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最新专利技术
  • 一种多尺寸电子载运片以及通孔加工方法
    一种多尺寸电子载运片以及通孔加工方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511020671.9
    本发明提供的一种多尺寸电子载运片通孔加工方法， 包括以下步骤：提供第一载运片Core层， 于该小尺寸刚性基材上同步加工形成若干第一通孔及至少两个第一靶点， 所述第一靶点分布于基材两端；将所述第一载运片Core层嵌入中空框架状的第二载运片Co...
    2025-12-07
  • 便于上板耐压隔离的加厚QFN封装管脚封装制备方法
    便于上板耐压隔离的加厚QFN封装管脚封装制备方法_江苏华创微系统有限公司_202511070437.7
    本发明公开了一种便于上板耐压隔离的加厚QFN封装管脚封装制备方法， 包括如下步骤：S1、将每个芯片固定在基板上；基板的多个引脚包括每个加固引脚和2n个第一类引脚， 2n个第一类引脚采用等间距排列；S2、将每个芯片均分别通过对应的焊线在经由装...
    2025-12-07
  • 半导体器件的形成方法及半导体器件
    半导体器件的形成方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202510978058.1
    本发明涉及一种半导体器件的形成方法及半导体器件。所述半导体器件的形成方法中， 先形成堆叠芯片单元， 再通过芯片‑晶圆键合将至少一个所述堆叠芯片单元键合到封装晶圆表面， 并在所述封装晶圆及其上的所述堆叠芯片单元表面形成第一填充覆盖层以进行晶圆...
    2025-12-07
  • 一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉
    一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉_北京中科同志科技股份有限公司_202510978535.4
    本发明涉及芯片封装技术领域， 提供一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉。TEC芯片封装压接方法包括：包括：TEC工件及治具进入等离子清洗区， 执行等离子清洗步骤；TEC工件及治具进入甲酸清洗区， 执行甲酸清洗步骤；TEC工件及治具...
    2025-12-07
  • 一种垂直芯片封装方法及芯片封装件
    一种垂直芯片封装方法及芯片封装件_深圳瑞沃微半导体科技有限公司_202511028762.7
    本申请提供了一种垂直芯片封装方法及芯片封装件， 包括步骤：转动所述垂直芯片使所述第二电极朝向放置所述封装电路的水平面， 并将所述垂直芯片放置在所述芯片放置区域；其中， 所述垂直芯片与所述第一连接点和所述第二连接点的间距不同；通过增材制造方式...
    2025-12-07
  • 一种半导体器件的封装控制方法及系统
    一种半导体器件的封装控制方法及系统_南通华隆微电子股份有限公司_202511357990.9
    本申请提供了一种半导体器件的封装控制方法及系统， 涉及半导体技术领域， 所述方法包括：以基于封装基板的芯片3D堆叠， 在半导体封装平台执行第一部署决策和第二部署决策， 确定器件封装模式；采用对称加工控制方式， 确定第一微孔对， 触发微控制器...
    2025-12-07
  • 一种集成电路结构件式3D扇出封装方法及其封装结构
    一种集成电路结构件式3D扇出封装方法及其封装结构_贵州振华风光半导体股份有限公司_202510762180.5
    一种集成电路结构件式3D扇出封装方法及其封装结构， 属于集成电路封装技术领域。采用分块一次模块化集成， 将两颗集成电路芯粒背对背粘接成双芯粒堆叠组件， 将铜柱通过是电绝缘保护结构制成TXV结构件， 将TXV结构件与单颗集成电路芯粒互连形成单...
    2025-12-07
  • 一种基于晶圆键合的微纳模具制造方法
    一种基于晶圆键合的微纳模具制造方法_北京理工大学_202510972772.X
    本发明公开了一种基于晶圆键合的微纳模具制造方法， 属于模具制造技术领域， 包括以下步骤：S1、模具成形端面制备：采用微纳加工技术在单晶材料上加工出具有微纳结构的模具成形端面；S2、模具基底制备：选用多晶材料加工成模具基底， 并对基底表面进行...
    2025-12-07
  • 电磁屏蔽结构制作方法和封装结构
    电磁屏蔽结构制作方法和封装结构_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511002235.9
    本发明涉及半导体封装技术领域， 具体为电磁屏蔽结构制作方法和封装结构， 包括：提供设有第一元件的衬底， 利用3D打印技术在衬底上形成屏蔽部， 所述屏蔽部由柔性电磁屏蔽材料与纳米导电材料复合构成， 并设于第一元件的外围；该步骤包括构建三维模型...
    2025-12-07
  • 一种高功率芯片封装结构及封装方法
    一种高功率芯片封装结构及封装方法_华天科技(昆山)电子有限公司_202511017081.0
    本发明公开了一种高功率芯片封装结构及封装方法， 该封装方法包括以下步骤：在硅晶圆的正面上制备重布线层；在所述重布线层上临时键合增厚支撑层， 所述增厚支撑层通过临时键合胶固定；对硅晶圆的背面进行减薄处理至目标厚度；在减薄后的硅晶圆背面制备介电...
