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最新专利技术
  • 具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构
    具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构_英特尔公司_202510231509.5
    本发明涉及具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构。描述了具有直接背侧源极或漏极接触部的集成电路结构。在示例中， 集成电路结构包括第一、第二和第三多个水平堆叠纳米线或鳍， 以及第一、第二和第三栅极堆叠。第一外延源极或漏极结构...
    2025-10-29
  • 具有到用于均匀栅格金属栅极和沟槽触点切口的链路的触点的集成电路结构
    具有到用于均匀栅格金属栅极和沟槽触点切口的链路的触点的集成电路结构_英特尔公司_202510230505.5
    描述了具有到用于均匀栅格金属栅极和沟槽触点切口的链路的触点的集成电路结构。一种结构包括在栅极电极和导电沟槽触点之间的电介质侧壁间隔件。第一和第二平行电介质切口插塞结构延伸穿过栅极电极、穿过电介质侧壁间隔件、并穿过导电沟槽触点。所述第二电介质...
    2025-10-29
  • 具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构
    具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构_英特尔公司_202510230418.X
    描述了具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构。例如， 一种集成电路结构包括横向位于第一栅极结构和第二栅极结构之间的绝缘结构， 其中， 所述绝缘结构从鳍或水平纳米线的第一垂直堆叠体以及鳍或水平纳米线的第二堆叠体上方...
    2025-10-29
  • 抑制n型外延源极-漏极晶体管中的外延畸形的掺杂剂工程
    抑制n型外延源极-漏极晶体管中的外延畸形的掺杂剂工程_英特尔公司_202510230414.1
    讨论了与在一个或多个半导体结构上形成外延n型源极和漏极材料相关的方法、晶体管和系统。n型源极和漏极材料包括主体材料中的n型掺杂剂。与一个或多个半导体结构横向相邻的每个n型源极和漏极材料的第一区域具有比第一区域上方的第二区域低的n型掺杂剂浓度...
    2025-10-29
  • 向MOSFET沟道提供高导电性接触界面和应变的源极和漏极结构
    向MOSFET沟道提供高导电性接触界面和应变的源极和漏极结构_英特尔公司_202510230412.2
    本文公开了向MOSFET沟道提供高导电性接触界面和应变的源极和漏极结构。外延源极和漏极结构向晶体管沟道提供应变。晶体管结构可以具有在基本上单晶的源极和漏极区域之间的沟道， 每个晶体区域具有衬层部分和居间部分两者。晶体区域可以是硅和锗制成的。...
    2025-10-29
  • 用于改善晶体管密度的零扩散中断
    用于改善晶体管密度的零扩散中断_英特尔公司_202510230253.6
    公开了集成电路(IC)装置中的逻辑单元之间的隔离中断。相邻沟道区域之间的源极‑漏极沟槽包括一对源极或漏极半导体主体， 所述源极‑漏极沟槽中的所述源极或漏极主体中的第一者连接到所述沟道区域中的第一者， 所述源极‑漏极沟槽中的所述源极或漏极主体...
    2025-10-29
  • 带状物互补FET(CFET)金属栅极多电压阈值集成
    带状物互补FET(CFET)金属栅极多电压阈值集成_英特尔公司_202510230228.8
    公开了带状物互补FET(CFET)金属栅极多电压阈值集成。一种堆叠互补场效应晶体管(CFET)装置包括底部接触区域和顶部接触区域。多个堆叠CFET装置在底部接触区域与顶部接触区域之间。多个堆叠CFET装置中的相应堆叠CFET装置包括在底部接...
    2025-10-29
  • 具有经调整的数量的有源纳米带的栅极全环绕装置
    具有经调整的数量的有源纳米带的栅极全环绕装置_英特尔公司_202510230209.5
    公开了具有经调整的数量的有源纳米带的栅极全环绕装置。公开了用于形成使纳米带(或其他半导体主体)的其总数的仅子集合参与到有源沟道区域中的半导体装置的技术。在示例中， 任何数量的半导体装置包括在第一方向上延伸的纳米带的集合， 以及在所述纳米带中...
    2025-10-29
  • 没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管
    没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管_英特尔公司_202510230181.5
    公开了没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管。本文中提供了用于形成具有代替电介质间隔物的将栅极结构与源极或漏极区域分开的半导体层的集成电路的技术。FET(场效应晶体管)包括具有处于栅极电介质上的栅极电极的栅极结构。栅极结构在半导体材料的任何数...
