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最新专利技术
  • 一种外延炉降温系统、方法及存储介质
    一种外延炉降温系统、方法及存储介质_季华实验室_202511287054.5
    本发明涉及外延炉技术领域， 本发明公开了一种外延炉降温系统、方法及存储介质， 包括：反应室、片盘、冷却室、传送室、进气装置、排气装置和控制装置；控制装置与所述反应室、所述冷却室、所述传送室、所述进气装置和所述排气装置电性连接；所述控制装置用...
    2026-02-11
  • 一种具有缓变Sc组分过渡层的大面积多晶金刚石GaN异质结构及其制备方法
    一种具有缓变Sc组分过渡层的大面积多晶金刚石GaN异质结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202510883545.X
    本发明提供一种具有缓变Sc组分过渡层的大面积多晶金刚石GaN异质结构及其制备方法， 上述制备方法包括：对多晶金刚石进行预处理， 得到多晶金刚石衬底；对多晶金刚石衬底进行刻蚀掩膜沉积与图形化， 在多晶金刚石衬底的上部区域形成多个纳米柱状结构；...
    2026-02-11
  • 一种碳化硅外延设备
    一种碳化硅外延设备_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202511291827.7
    本申请公开一种碳化硅外延设备， 其包括反应腔， 反应腔具有壳体， 其内具有同轴设置的第一石墨筒及第二石墨筒， 第一石墨筒与第二石墨筒间隔设置且第二石墨筒采用孔径介于100‑1000nm多孔石墨材质；喷淋装置， 其设置于壳体的一侧端， 喷淋装...
    2026-02-11
  • 托盘和半导体设备
    托盘和半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510887224.7
    本申请公开一种托盘和半导体设备， 属于半导体加工技术领域， 所述托盘包括承载部和环绕所述承载部设置的限位部， 所述承载部具有凹面和环绕所述凹面设置的承载面；所述承载面为平面， 所述承载面用于承载晶圆；所述凹面相对所述承载面凹陷设置；所述限位...
    2026-02-11
  • 气体环境管理系统、方法及碳化硅外延炉
    气体环境管理系统、方法及碳化硅外延炉_浙江求是半导体设备有限公司_202511310193.5
    本申请提供一种气体环境管理系统、方法及碳化硅外延炉， 碳化硅外延炉包括反应舱、上下料舱、中转舱以及上述气体环境管理系统， 气体环境管理系统与碳化硅外延炉的反应舱、气体环境管理系统与碳化硅外延炉的中转舱、气体环境管理系统与碳化硅外延炉的上下料...
    2026-02-11
  • 基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法
    基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法_武汉大学_202510816147.6
    本申请提供了一种基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法， 属于半导体领域。所述基于MPCVD和MBE的氧化镓结构的制备方法包括：提供衬底；对衬底进行预处理；采用MBE工艺， 在衬底表面外延得到镓膜；采用MPCVD工艺， 往生长腔内通...
    2026-02-11
  • 氧化镓的外延生长方法
    氧化镓的外延生长方法_蓝河科技(绍兴)有限公司_202511310061.2
    本发明公开了一种氧化镓的外延生长方法， 包括在反应腔室内设置氧电离装置， 控制氧电离装置的输出功率不低于100瓦， 以在氧化镓衬底上进行氧化镓生长。控制反应腔室内温度为不超过1000℃的第一温度， 压力为不超过200mbar的第一压力， 控...
    2026-02-11
  • 氧化镓的异质外延生长方法
    氧化镓的异质外延生长方法_蓝河科技(绍兴)有限公司_202511310068.4
    本发明公开了一种氧化镓的异质外延生长方法， 该氧化镓的异质外延生长方法包括在反应腔室内设置氧电离装置。控制反应腔室内的温度为不超过500℃的第一温度， 压力为不低于100mbar的第一压力， 向反应腔室内通入氧源和镓源， 控制氧源流量不低于...
    2026-02-11
  • 一种范德华异质外延单层三碘化铬薄膜的方法
    一种范德华异质外延单层三碘化铬薄膜的方法_武汉大学_202510912554.7
    本发明涉及纳米材料技术领域， 具体公开了一种在范德华衬底HOPG上异质外延大面积单层三碘化铬磁性半导体薄膜的方法， 包括：A级HOPG(0001)面为衬底， 对其机械解理， 扫描隧道显微镜检测解理后表面质量， 超高真空退火除气， 测试生长前...
    2026-02-11
  • 基于Ir衬底异质外延与马赛克拼接的单晶金刚石制备方法
    基于Ir衬底异质外延与马赛克拼接的单晶金刚石制备方法_哈尔滨工业大学_202511041794.0
    本发明涉及金刚石材料制备技术领域， 特别是涉及基于Ir衬底异质外延与马赛克拼接的单晶金刚石制备方法， 包括以下步骤：选择基底衬底并进行表面处理， 在所述基底衬底表面沉积铱金属薄膜形成化学惰性且匹配良好的Ir衬底；在微波等离子体化学气相沉积反...
