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最新专利技术
  • 一种应用于磁控管阵列的自适应锁相系统
    一种应用于磁控管阵列的自适应锁相系统_电子科技大学_202510842671.0
    本发明公开了一种应用于磁控管阵列的自适应锁相系统， 属于高功率微波技术领域。该系统包括：磁控管阵列、脉冲功率控制模块、工作参数监测模块、控制指令生成及传输模块。对于锁相磁控管阵列工作过程中可能出现的失锁问题， 本发明引入了工作参数监测模块和...
    2026-03-22
  • 一种基于分布式重入腔结构的轴向调谐相对论磁控管
    一种基于分布式重入腔结构的轴向调谐相对论磁控管_中国人民解放军国防科技大学_202511224736.1
    本发明涉及一种基于分布式重入腔结构的轴向调谐相对论磁控管， 本发明通过在单频相对论磁控管的谐振腔外部引入分布式重入腔结构， 突破了传统调谐方式的频带限制， 即使在谐振腔深度较浅的高频段器件中， 仍能实现谐振频率的连续调节；相比传统轴向调谐结...
    2026-03-22
  • 射频激励气体放电冷阴极电子束同轴熔丝的电子枪装置
    射频激励气体放电冷阴极电子束同轴熔丝的电子枪装置_南京理工大学_202511205901.9
    本发明为一种射频激励气体放电冷阴极电子束同轴熔丝的电子枪装置。包括内部带水冷通道的类“漏斗”形阳极， 内设环形水冷通道、连接高压电源的阴极， 送丝系统， 枪顶盖， 导丝管和射频激励气体放电单元；阴极设置在射频激励气体放电单元的透明放电腔室内...
    2026-03-22
  • 一种孔栏时间补偿型像增强器及补偿结构的设计装配方法
    一种孔栏时间补偿型像增强器及补偿结构的设计装配方法_西北核技术研究所_202510861027.8
    本发明公开了一种孔栏时间补偿型像增强器及补偿结构的设计装配方法， 解决了现有的像增强器在不同成像区域选通开始或关断时间不一致导致， 选通时间区间的一致性变差甚至完全分离的问题。本发明孔栏时间补偿型像增强器， 基于弯曲光纤面板对不同区域光信号...
    2026-03-22
  • 一种射线管阳极轴承及射线装置
    一种射线管阳极轴承及射线装置_苏州益腾电子科技有限公司_202510841484.0
    本发明涉及辐射发射设备领域， 尤其涉及一种射线管阳极轴承及射线装置。本发明提出的一种射线管阳极轴承， 通过在衬套组件内壁靠近阳极靶盘的一侧与转轴之间设置自润滑滚动体， 自润滑滚动体具有自润滑功能， 能够大幅提升自身的润滑性能， 通过在衬套组...
    2026-03-22
  • X射线管、射线源装置及检测设备
    X射线管、射线源装置及检测设备_伟杰科技(苏州)有限公司_202510896289.8
    本发明公开了X射线管、射线源装置及检测设备， 其中， X射线管包括：管体， 具有真空密封的管腔， 所述管体包括第一管体和第二管体， 管腔由第一管体和第二管体密封形成；第一管体为金属件， 第二管体为玻璃件；负极组件， 设置于第二管体内， 包括...
    2026-03-22
  • 一种电子过滤器、负氢离子源中子管及中子产生方法
    一种电子过滤器、负氢离子源中子管及中子产生方法_中辐聚能(西安)科技有限公司_202510851454.8
    本发明公开了一种电子过滤器、负氢离子源中子管及中子产生方法， 解决了由于偏转磁钢设置玻璃管的内部， 离加速电极比较近， 容易使加速电极放电， 造成损坏中子管及外围电路的风险， 以及无法对偏转磁钢形成的磁场强度进行自由调节， 磁场较强， 会影...
    2026-03-22
  • 电子源模组和电子束直写机
    电子源模组和电子束直写机_上海集成电路材料研究院有限公司_202410360931.6
    本申请提供一种电子源模组和电子束直写机， 所述电子源模组包括：所述电子源模组包括：阵列式电子源基板(1)， 在所述阵列式电子源基板的第一个主面(1‑1)上形成有复数个电子发射单元(2)；以及局部温控机构(3)， 其与所述阵列式电子源基板(1...
    2026-03-22
  • 一种电子束束闸装置
    一种电子束束闸装置_合肥利托光电科技有限公司_202511039306.2
    本发明涉及扫描电子显微镜技术领域， 尤其涉及一种电子束束闸装置， 包括基座与接地盖板， 基座底部周向均匀布设有四组定位块与四组偏转电极板， 偏转电极板与定位块位置相对应， 且其通过螺栓A与定位块连接， 偏转电极板底部设置有接地盖板， 接地盖...
    2026-03-22
  • 电子源模组和电子束直写机
    电子源模组和电子束直写机_上海集成电路材料研究院有限公司_202410360932.0
    本申请提供一种电子源模组和电子束直写机， 所述电子源模组包括：阵列式电子源基板(1)， 在所述阵列式电子源基板的第一个主面(1‑1)上形成有复数个电子发射单元(1‑3)；电子源控制电路基板(2)， 在所述电子源控制电路基板上形成有复数个控制...