    2025-10-29
  • 使用注入物的选择性沟道宽度缩放
    使用注入物的选择性沟道宽度缩放_英特尔公司_202510222561.4
    公开了使用注入物的选择性沟道宽度缩放。一种集成电路包括源极区域和漏极区域以及主体， 主体包括在源极区域和漏极区域之间延伸的半导体材料。主体具有第一端部和第二端部以及在第一端部和第二端部之间的中间部分。主体包括注入物质， 主体的中间部分中的注...
    2025-10-29
  • 具有双向背侧互连的集成电路结构
    具有双向背侧互连的集成电路结构_英特尔公司_202510215065.6
    描述了具有双向背侧互连的集成电路结构。在示例中， 集成电路结构包括正侧结构， 正侧结构包括：具有多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍状物的晶体管的装置层， 以及位于装置层的多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍状物的晶体管上方的多个金属化层。背侧...
    2025-10-29
  • 背侧栅极切口形成
    背侧栅极切口形成_英特尔公司_202510215037.4
    本文公开了背侧栅极切口形成， 提供了一种用于形成集成电路的技术， 该集成电路具有由电介质壁分隔开的相邻对的半导体装置， 所述电介质壁是从结构的背侧形成的。相邻的半导体装置各自包括在源极区域与漏极区域之间延伸的半导体区域以及在相邻半导体装置的...
    2025-10-29
  • 用于分离相邻器件之间的栅极电介质的电介质墙
    用于分离相邻器件之间的栅极电介质的电介质墙_英特尔公司_202510215036.X
    本公开涉及用于分离相邻器件之间的栅极电介质的电介质墙。本文提供了用于形成半导体器件的技术， 该半导体器件包括相邻半导体器件之间的电介质墙， 其中， 相邻半导体器件的栅电极在电介质墙上方导电连接。相邻的第一半导体器件和第二半导体器件各自包括在...
    2025-10-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410331831.0
    一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构包括：器件鳍部， 位于器件区的衬底上；隔离层， 位于所述器件鳍部侧部的衬底上， 所述隔离层覆盖所述器件鳍部的部分侧壁， 且所述隔离层顶部低于所述器件鳍部的顶部；隔离鳍部， 位于所述隔离区的隔离层中， ...
    2025-10-29
  • 具有低效率注入阳极的反向导通IGBT器件及其制造工艺
    具有低效率注入阳极的反向导通IGBT器件及其制造工艺_意法半导体国际公司_202510358690.6
    本公开涉及具有低效率注入阳极的反向导通IGBT器件及其制造工艺。反向导通IGBT器件形成在具有第一导电类型的衬底的管芯中， 所述衬底在第一部分中容纳IGBT， 在第二部分中容纳二极管。所述IGBT具有体部结构；源区；沟槽‑栅极区；第一接触结...
    2025-10-29
  • 高压装置及其形成方法
    高压装置及其形成方法_新唐科技股份有限公司_202411406833.8
    本申请实施例提供一种高压装置及其形成方法, 高压装置包括：衬底， 具有第一导电类型；外延层， 设置于衬底上， 其中外延层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；埋层， 设置于衬底内；第一深阱区， 设置于外延层中且具有第二导电类型， 其中第一深...
    2025-10-29
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510095299.1
    一种半导体器件包括：具有第一表面和相反的第二表面的衬底， 穿透所述衬底的一对沟槽隔离， 在所述衬底中位于所述一对沟槽隔离之间并切彼此接触的第一阱区和第二阱区。所述半导体器件包括交替堆叠在所述第一阱区和所述第二阱区上的纳米片和牺牲电介质图案，...
    2025-10-29
  • 一种半导体集成器件及其制备方法
    一种半导体集成器件及其制备方法_深圳平湖实验室_202511229682.8
    本发明公开了一种半导体集成器件及其制备方法， 该半导体集成器件的制备方法包括：提供衬底， 并在衬底上依次形成沟道层和势垒层， 衬底包括至少两个器件分区， 至少两个器件分区包括第一器件分区和第二器件分区；在势垒层背离沟道层的一侧形成位于第一器...
    2025-10-29
  • 半导体器件制作方法及半导体器件
    半导体器件制作方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511140902.X
    本申请公开了一种半导体器件制作方法及半导体器件， 该方法包括：在伪栅沉积层上形成应力抵消层和变性处理阻挡层， 得到第一半导体器件；以伪栅沉积层的顶部伪栅平台的顶面为化学机械抛光停止层对第一半导体器件进行第一化学机械抛光， 得到第二半导体器件...
    2025-10-29
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510906146.0
    一种半导体结构的形成方法， 包括：提供衬底；在衬底上形成依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在第一区内形成若干第一栅极沟槽；在第一栅极沟槽内形成第一电介质层和多晶硅层；去除位于第一区上的部分氮化硅层；在第一栅极沟槽内形成第一栅氧...
    2025-10-29
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