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最新专利技术
  • 进气装置及基板处理设备
    进气装置及基板处理设备_深圳市昇维旭技术有限公司_202511135435.1
    本申请属于半导体制造设备技术领域， 具体涉及一种进气装置及基板处理设备， 进气装置包括一个混合腔、多个输气管道和多个脉冲阀， 混合腔与反应腔连接， 混合腔包括多个进气孔， 输气管道的第一端连接一个进气孔以使输气管道与混合腔连通， 至少部分输...
    2025-12-25
  • 一种具有可变磁场特性的多弧离子源
    一种具有可变磁场特性的多弧离子源_上海源创同章表面涂层科技有限公司_202510861856.6
    本发明属于离子镀膜技术领域， 具体涉及一种具有可变磁场特性的多弧离子源。该多弧离子源， 包括：阴极， 固定于阴极支撑座上；磁体组件， 设置于阴极支撑座背对阴极的一侧， 包括第一永磁体阵列和旋转磁场发生装置；旋转磁场发生装置包括第二永磁体阵列...
    2025-12-25
  • 一种离子束溅射复合膜控制系统及方法
    一种离子束溅射复合膜控制系统及方法_北京北方松阳机械技术有限公司_202510861120.9
    本发明涉及离子束溅射技术领域， 具体地说， 涉及一种离子束溅射复合膜控制系统及方法。包括参数逆向求解模块、靶材运动控制模块和界面污染抑制模块。本发明通过参数逆向求解模块采集复合膜的目标成分组成和预存的靶材物理参数数据， 利用逆向积分方程求解...
    2025-12-25
  • 一种改善金刚石基氮化钽薄膜电阻性能的方法
    一种改善金刚石基氮化钽薄膜电阻性能的方法_北京科技大学_202510763297.5
    本发明提供一种改善金刚石基氮化钽薄膜电阻性能的方法， 涉及电阻器制造领域。包括以下步骤：将金刚石衬底放置在磁控溅射腔室的样品台上， 密封溅射腔室抽真空；通入氩气在一定功率下对金刚石衬底进行预溅射；开启样品台旋转， 通入氩气， 调节Ta靶溅射...
    2025-12-25
  • 一种氧化物高阻隔镀膜设备及其真空卷绕系统
    一种氧化物高阻隔镀膜设备及其真空卷绕系统_广西东方智造科技股份有限公司_202510811549.7
    本发明涉及镀膜设备技术领域， 具体公开了一种氧化物高阻隔镀膜设备及其真空卷绕系统， 包括真空镀膜箱， 所述真空镀膜箱的顶端一侧固定连接有抽气管， 通过在真空镀膜箱上固定抽气管， 抽气管上安装第一泵体、第二泵体、第三泵体， 依次为初级旋片泵、...
    2025-12-25
  • 一种超导薄膜及其制备工艺设备
    一种超导薄膜及其制备工艺设备_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202510929615.0
    本发明提供一种超导薄膜及其制备工艺设备， 工艺设备中溅射系统和基底系统在反应腔室内上下相对；工作气体进气通道位于反应腔室的壳体靠近靶材的位置， 反应气体进气通道位于反应腔室的壳体靠近基底系统的位置， 排气口位于反应腔室侧壁的壳体。本发明设置...
    2025-12-25
  • 一种高靶材利用率的条形平面磁控阴极
    一种高靶材利用率的条形平面磁控阴极_上海源创同章表面涂层科技有限公司_202510939528.3
    本发明属于离子镀膜技术领域， 具体涉及一种高靶材利用率的条形平面磁控阴极， 包括条形靶材、背板、内磁钢和外磁钢， 其中：条形靶材固定于背板上， 外磁钢设置于背板背对条形靶材的一侧， 包含至少一个N‑S磁极对；内磁钢完全嵌入在背板内， 每个内...
    2025-12-25
  • 一种半导体生产用陶瓷基板镀膜设备
    一种半导体生产用陶瓷基板镀膜设备_芯聚精密制造(泰州)有限公司_202510958915.1
    本发明公开了一种半导体生产用陶瓷基板镀膜设备， 涉及镀膜设备技术领域， 镀膜设备包括输送机构、夹持机构、清洁机构、镀膜机构和温控机构， 输送机构和夹持机构传动连接， 夹持机构和清洁机构传动连接， 输送机构和镀膜机构紧固连接， 温控机构和镀膜...
    2025-12-25
  • 一种脉冲磁控溅射涂层制备装置及制备方法
    一种脉冲磁控溅射涂层制备装置及制备方法_成都超迈光电科技有限公司_202511003754.7
    本发明公开了一种脉冲磁控溅射涂层制备装置及制备方法， 属于磁控溅射技术领域， 包括溅射罐；溅射罐内设有靶材溅射机构和基板夹持机构；靶材溅射机构用于夹持并轰击靶材， 以产生靶材原子；基板夹持机构包括固定架；固定架上设有以溅射罐轴线为中心对称布...
    2025-12-25
  • Ta-C复合涂层及制备方法
    Ta-C复合涂层及制备方法_上海海立电器有限公司_202511213334.1
    本发明提供了一种Ta‑C复合涂层及制备方法， 所述复合涂层形成于高速钢基体、不锈钢基体或铸铁基体上， 所述复合涂层包括依次层叠设置的过渡层和耐磨层；所述过渡层包括Me层、MeN层、Me(W)N层以及MeWN层；所述耐磨层包括WC层、WC/T...