    2025-12-07
  • 半导体器件和制造晶圆级基板的方法
    半导体器件和制造晶圆级基板的方法_星科金朋私人有限公司_202510416506.9
    本发明涉及半导体器件和制造晶圆级基板的方法。一种半导体器件具有嵌入条和沉积在该嵌入条上的封装材料。后部研磨该封装材料的第一表面， 以暴露嵌入条。在该封装材料的第一表面上形成第一积层互连结构。在该封装材料的第二表面上形成第二积层互连结构。
    2025-12-07
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510754296.4
    形成重构晶圆， 其包括彼此互连的中介层管芯的二维阵列和半导体管芯组的二维阵列。中介层管芯的二维阵列包括由介电负型光刻胶材料组成并嵌入远端重分布布线互连件的远端重分布介电层。光刻曝光工艺依序对介电负型光刻胶材料的区域进行光刻曝光。每个照明区域...
    2025-12-07
  • 连接器和半导体组件
    连接器和半导体组件_上海易卜半导体有限公司_202510776465.4
    本发明公开了一种连接器和半导体组件， 连接器包括连接板， 连接板具有本体和多个柱状触点， 每个柱状触点均包括导电段和焊接段， 导电段与本体相连， 焊接段包括第一子段和第二子段， 第一子段连接于导电段远离本体的一端， 第二子段连接于第一子段远...
    2025-12-07
  • 一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统
    一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统_深圳中宝新材科技有限公司_202510778215.4
    本发明提供一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统， 涉及电子封装技术领域。该一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统， 包括S1：基于铜丝键合生产线， 采用多传感器数据采集方法， 并通过数据清洗与归一化处理对实时采集的温度、压力、...
    2025-12-07
  • 一种基于液态金属的新型芯片封装方法
    一种基于液态金属的新型芯片封装方法_南宁桂电电子科技研究院有限公司_202510839161.8
    本发明提供一种基于液态金属连接芯片和基板的新型封装方法， 核心组件包括一种基于液态金属连接芯片和基板的新型封装方法。该方法的核心组件主要由环氧树脂(1)、芯片(2)、聚酰亚胺模具(3)、硅胶(4)和PCB基板(5)组成。其中， 芯片底部设计...
    2025-12-07
  • 封装件及其形成方法
    封装件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510910097.8
    本申请的实施例公开了封装件及其形成方法。形成封装件的方法包括在介电层上形成第一光刻胶层；使用第一光刻掩模在第一光刻胶层上执行第一曝光工艺， 其中在第一曝光工艺期间， 阻挡第一光刻胶层的第一区域被曝光， 曝光第一光刻胶层的第二区域， 并曝光第...
    2025-12-07
  • 一种半导体封装结构及其制作方法
    一种半导体封装结构及其制作方法_成都奕成集成电路有限公司_202510955697.6
    本申请提供一种半导体封装结构及其制作方法， 方法包括：提供第一重布线层；在所述第一重布线层的一侧连接至少一个桥接芯片；提供目标芯片封装结构；将所述导电柱远离所述第二重布线层一侧的端面与所述第一重布线层电连接， 以使所述目标芯片封装结构与所述...
    2025-12-07
  • 一种高可靠性封装方法及其封装产品
    一种高可靠性封装方法及其封装产品_广东气派科技有限公司_202510991102.2
    本发明公开一种高可靠性封装方法及其封装产品， 高可靠性封装方法包括以下步骤：在金属板上蚀刻出若干异形金属片， 通过绝缘件对所述异形金属片进行固定， 得到金属片复合件；在芯片上具有焊盘的一面涂覆绝缘层， 绝缘层上形成有凹槽， 凹槽与焊盘一一对...
    2025-12-07
  • 一种半导体结构及其制作方法、电子设备
    一种半导体结构及其制作方法、电子设备_成都奕成集成电路有限公司_202510994425.7
    本申请提供一种半导体结构及其制作方法、电子设备， 半导体结构的制作方法用于制作多个并联芯片的叠层半导体结构， 制作时由于并未使用倒装芯片工艺(Flip Chip Bonding， 简称FC)， 因此减少了高温暴露次数， 避免FC工艺中多次高...
    2025-12-07
  • 一种电容3D封装工艺方法
    一种电容3D封装工艺方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511027866.6
    本发明涉及电容封装技术领域， 尤其涉及一种电容3D封装工艺方法；技术问题：在日常使用电容封装工艺在3D封装中存在的基板面积利用率低、层间焊接不良及后处理复杂的问题；技术方案：一种电容3D封装工艺方法， 包括基板预处理、第一层电容焊接、第二层...
    2025-12-07
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