    2026-03-22
  • 一种用于实现四维扫描透射电子计算成像的装置和设备
    一种用于实现四维扫描透射电子计算成像的装置和设备_华为技术有限公司_202410366508.7
    本申请涉及计算电子成像技术领域， 公开了一种在扫描电镜上实现四维扫描透射电子计算成像的装置和设备。该装置包括样品舱舱门、样品承载组件和探测器， 其中， 样品舱内不设置样品位移台， 并且探测器和样品台之间的距离可以根据实际4D‑STEM的需求...
    2026-03-22
  • 使用非均匀剂量的样品制备
    使用非均匀剂量的样品制备_FEI公司_202510290874.3
    公开了用于样品制备的可变剂量离子束铣削技术。带电粒子显微镜系统可被配置为：通过至少将离子束朝向样品的第一部分引导来从该样品移除第一材料层以减小该样品的第一部分的厚度。在移除第一层之后， 可通过至少将该离子束朝向该样品的第二部分引导来从该样品...
    2026-03-22
  • 调节源发生器和偏置发生器之间相位延迟的设备和方法
    调节源发生器和偏置发生器之间相位延迟的设备和方法_英特尔NDTM美国有限公司_202410381071.4
    本发明涉及一种调节腔体装置中源发生器和偏置发生器之间相位延迟的设备和方法， 腔体装置包括：用于容纳待加工晶片的反应腔室、与反应腔室上部连接的源发生器以及与反应腔室下部连接的偏置发生器， 其中， 所述源发生器和偏置发生器为向所述反应腔室加载射...
    2026-03-22
  • 晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备
    晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410381983.1
    本申请的实施例提供了一种晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备， 晶圆处理腔包括腔体、托盘和喷淋头， 腔体开设有连通抽气装置的排出口， 托盘用于承载晶圆， 喷淋头用于喷出处理流体， 托盘与腔体之间设有隔离板， 隔离板环绕托盘设置， 隔离板和...
    2026-03-22
  • 用于半片电池切片截面钝化修复的导电装置以及工作方法
    用于半片电池切片截面钝化修复的导电装置以及工作方法_无锡松煜科技有限公司_202510700300.9
    本申请涉及一种用于半片电池切片截面钝化修复的导电装置以及工作方法， 属于光伏电池的技术领域。它包括腔室上壳和腔室下壳闭合形成的真空腔室、进气组件、长板型电极、射频电源及载板；电极之间形成横向电场， 驱动等离子体定向沉积于半片电池切片的截面上...
    2026-03-22
  • 数据校正方法、装置、设备及存储介质
    数据校正方法、装置、设备及存储介质_联影越质科学仪器(武汉)有限公司_202510855929.0
    本申请提供的一种数据校正方法、装置、设备及存储介质， 通过将光纤贴合在所述飞行时间质谱仪中飞行管的预设位置来获取光纤的物理状态变化信息；至少基于所述物理状态变化信息确定飞行时间质谱仪中检测器检测的离子的质荷比值的校正因子；基于所述校正因子对...
    2026-03-22
  • 一种电感耦合等离子体质谱仪低真空的接口
    一种电感耦合等离子体质谱仪低真空的接口_四川长青松科技有限公司_202510818577.1
    本申请涉及质谱仪技术领域， 尤其是涉及一种电感耦合等离子体质谱仪低真空的接口， 其包括基座， 所述基座的顶部固定安装有电感耦合等离子体质谱仪本体。本申请应用期间通过三通管与双电磁阀构建双通路抽真空系统， 将设备本体与真空连接中转箱独立控制，...
    2026-03-22
  • 光电离检测器(PID)灯组件和制造PID灯组件的方法
    光电离检测器(PID)灯组件和制造PID灯组件的方法_生命安全销售股份有限公司_202410364333.6
    本发明涉及光电离检测器(PID)灯组件和制造PID灯组件的方法。公开了一种光电离检测器(PID)灯组件。该PID灯组件包括在其内限定灯室的帽， 并且该帽具有阶梯状孔口。此外， 水晶窗密封在帽上， 并且被配置成允许紫外(UV)光通过。此外， ...
    2026-03-22
  • 叠合标记的制造方法
    叠合标记的制造方法_华邦电子股份有限公司_202410552381.8
    本发明提供一种叠合标记的制造方法。于目标层上形成第一掩模环。于第一掩模环上形成第一介电层。于第一介电层上形成第二掩模环。在第一方向上， 第一掩模环的长度大于第二掩模环的长度。在第二方向上， 第一掩模环的长度小于第二掩模环的长度。对第二掩模环...
    2026-03-22
  • 用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法
    用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510627483.6
    本公开提供了用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法；所述边缘刻蚀装置包括上承载台和下承载台， 所述处理方法包括：通过控制所述上承载台的第一抵接部和所述下承载台的第二抵接部的抵接面发生形变， 来修整所述抵接面的缺陷。
    2026-03-22
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