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最新专利技术
  • 阵列基板、显示面板以及显示装置
    阵列基板、显示面板以及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510893231.8
    本申请公开了一种阵列基板、显示面板以及显示装置， 涉及显示设备技术领域， 阵列基板包括：基板；位于基板一侧的电路层， 电路层至少包括串联的第一晶体管和第二晶体管， 第一晶体管和第二晶体管在第一方向上相邻设置， 第一方向平行于基板所在平面；第...
    2025-10-28
  • 显示面板及显示终端
    显示面板及显示终端_武汉华星光电技术有限公司_202510829635.0
    本申请涉及一种显示面板及显示终端。显示面板包括基板、有源部、栅绝缘层和栅极， 有源部包括沟道部、第一掺杂部和第二掺杂部， 第一掺杂部的离子平均浓度小于第二掺杂部的离子平均浓度；栅绝缘层包括覆盖沟道部及第一掺杂部的第一子层， 第一子层对应第一...
    2025-10-28
  • 显示面板
    显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510829594.5
    本申请提供了一种显示面板， 包括基板、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极、漏极、像素电极、钝化层、公共电极、第一连接件和第二连接件。钝化层、层间绝缘层和栅极绝缘层中设置有贯穿的第一通孔和第二通孔， 钝化层中设置有贯穿的第三...
    2025-10-28
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510828722.4
    本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板；该阵列基板通过使第二绝缘层开设有多个第一过孔和多个凹槽， 一第一过孔与一有源图案对应， 且在第一方向上， 凹槽设置于相邻两个第一过孔之间， 第一过孔和凹槽仍然能够组成一条槽， 从而可以减小...
    2025-10-28
  • 显示面板及其制作方法
    显示面板及其制作方法_武汉华星光电技术有限公司_202510828680.4
    本申请提供了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括：栅极绝缘层；栅极和第一金属构件， 设置在栅极绝缘层上；层间绝缘层， 设置在栅极、第一金属构件和栅极绝缘层上；源极、漏极和第二金属构件， 设置在层间绝缘层上；其中， 第一金属构件与第二金属...
    2025-10-28
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510828500.2
    本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板；该阵列基板通过将第一电极层设置于源漏极层与层间绝缘层之间， 可以采用半透光掩模板对第一电极层和层间绝缘层进行蚀刻， 减少工艺步骤， 且使得第一过孔的侧壁与第一过孔的底面所在的平面的夹角大于...
    2025-10-28
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510820201.4
    本申请实施例公开了一种阵列基板及显示面板， 本申请实施例阵列基板包括遮光层和第一有源层， 遮光层的第一极板和第一有源层的第一导电部至少部分重叠形成第一存储电容；所述第一极板包括第一电极部和第二电极部， 所述第一导电部包括第一部和第二部， 第...
    2025-10-28
  • 阵列基板和显示面板
    阵列基板和显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510803588.2
    本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板；该阵列基板包括衬底和设于所述衬底上的有源层、源漏极层、钝化层和连接电极层， 所述连接电极层包括多个连接电极， 所述连接电极连接所述有源层和所述源漏极层， 所述钝化层覆盖所述源漏极层且所述钝化层为连续膜...
    2025-10-28
  • 显示面板及其制造方法
    显示面板及其制造方法_武汉华星光电技术有限公司_202510786689.3
    本申请提供了一种显示面板及其制造方法。显示面板包括基板、半导体层、钝化层、层间绝缘层、栅绝缘层、源极、漏极、第一连接件和第二连接件。钝化层、层间绝缘层和栅绝缘层中设置有第一通孔和第二通孔， 在垂直于基板的方向上， 第一通孔和第二通孔的底面均...
    2025-10-28
  • 电子列印装置及使用其制造金属列印物品的方法
    电子列印装置及使用其制造金属列印物品的方法_群创光电股份有限公司_202410333628.7
    本公开提供一种电子列印装置及使用其制造金属列印物品的方法。电子列印装置， 其特征在于， 包含一列印基板， 该列印基板包含：一基板， 具有一主动区和一周边区， 该主动区邻近于该周边区；一电源层， 设置在该基板上；一绝缘层， 设置在该电源层上；...
    2025-10-28
  • 一种基于非晶硅衬底的锗衬底结构及其制造方法
    一种基于非晶硅衬底的锗衬底结构及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511062556.8
    本申请属于半导体工艺技术领域， 公开了一种基于非晶硅衬底的锗衬底结构及其制造方法， 该锗衬底结构包括自下到上依次堆叠的衬底层、绝缘层、氧化铝层和锗主体层， 衬底层为非晶硅衬底。本申请能够降低受主衬底的原材料成本， 在热扩散和电容耦合特性上的...
