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  • 本申请实施例提供了一种多级电源的下电时序控制方法、设备、计算机可读存储介质、电子装置及计算机程序产品, 该方法包括:通过比较器确定输入电压低于预设电压阈值, 向多级电源中的第一级电源的延迟电路, 和除第一级电源外的每一级电源的逻辑门电路输出...
  • 本发明公开了一种信号延时修调电路, 包括充电电流产生电路、张弛振荡器和信号延迟产生电路;所述充电电流产生电路用于给所述信号延迟产生电路提供成比例的充电电流;所述信号延迟产生电路的延迟跟充电电流成反比;所述张弛振荡器用于根据调控自身的震荡频率...
  • 本申请实施例提供一种DCEI、小数分频器、占空比校正电路及芯片。DCEI包括多个并联的核心单元以及分别与各核心单元连接的输出单元;核心单元用于接收第一输入信号和第二输入信号, 并对第一输入信号和第二输入信号进行多路复用, 输出第一输出信号至...
  • 本申请公开了一种时钟延时电路及多相时钟生成装置, 涉及时钟集成电路技术领域, 通过调整充电电流和放电电流的比例来同步调谐输出多相时钟的延迟的方法, 从而能够将多相时钟生成和延时可调这两部分合并在一起, 大幅减少传统多相时钟电路的功耗和面积。...
  • 本发明公开了一种脉冲信号的检测装置及系统, 涉及发射脉冲信号检测技术领域, 所述脉冲信号的检测装置包括第一采集电路、第二采集电路、信号处理电路, 所述第一采集电路和所述第二采集电路均与被测设备连接, 所述信号处理电路与所述第一采集电路和所述...
  • 一种测试和测量仪器, 包括一个或多个端口, 用于连接到被测设备(DUT), DUT具有一个或多个时钟信号和一个或多个电源轨、一个或多个模数转换器(ADC), 用于接收来自DUT的信号并将信号转换为波形数据、用户接口, 允许用户输入一个或多个...
  • 一种比较器, 包括:接收第一输入电压和第二输入电压并输出第一开关电压和第二开关电压的开关电路;分别接收第一开关电压和第二开关电压并分别输出第一比较电压和第二比较电压的第一采样/比较电路和第二采样/比较电路;接收第一比较电压和第二比较电压并向...
  • 本申请提供一种射频脉冲调制方法、装置、设备及计算机可读存储介质, 涉及射频技术领域。射频脉冲调制方法用于将射频信号调制为目标射频脉冲信号, 其中, 射频信号的波形为弦波。其中, 射频脉冲调制方法包括:根据使能信号的电平对射频信号进行调制, ...
  • 本申请提供一种射频脉冲调制电路及射频电源装置。射频脉冲调制电路包括电压调节模块、射频功放模块以及脉冲调制模块。电压调节模块用于控制调节电源电压, 以得到调节后的电源电压。射频功放模块用于根据调节后的电源电压对射频信号进行功率放大, 以得到射...
  • 电压生成电路和写入装置。提供能够以高分辨率设定输出电压的电压生成电路。电压生成电路具备:平滑化电路, 其被输入脉宽调制信号, 将使所述脉宽调制信号平滑化后的电压输出到第1节点;第1电阻, 其连接在输出节点与第2节点之间;第2电阻, 其连接在...
  • 本发明公开了一种自适应多模式PWM控制器, 包括控制核心、时钟电路、PWM信号生成电路、反馈电路、电源电路、保护电路、多模式电路与通信接口电路;通过设置多模式电路, 在正常负载条件下, 工作在高压输入电压的QR模式, 当负载降低时, 以PF...
  • 本发明公开了一种PWM信号产生方法、模块及相关装置, 其中PWM信号产生方法包括:基于采样周期采样比较信号, 基于比较信号判断电机的实际电流与指令电流之间的大小关系, 基于判断结果选择驱动器的上开关管或者驱动器的下开关管, 判断所选开关管的...
  • 本发明公开了一种信号采集控制方法、匹配控制器、匹配器和半导体工艺设备, 信号采集控制方法包括:按照预设周期记录传感器采集的射频功率信号的功率值, 根据功率值以及预设周期, 确定射频功率信号的周期和占空比, 控制传感器根据周期和占空比采集射频...
  • 本发明涉及功率半导体技术领域, 公开了一种栅极驱动器以及功率器件, 所述栅极驱动器连接至功率管, 包括比较器、下拉开关管、第一路径以及第二路径;所述下拉开关管的源极接地, 漏极连接至所述功率管的栅极;所述第一路径设置有反相器和MOS管, 且...
  • 提供了一种半导体器件及包括该半导体器件的功率半导体系统。半导体器件包括:高电子迁移率晶体管;短路检测电路, 该短路检测电路被配置为基于高电子迁移率晶体管的栅极电压和高电子迁移率晶体管的漏极电压输出短路保护电压;以及保护电路, 该保护电路被配...
  • 本公开涉及栅极驱动电路故障检测技术。描述了一种使用两个或多个去饱和电路阈值的去饱和检测电路, 当故障操作模式下存在有源短路(ASC)信号时, 该电路将正常操作模式下的去饱和阈值转换为更高的电压。包括两个或多个去饱和检测电路阈值在正常操作模式...
  • 本发明公开了一种用于直驱型功率半导体器件的驱动供电安全保护电路, 包括驱动电路、保护电路和功率器件;功率器件包括耗尽型功率半导体器件和增强型功率半导体器件;驱动电路包括第一外部供电单元、第二外部供电单元、驱动单元和第一电阻;保护电路包括第二...
  • 本申请涉及过压控制技术领域, 其具体地公开了一种IGBT模块的过压控制方法及装置, 其在接收到关断指令后, 采用深度学习算法对集电极电流时序数据进行时序关联分析, 提取集电极电流的短时波动特征, 并结合初始门极电阻值动态预测关断过程可能产生...
  • 本公开涉及使用感测开关元件控制功率开关元件。一种用于控制功率开关元件的电路, 包括:驱动开关元件, 被配置为使用驱动电流将电压源耦合到功率开关元件的栅极;以及感测开关元件, 被配置为基于参考电流生成驱动开关元件处的电压降的指示。该电路还包括...
  • 一种具有并联均流功能的SiC MOSFET有源栅极驱动方法, 涉及电力电子技术领域。采用主‑辅双支路驱动结构, 具有主支路单独使能以及主‑辅双支路同时使能两种基本驱动模式, 通过器件开关过程中分配两种模式的使能时序实现对器件的动态调整, 选...
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