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一种等摩尔比七元高熵氧化物及其制备工艺
本发明属于无机非金属材料合成领域,具体涉及一种等摩尔比七元高熵氧化物及其制备工艺。所述制备工艺包括如下步骤:将七种氧化物粉末Al2O3、Y2O3、TiO2、ZrO2、NiO、CuO、CeO2按照摩尔比1:1:2:2:2:2:2放入球磨罐中,...
一种石墨电级接头降低成本提高质量的生产工艺
本发明涉及一种石墨电级接头降低成本提高质量的生产工艺,涉及石墨电极制造领域,先将压型坯焙烧形成整支焙烧坯,通过对该焙烧坯实施首次机械加工——将整支坯体切割为长度预留0‑20mm的单件坯段,同时车削或磨削其外形至与成品接头相同的几何轮廓并在径...
废阳极炭块的回收再生系统及方法
本发明涉及炭材料回收技术领域,且公开了废阳极炭块的回收再生系统及方法,系统包括预处理模块、热解再生模块、精炼成型模块以及中央控制单元,通过建立多级杂质分离机制,针对不同金属杂质类型分步执行靶向筛选,使得铁磁性金属与非铁金属杂质得以深度分离;...
一种原子层分相共生结构碳化物陶瓷及其制备方法
本发明属于结构陶瓷材料技术领域,具体涉及一种原子层分相共生结构碳化物陶瓷及其制备方法。为了解决当前极端环境用陶瓷材料韧性较低和不易加工的问题,本发明提供一种原子层分相共生结构碳化物陶瓷所述原子层分相共生结构碳化物陶瓷是由过渡金属元素M、C元...
一种抗辐照中熵陶瓷材料及其制备方法和应用
本发明属于核反应堆材料技术领域,具体涉及一种抗辐照中熵陶瓷及其制备方法和应用。为了使第四代反应堆的核心材料具有较好的抗辐照性能,本发明提供一种抗辐照中熵陶瓷材料,所述抗辐照中熵陶瓷材料的化学组成为(TiaZrbNbc)C;其中,a=5at%...
一种抗高温烧蚀(Hf-Zr-Ti-Ta)C四元中熵陶瓷及其制备方法
本发明属于陶瓷材料技术领域,公开了一种抗高温烧蚀(Hf‑Zr‑Ti‑Ta)C四元中熵陶瓷及其制备方法;首先将HfC、ZrC、TiC和TaC粉混合后,加入无水乙醇溶剂,进行球磨得到混合浆料;随后将混合浆料进行烘干和过筛,得到混合粉体,最后将充...
一种抗烧蚀型(Hf-Zr-Ta)C三元中熵陶瓷材料及其制备方法
本本发明属于陶瓷材料技术领域,公开了一种抗烧蚀型(Hf‑Zr‑Ta)C三元中熵陶瓷材料及其制备方法;首先将HfC、ZrC和TaC粉混合后,加入无水乙醇溶剂,进行球磨得到混合浆料;随后将混合浆料进行烘干和过筛,得到混合粉体,最后将充分混合的复...
一种超强微纳三维结构SiOC陶瓷的制备方法
本发明属于先进制造领域,尤其涉及一种超强微纳三维结构SiOC陶瓷的制备方法,包括以下步骤:将式(I)结构的液态聚碳硅烷和光引发剂混合后进行前烘处理,然后采用飞秒激光双光子聚合技术对其进行三维结构成型,之后进行无氧烧结,得到超强微纳三维结构S...
一种碳化硼防弹陶瓷材料及其制备方法
本发明属于防弹陶瓷制备技术领域,提供了一种碳化硼防弹陶瓷材料及其制备方法;首先,将三氧化钼在氢气氛围中进行还原处理,制备还原的二氧化钼;其次,将碳化硼、还原的二氧化钼及特定比例的助剂与溶剂混合,通过球磨工艺均匀混合后,经过真空干燥及过筛处理...