    2026-02-11
  • 一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片
    一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片_金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司_202511321399.8
    本发明公开了一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片， 所述方法为：以碳氧共掺的重掺硼或磷的直拉单晶硅片为衬底， 经外延高温氢气预处理后， 再升温至外延温度进一步生长外延层制得高质量硅外延片。所述高温氢气预处理步骤为以40℃~60...
    2026-02-11
  • 一种基于辐照技术的黄色钻石毛坯制备方法
    一种基于辐照技术的黄色钻石毛坯制备方法_郑州华晶金刚石股份有限公司_202410385139.6
    本发明属于材料科学和宝石加工技术领域， 尤其涉及一种基于辐照技术的黄色钻石毛坯制备方法， 选取除晶种面外无明显杂质的高温高压(HPHT)合成无色钻石毛坯， 将其放入高能电子束设备中按照一定剂量进行辐照， 随后将辐照后的钻石毛坯取出， 并通过...
    2026-02-11
  • 一种新型金刚石均温生长台
    一种新型金刚石均温生长台_上海理工大学_202510839782.6
    本发明提供了一种新型金刚石均温生长台， 属于金刚石生长装置技术领域。本发明包括自下而上依次设置的冷却结构、导热结构、衬底托和衬底；衬底用于供金刚石生长， 衬底托的内部集成蒸汽腔均热板， 蒸汽腔均热板的外壳材料采用高导热材料， 其内部工作介质...
    2026-02-11
  • 一种水冷式晶棒熔融的高频感应加热装置
    一种水冷式晶棒熔融的高频感应加热装置_上海汉虹精密机械有限公司_202510839754.4
    本发明公开了一种水冷式晶棒熔融的高频感应加热装置。一种水冷式晶棒熔融的高频感应加热装置， 包括高频线圈；高频线圈的开口侧的两端分别通过螺栓可拆卸连接两个水冷电极；还包括水冷法兰， 水冷法兰上开设有用于水冷电极延伸且穿过的穿孔， 穿孔与水冷电...
    2026-02-11
  • 一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法
    一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法_山东理工大学_202511010370.8
    本发明公开了一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法， 属于光电晶体材料技术领域， 碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体的化学式为CsPb2IxBr5‑x， 其中x为0～0.5。本发明采用上述的一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法， ...
    2026-02-11
  • 一种单晶氧化铝及其表面划痕修复方法与应用
    一种单晶氧化铝及其表面划痕修复方法与应用_南方科技大学_202510754083.1
    本发明涉及损伤修复技术领域， 公开了一种单晶氧化铝及其表面划痕修复方法与应用。所述修复方法包括以下步骤：将单晶氧化铝放置到运动平台上；向内炬管和外炬管中分别通入惰性气体；向线圈中提供射频电源， 将上述通入的惰性气体激发成等离子体， 所述等离...
    2026-02-11
  • 一种碳化硅外延结构及其制备方法
    一种碳化硅外延结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202510660715.8
    本发明提供了一种碳化硅外延结构及其制备方法， 属于半导体技术领域， 包括自下向上依次布置的碳化硅衬底、渐变缓冲层、生长中断区、常规缓冲层及漂移层；渐变缓冲层和生长中断区借助掺杂浓度梯度变化而产生晶格应变， 以降低基平面位错和堆垛层错密度。本...
    2026-02-11
  • 半绝缘碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法
    半绝缘碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法_武汉山拓微电子有限公司_202510916388.8
    本发明公开了一种半绝缘碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆， 半绝缘碳化硅外延片包括：衬底；位于衬底一侧的至少一层半绝缘碳化硅外延层；位于至少一层半绝缘碳化硅外延层远离衬底一侧的第一外延层。本发明可以有...
    2026-02-11
  • 晶体生长装置
    晶体生长装置_江苏集芯先进材料有限公司_202511168690.6
    本发明公开了一种晶体生长装置， 涉及晶体生长技术领域， 所述晶体生长装置包括：气体输送结构、炉体、保温层和长晶机构， 所述气体输送结构包括进气结构和抽气结构， 所述保温层设于所述炉体内， 所述保温层限定出安装空间， 所述长晶机构设于所述安装...
    2026-02-11
  • 一种新型氮化镓反应室加热结构及其使用方法
    一种新型氮化镓反应室加热结构及其使用方法_镓特半导体科技(铜陵)有限公司_202510865381.8
    本发明公开了一种新型氮化镓反应室加热结构及其使用方法， 包括：高温炉(103)、载台(106)和镓舟(101)；还包括：热电偶A(102)， 所述热电偶A安装在高温炉的侧壁用于检测炉内温度；石英罩(104)， 所述石英罩将镓舟的下部和载台笼...
    2026-02-11
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