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一种梯度复合涂层及其制备方法
本发明提供了一种具有较高强度和耐高温摩擦的合金梯度复合涂层及其制备方法。具体为采用物理气相沉积技术在金属基材表面沉积多元合金涂层, 然后在多元合金涂层的表面进行低温等离子体扩渗处理, 向多元合金涂层中掺杂碳、氮等元素非金属元素, 以及扩渗钛...
蒸镀设备及复合集流体制备方法
本申请属于电池制造技术领域, 尤其是涉及一种蒸镀设备及复合集流体制备方法。该蒸镀设备包括蒸发装置、挡板机构、掩膜板以及载膜辊;蒸发装置设有开口腔室并用于收容、加热蒸发待蒸镀材料;载膜辊位于开口腔室的开口侧并绕有基材层的当前待蒸镀部分;挡板机...
蒸发源、包括其的沉积系统及利用其的蒸发源更换方法
本发明涉及一种蒸发源、包括其的沉积系统及利用其的蒸发源更换方法。根据本发明的一个实施例的蒸发源包括容纳沉积材料的圆筒形状的坩埚;配置于所述坩埚的上端的喷嘴部件, 所述喷嘴部件具有从所述喷嘴部件的上面向喷射所述沉积材料的方向凸出的多个喷嘴尖端...
真空蒸镀装置及其使用方法和电子设备
本申请公开了一种真空蒸镀装置及其使用方法和电子设备, 包括外壳, 驱动机构包括驱动模组、第一导轨和第二导轨, 驱动模组连接于外壳, 第一导轨和第二导轨沿第一方向延伸, 第一导轨和第二导轨沿第二方向间隔布设, 第一导轨和第二导轨连接于驱动组件...
蒸镀装置
本申请提供了一种蒸镀装置。蒸镀装置包括:蒸发源, 包括沿第一方向设置的连通槽、多个蒸发槽和多个喷嘴, 相邻的蒸发槽之间设置有间隙, 连通槽联通多个蒸发槽和多个喷嘴;蒸发源包括相向设置的第一蒸发源和第二蒸发源, 第一蒸发源包括第一蒸发槽和第一...
一种高效节能的真空镀膜机及其镀膜方法
本发明公开了一种高效节能的真空镀膜机, 包括:机壳, 机壳内固定安装有两组密封板, 而该两组密封板将机壳分隔为左半部和右半部, 而机壳右半部则被两组密封板封隔成密封腔, 而该机壳的左半部中分别固定安装有粗抽泵和高真空泵, 而此粗抽泵和高真空...
一种超导带材制备以及应力原位释放方法
本发明公开了一种超导带材薄膜制备方法, 该方法包括:所述超导带材在通过脉冲激光沉积PLD或金属有机化学气相沉积MOCVD工艺进行薄膜制备时, 进行多次“热结晶‑急冷”工艺步骤, 即:所述超导带材多次依序通过热结晶区和急冷区, 每次所述超导带...
一种具有光源多角度调节功能的蒸发镀膜机
本发明公开了一种具有光源多角度调节功能的蒸发镀膜机, 涉及蒸发镀膜机技术领域, 所述蒸发镀膜机包括镀膜仓、电机一、工件载体、基片、升降组件、离子束光源、电子枪、调节组件、刮除组件, 以及稳固组件, 当工件载体上只有少量的基片时, 可驱动升降...
一种AgPdCu合金的溅射靶材的制备方法
本发明涉及靶材技术领域, 提供一种AgPdCu合金的溅射靶材的制备方法, 通过先熔化银并保温, 再加入钯、铜后升温至1550℃保温1小时;之后合金液保温1小时及铸锭均匀化退火后再倒入模具中冷却得到铸锭, 可消除铸造应力, 改善铸态组织的不均...
半导体工艺腔室及半导体工艺设备
本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备, 所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体以及位于腔室本体内的基座、沉积环和隔离组件;隔离组件包括遮蔽环和第一衬环, 当基座上升时, 遮蔽环可搭接于沉积环上, 且遮蔽环随基座上升至设定位置并与第一衬环...