    2025-10-28
  • 用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构
    用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构_英特尔公司_202510886652.8
    本发明公开了用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构。本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域， 并且尤其是10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构的领域。在示例中， 集成电路结构包括在鳍的第一末端之上的第一隔离结构。栅...
    2025-10-28
  • 一种半导体器件以及一种用于形成半导体器件的方法
    一种半导体器件以及一种用于形成半导体器件的方法_IMEC非营利协会_202510374166.8
    在一方面， 提供了一种半导体器件， 包括：第一和第二平行的多层有源区， 每个多层有源区包括至少一个下半导体层以及堆叠在该至少一个下半导体层上方的至少一个上半导体层；以及PIN二极管结构， 包括：沿第一有源区的第一部分布置的外延第一下半导体本...
    2025-10-28
  • CFET结构及制造CFET结构的方法
    CFET结构及制造CFET结构的方法_IMEC非营利协会_202510371842.6
    本公开涉及互补场效应晶体管CFET结构(1)。CFET结构(1)包括：被布置在CFET结构(1)的第一排中的第一CFET元件(10)；以及被布置在CFET结构(1)的第二排中的第二CFET元件(10’)， 其中第二排被布置成在横向上偏离第一...
    2025-10-28
  • 用于产量和性能改进的自对准图案化沟槽隔离
    用于产量和性能改进的自对准图案化沟槽隔离_英特尔公司_202510235226.8
    公开了在晶体管沟槽和沟槽隔离中的集成电路(IC)器件电介质。IC器件可以包括沟槽中和相邻晶体管中的相邻源极或漏极主体， 以及位于源极或漏极主体之间的堆叠体中以及源极或漏极主体上的沟槽触点之间的至少三个电介质。所述堆叠体中的第一电介质在所述源...
    2025-10-28
  • 使用着色硬掩模的具有背面源极或漏极接触部选择性的集成电路
    使用着色硬掩模的具有背面源极或漏极接触部选择性的集成电路_英特尔公司_202510230182.X
    描述了使用着色硬掩模的背面源极或漏极接触部选择性。一种结构包括位于第一纳米线或鳍状物的端部的第一外延源极或漏极结构， 垂直位于第一外延源极或漏极结构的底部下方的第一导电源极或漏极接触部， 以及位于第一导电源极或漏极接触部下方并与其接触的第一...
    2025-10-28
  • 用于互补FET(CFET)器件中的电容减小的深过孔背侧(DVB)部分凹陷
    用于互补FET(CFET)器件中的电容减小的深过孔背侧(DVB)部分凹陷_英特尔公司_202510215048.2
    本公开内容涉及用于互补FET(CFET)器件中的电容减小的深过孔背侧(DVB)部分凹陷。一种堆叠式互补场效应晶体管(CFET)器件包括底部接触区域和顶部接触区域。第一类型的第一晶体管层在底部接触区域上方， 并且第二类型的第二晶体管层在第一晶...
    2025-10-28
  • 半导体集成电路及其制造方法
    半导体集成电路及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410320092.5
    本发明提供一种半导体集成电路及其制造方法， 在现有方案形成寄生BJT器件的基础上， 进一步基于IO器件的同导电类型的轻掺杂漏离子注入条件， 在寄生BJT器件的发射区中寄生形成相应的轻掺杂离子注入区， 进而相对现有方案形成的寄生BJT器件的发...
    2025-10-28
  • 具有用于均匀网格金属栅极和沟槽接触器切割的外延小块的集成电路结构
    具有用于均匀网格金属栅极和沟槽接触器切割的外延小块的集成电路结构_英特尔公司_202510231510.8
    描述了具有用于均匀网格金属栅极和沟槽接触器切割的外延小块的集成电路结构。结构包括：水平纳米线的垂直堆， 纳米线中的个体纳米线在纳米线的末端具有对应外延源极或漏极结构， 沿着水平纳米线的垂直堆， 外延源极或漏极结构彼此不连续。栅极电极位于水平...
    2025-10-28
  • 具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构
    具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构_英特尔公司_202510231509.5
    本发明涉及具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构。描述了具有直接背侧源极或漏极接触部的集成电路结构。在示例中， 集成电路结构包括第一、第二和第三多个水平堆叠纳米线或鳍， 以及第一、第二和第三栅极堆叠。第一外延源极或漏极结构...
    2025-10-28
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