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  • 本文提供了甲烷氧化菌(methanotroph)菌株, 其增强植物的早期生长、提高繁殖/移植活力、增加营养素摄取、改善成苗、提高抗逆性和/或增加植物利用营养素的能力。提供了包含此类菌株和任选地甲基营养菌(methylotroph)菌株的组合...
  • 本发明提供一种铁离子供给用铁基粉末, 通过二价铁离子的溶出使植物(作物)的生长改善, 并且, 通过这样的改善使得到的作物的收获量增加。其构成铁离子供给用铁基粉末的铁基粉末的使用Cu-Kα射线的X射线衍射的衍射峰中的与α-Fe晶体的(110)...
  • 本发明涉及一种新型室内空间杀虫喷雾组合物, 其包含氟氯氰菊酯(Renofluthrin)单独使用或者与至少一种其他杀虫剂组合使用, 其中所述至少一种其他杀虫剂选自氯氰菊酯、氯菊酯、氟虫腈、溴氰菊酯、高效氯氟氰菊酯和咪炔菊酯。具体而言, 本发...
  • 本发明涉及一种用于防控小麦作物中植物病原真菌的杀真菌组合。本发明还涉及一种用于防控小麦作物中真菌侵染的杀真菌组合, 其包含至少一种杀真菌剂, 所述杀真菌剂包含氟唑菌酰胺、丙硫菌唑和代森锰锌。本发明特别涉及一种防控小麦作物中真菌侵染的方法。
  • 公开了一种诱饵。所述诱饵包括头部、尾部、在头部内延伸到尾部的第一通道、从尾部延伸并且包括具有第一脚的第一腿、具有第二脚的第二腿的一对后腿, 第一脚连接到第二脚形成具有第二通道的脚主体。所述诱饵包括具有第一端部和第二端部的线, 所述第二端部设...
  • 一种宠物梳理工具, 该宠物梳理工具具有宠物可接合部分和手柄部分。宠物可接合部分包括具有第一刷特征的第一部段以及具有与第一刷特征不同的第二刷特征的第二部段。手柄部分固定至宠物可接合部分, 该手柄部分定尺寸成用于由人手抓握。毛皮去除机构从宠物可...
  • 本揭示内容提供一种圆柱形电容器。圆柱形电容器包括第一电极、介电层及第二电极。第一电极具有空心圆柱体的形状, 其中第一电极包括多个氧化的表面部分、多个第一含金属层及第一硬层。这些氧化的表面部分在第一电极的空心圆柱体的多个圆柱表面处。第一含金属...
  • 本发明提供了一种超导量子芯片及其制作方法, 涉及量子信息技术领域, 采用空气桥将超导结构中的第一超导层和第二超导层相连通, 进而消除了第一超导层和第二超导层之间的电势差和槽线模式, 提高了超导量子芯片的性能。本发明提供的桥面部的桥面宽度进行...
  • 本发明提供了一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法及半导体工艺设备, 涉及半导体技术领域, 为解决相关技术在刻蚀铌基约瑟夫森结的上层铌时, 存在刻蚀侧壁形貌垂直度差的问题而设计。该铌基约瑟夫森结刻蚀方法包括提供半导体器件, 半导体器件包括依次层叠设置的...
  • 本发明公开了一种超导硅通孔的制造方法、超导量子芯片。制造方法包括:提供衬底, 衬底具有相对的第一表面和第二表面;在衬底上形成从第一表面贯穿至第二表面的通孔;在第一表面、第二表面和通孔内壁形成超导种子层;在通孔内填入直径与通孔孔径相适配的超导...
  • 本申请公开了一种量子器件的制造方法和超导量子芯片, 属于量子比特芯片技术领域。量子器件的制造方法包括:提供衬底;在衬底表面沿第一方向设置一字结型约瑟夫森结;约瑟夫森结有垂直于第一方向上的两个正表面、平行于第一方向且垂直于衬底的两个侧表面、以...
  • 本发明公开了一种实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构及封装方法, 该方法先在驱动芯片外封装第一塑封层, 依次制作第一钝化层、重布线层、第二钝化层, 并在第二钝化层上制作高铜柱, 用正装或倒装将霍尔芯片贴装于第二钝化层实现芯片的异质集成...
  • 本公开的实施例涉及一种用于改进集成电路中磁阻层的粘附性的结构和方法。一种集成电路包含延伸到半导体衬底中的多个晶体管。互连迹线将所述晶体管电连接到顶部层级金属层中的第一端子(106)和第二端子(108)。第一氮化硅层(302)在所述顶部层级金...
  • 本发明提供一种可调整磁检测灵敏度的纵型霍尔元件。纵型霍尔元件(100)具有:P型半导体基板(10);N型外延层(30), 形成在P型半导体基板(10)的表面;电极组(110), 配置在N型外延层(30)的表面, 以直线状配置有电极(111~...
  • 本发明提供一种能够以高精度去除失调电压的纵型霍尔元件。形成在P型半导体基板(10)的表面的纵型霍尔元件(100)具有:N型外延层(30), 形成在P型半导体基板(10)的表面;电极组(110), 配置在N型外延层(30)的表面, 由电极(1...
  • 本发明公开了一种基于Fe2O3缓冲层的垂直磁性层电流驱动无磁场翻转的磁性随机存储器, 本发明能够实现无外磁场下磁化层的定向翻转, 属于自旋电子学领域。器件结构从下至上依次包括 : 反铁磁层Fe2O3, 自旋流产生层Pt, 具有垂直各项异性的...
  • 包括至少一个霍尔传感器(110)的半导体芯片(100)。该至少一个霍尔传感器(110)包括:在半导体衬底中的具有第一导电类型的导电阱(111);布置在导电阱(111)的表面处并且具有第一导电类型的多个阱触点(114);在导电阱(111)的表...
  • 本发明提供了一种基于人工反铁磁结构的超低功耗多态自旋纳米器件, 包括阵列排布的自旋单元, 在水平面内, 自旋单元包括对角设置的人工反铁磁结构和对角设置的人工铁磁结构, 两个人工反铁磁结构与两个人工铁磁结构相互连接, 人工反磁铁结构为输入端,...
  • 本申请公开了一种磁性范德华薄膜及其制备方法、应用, 具体涉及器件制备的领域。包括:设置生长条件, 在衬底表面依次外延生长预设层数的磁性范德华薄膜;其中, 在得到每层磁性范德华薄膜后, 对其进行原位的RHEED、结构和本征磁性的测量, 根据测...
  • 本发明提供一种包括第一铁磁层、第二铁磁层、非磁性层和基底层的磁阻效应元件。非磁性层位于第一铁磁层和第二铁磁层之间。第一铁磁层位于基底层和非磁性层之间。基底层包含Ta。第一铁磁层由CoαFeβXγPtδ表示, X为硼或碳, 满足α+β+γ+δ...
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