接件...
    2025-10-28
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源股份有限公司_202510950733.X
    本申请提供一种光伏组件， 涉及光伏技术领域， 光伏组件包括沿第一方向串联连接的两个电池串组， 电池串组包括第一电池串组和第二电池串组；第一电池串组包括多个并联连接的第一电池串， 第二电池串组包括多个并联连接的第二电池串， 所有第一电池串和所...
    2025-10-28
  • 一种层压单元及层压机
    一种层压单元及层压机_秦皇岛奥特维智远设备有限公司_202410243446.0
    本申请提供了一种层压单元及层压机， 包括上加热板、下加热板及压板， 其中：下加热板固定贴装在上加热板的下表面， 下加热板与上加热板之间形成有气腔， 上加热板上设置有与气腔连通的抽气孔， 下加热板上设置有若干与气腔连通的吸附孔， 吸附孔具有位...
    2025-10-28
  • 一种背面接触太阳能电池结构及其制造工艺
    一种背面接触太阳能电池结构及其制造工艺_泰州中来光电科技有限公司_202410376703.8
    本发明涉及光伏电池技术领域， 具体公开了一种背面接触太阳能电池结构及其制造工艺。其包括硅片， 所述硅片背面交替设有制绒面与抛光面， 所述制绒面上形成有P型掺杂区， 所述P型掺杂区以及抛光面上整面沉积隧穿氧化层与本征多晶硅， 所述本征多晶硅在...
    2025-10-28
  • 异质结电池
    异质结电池_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202510925067.4
    本发明公开了一种异质结电池， 所述异质结电池包括硅衬底及层叠于所述硅衬底至少一侧表面上本征叠层， 所述本征叠层包括与所述硅衬底一侧表面相接触的第一本征层及与所述第一本征层相接触的第二本征层， 所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量小于所...
    2025-10-28
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_湖北长江新型显示产业创新中心有限公司_202510898080.5
    本申请公开了一种显示面板及显示装置， 涉及显示技术领域， 该显示面板中， 氧化物薄膜晶体管包括位于衬底一侧的第一氧化物层和位于第一氧化物层背离衬底一侧的第二氧化物层， 这两层氧化物层并联连接于源极电极和漏极电极之间， 构成纵向上层叠且并联的...
    2025-10-28
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