    2025-12-25
  • 铂金纳米级表面处理智能控制系统
    铂金纳米级表面处理智能控制系统_金泰隆珠宝有限公司_202510997578.7
    本发明涉及铂金表面处理技术领域， 公开了铂金纳米级表面处理智能控制系统。该系统包括能量分配调控模块、电场环境优化模块、离子动态调整模块、处理异常干预模块和表面处理质量提升模块。能量分配调控模块分析能量分布与热均匀性适配程度， 生成能量分布控...
    2025-12-25
  • 一种镀膜机镀膜质量的检测方法及系统
    一种镀膜机镀膜质量的检测方法及系统_东阳富仕特磁业有限公司_202510947281.X
    本发明公开了一种镀膜机镀膜质量的检测方法及系统， 涉及工业自动化与智能检测技术领域， 采集并预处理光谱反射率数据和膜层厚度振荡频率数据， 提取出镀膜质量特征， 构建质量分类模型和厚度预测模型， 输出镀膜质量分类结果、质量置信度、厚度预测值与...
    2025-12-25
  • 一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备
    一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备_盐城工学院_202510991706.7
    本发明涉及半导体制造领域， 尤其涉及一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备， 本发明的等离子体腔室包括：真空腔室， 所述真空腔室顶部设置有气体分配模块， 所述真空腔室正面设置有门体一， 所述真空腔室内设置有基座， 所述基座上设置有夹...
    2025-12-25
  • 一种金属有机化合物化学气相沉积设备
    一种金属有机化合物化学气相沉积设备_叁砖科技(南京)有限公司_202511206908.2
    本发明公开了一种金属有机化合物化学气相沉积设备， 涉及半导体制造设备技术领域。该金属有机化合物化学气相沉积设备包括至少由第一阻隔部件、第二阻隔部件和第三阻隔部件组成的多级阻隔系统， 以及至少由主气体供应端口、第一副气体供应端口和第二副气体供...
    2025-12-25
  • 一种改善Poly非晶硅膜边缘毛边的方法
    一种改善Poly非晶硅膜边缘毛边的方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202510911824.2
    本发明公开了一种改善Poly非晶硅膜边缘毛边的工艺结构及方法， 针对N型TOPCON电池背面POLY层制备中LPCVD工艺因进气管硅烷颗粒堵塞导致硅片边缘毛边的问题， 提供了无需硬件改造的解决方案。通过将沉积温度从622℃降至615℃、沉积...
    2025-12-25
  • 一种SiC/Ti3AlC2多层交替涂层及制备方法
    一种SiC/Ti3AlC2多层交替涂层及制备方法_西北工业大学_202510910613.7
    发明公开了一种SiC/Ti3AlC2多层交替涂层及其制备方法， 属于涂层复合材料技术领域。该涂层以SiC层为外层和底层， 中间为交替排列的Ti3AlC2层和SiC层， 避免贯穿性裂纹产生。结合化学气相沉积与料浆涂刷工艺：先在C/C基体表面沉...
    2025-12-25
  • 镀膜设备及镀膜方法
    镀膜设备及镀膜方法_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202510792436.7
    本申请提出了一种镀膜设备及镀膜方法， 镀膜方法包括如下步骤：将基片置于真空环境中， 并向真空环境中通入至少一种反应源和第一氧源；通过热丝加热反应源以生成活性基团， 并使活性基团在基片的表面沉积形成金属膜层， 同时第一氧源催化活性基团和残余反...
    2025-12-25
  • 匀流组件及立式炉
    匀流组件及立式炉_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510759264.3
    本发明提供一种匀流组件及立式炉， 涉及半导体加工技术领域。该匀流组件包括进气结构和排气结构， 其中， 进气结构具有进气流道和连通于进气流道的多个进气部， 多个进气部沿第一方向间隔排布；排气结构具有排气流道和连通于所述排气流道的多个排气部， ...
    2025-12-25
  • 声波辅助减少腔壁颗粒脱落的方法及其设备
    声波辅助减少腔壁颗粒脱落的方法及其设备_重庆芯联微电子有限公司_202510784535.0
    本发明提供一种声波辅助减少腔壁颗粒脱落的方法及其设备， 包括反应腔、喷淋头、承载台及声波发生器， 本发明通过引入声波发生器， 可使得声波在腔壁上产生机械振动， 增强分子的运动和相互扩散， 以形成有序的晶体生长和排列， 促使沉积过程中位于腔壁...
    2025-12-25
  • 一种用于化学气相沉积的回转炉装置
    一种用于化学气相沉积的回转炉装置_北京壹金新能源科技有限公司_202511199122.2
    本发明涉及一种用于化学气相沉积的回转炉装置， 包括回转炉体及外部的加热装置， 回转炉体依次包括给料段、反应段和冷却段， 给料段设有尾气过滤器， 用于截留尾气中的固体物料；反应段内设有搅拌装置；反应段与冷却段之间设有布气换热装置， 用于为反应...
    2025-12-25
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