用于磁控溅射的智能化PVD控制系统
本申请公开了一种用于磁控溅射的智能化PVD控制系统。所述用于磁控溅射的智能化PVD控制系统包括:配置单元、运动控制器单元、传感器控制单元和生产状态可视化界面。所述配置单元用于配置生产参数和生产流程。所述运动控制器单元可通讯地连接于所述配置单...
钛金属双极板的高耐蚀导电复合涂层、制备方法及双极板
本发明实施例提供一种钛金属双极板的高耐蚀导电复合涂层、制备方法及双极板, 所述复合涂层由内至外包括:钛混合底层、梯度过渡的碳氮化钛中间层及非晶碳面层。钛混合底层厚度为0.2μm~0.5μm, 由高功率脉冲磁控溅射结合15kV~25kV高压脉...
一种新型混合金属氧化物涂层钛电极的制备方法
本发明公开了一种新型混合金属氧化物涂层钛电极的制备方法, 涉及电极制备技术领域, 该方法包括以下具体步骤:钛基体预处理:将钛板依次用120‑800目砂纸梯度打磨, 将打磨后的钛基体经盐酸溶液蚀刻、氩等离子体表面活化及干燥处理, 获得清洁且具...
基于磁控溅射镀铝工艺的双层镀铝复合膜及其制备和应用
本发明公开了一种基于磁控溅射镀铝工艺的双层镀铝复合膜及其制备和应用, 属于镀铝复合膜制备技术领域。该方法中通过加热和利用等离子体轰击靶材表面的方式为进行磁控溅射镀铝提供所需要的等离子体环境, 当镀铝基材处于热稳定状态时, 功能性涂层丙烯酸类...
一种提高金属薄膜台阶覆盖率的溅射工艺
本发明属于集成电路工艺领域, 涉及一种提高金属薄膜台阶覆盖率的溅射工艺, 该溅射工艺中靶材与溅射目标物的距离为9~11 cm, 溅射目标物的非溅射面一侧设置有负偏压, 所述溅射目标物设置有接触孔;溅射的功率为2~24 kW, 溅射的压力为2...
用于磁控溅射镀膜屏蔽工件架的防着装置及磁控溅射镀膜设备
本申请公开一种用于磁控溅射镀膜屏蔽工件架的防着装置及磁控溅射镀膜设备。防着装置包括形成镀膜窗口的框架, 所述框架为多段式结构, 由多个连接段依次拼接而成, 所述连接段包括直线段和转角段, 所述转角段设置在相邻两直线段之间, 该两直线段分别为...
薄膜沉积装置及加热托盘的自动调平方法
本发明提出的加热托盘的自动调平方法, 包括:根据传感器反馈的距离信息判断加热托盘和喷淋头是否平行;当所述加热托盘与喷淋头不平行时, 计算出所述加热托盘的当前位姿, 控制多个连杆运动, 使得所述加热托盘与喷淋头平行。能够快速调节加热托盘与喷淋...
半导体工艺设备
本申请公开一种半导体工艺设备, 属于半导体技术领域。半导体工艺设备包括第一腔室和承载件, 第一腔室的腔室底壁设有开口, 承载件可升降地在第一高度位置和第二高度位置之间切换, 在承载件位于第一高度位置的情况下, 承载件封堵开口, 承载件与第一...
基板载置台、基板处理装置以及基板载置台的制造方法
本公开涉及一种基板载置台、基板处理装置以及基板载置台的制造方法, 即使是在‑20℃以下对基板载置台上的基板实施处理的情况, 也抑制基板载置台中覆盖膜产生裂纹、剥离。提供一种基板载置台, 配置在基板处理装置的腔室内, 所述基板载置台在所载置的...
一种镀膜工件桶自动翻转装置
本发明公开了一种镀膜工件桶自动翻转装置, 包括一机架, 机架内部设有一工件桶, 工件桶外壁挂接有多个能自由旋转180度的工件框, 工件框内部挂接有工件, 工件框底端穿过工件桶底部连接有第一卡座;机架顶部设有能使工件桶旋转的顶部电机, 机架底...
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