一种氢化钨/碳化硼复合中子屏蔽材料、制备方法及应用
本发明提供了一种氢化钨/碳化硼复合中子屏蔽材料、制备方法及应用,属于辐射屏蔽材料领域,按照质量比例包括:氢化钨5‑40份、碳化硼60‑90份、外加酚醛树脂10‑15份、分散剂0.1‑0.4份、pH调节剂0.02‑0.1份。本发明采用上述的一...
高密度C/SiC陶瓷复合材料的制备方法及其产品
本发明公开了一种高密度C/SiC陶瓷复合材料的制备方法及其产品,包括以下步骤:1)对碳纤维编织体进行脱胶和热解碳沉积,得到预制体;2)以聚碳硅烷为先驱体制备先驱体溶液,采用PIP工艺对预制体进行多次浸渍裂解处理,获得密度≥1.75g/cm3...
一种高绝缘性碳化硅金刚石复合材料及其制备方法
本发明提出了一种高绝缘性碳化硅金刚石复合材料及其制备方法,包括:S1、多级粒度金刚石颗粒混合后与酚醛树脂以乙醇为溶剂进行湿法混合,干燥后破碎成复合粉体A;S2、将AlN或Si3N4、Al₂O₃和Y₂O₃按比例混合后,与水性树脂按5‑15 w...
光固化3D打印TPMS结构碳化硅陶瓷及其制备方法
本发明属于碳化硅3D打印技术领域,具体涉及光固化3D打印TPMS结构碳化硅陶瓷及其制备方法。将碳化硅粉、氧化镁、氧化铈和光敏树脂混合均匀,得到碳化硅浆料,碳化硅粉中平均粒径为30~60μm的碳化硅粉和平均粒径为0.5~5μm的碳化硅粉的质量...
复合碳化硅材料及其制备方法
本发明提供一种复合碳化硅材料及其制备方法。本发明的复合碳化硅材料包括N层功能层和N‑1层界面层,第N‑1界面层位于第N功能层和第N‑1功能层之间,其中N为3‑5的正整数,功能层包括碳化硅材料和功能烧结助剂,第N功能层中碳化硅材料的粒径Dv9...
一种3D打印用碳化硅陶瓷浆料及其制备的陶瓷晶舟
本发明公开了一种3D打印用碳化硅陶瓷浆料及其制备的陶瓷晶舟,属于3D打印技术领域,所述碳化硅陶瓷浆料的制备方法包括:制备氧化处理后的碳化硅粉,复合处理,制备光敏树脂预混液,混合处理;所述制备氧化处理后的碳化硅粉,包括:微氧化处理,吸附处理,...
一种Si-O-M基固态电解质及其制备方法和电池应用
本申请提出了一种Si‑O‑M基固态电解质及其制备方法和电池应用。首先,将合成Si‑O‑M基固态电解质的原料制成固态电解质胚体然后特定氛围下进行相转化;最后高温焙烧和离子交换处理,制备得到所述Si‑O‑M基固态电解质。该固态电解质固相之间形成...
一种高透明AlON陶瓷的低温无压烧结制备方法
本发明提供了一种高透明AlON陶瓷的低温无压烧结制备方法,属于透明陶瓷的制备技术领域。本发明提供的高透明AlON陶瓷的低温无压烧结制备方法包括以下步骤:S1、将氧化钡加入到乙醇和AlON粉体中,以球磨介质进行球磨,经过筛、煅烧,得到AlON...
一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法
本发明涉及氮化硅瓷片技术领域,具体为一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法,包括以下步骤:S1制备纳米分散液;S2将六方多孔氮化硼加入纳米分散液中进行混合;S3将烧结助剂、硅粉和六方多孔氮化硼纳米混合液放入到球磨机中进行制浆,得到浆料;S4将浆料经...
一种玻璃包覆氮化硅陶瓷粉体的制备方法、氮化硅陶瓷
本发明公开了一种玻璃包覆氮化硅陶瓷粉体的制备方法、氮化硅陶瓷,涉及氮化硅光固化成型技术领域。本发明提供的制备方法,通过玻璃粉体与氮化硅粉体复配后进行真空煅烧处理,使玻璃粉体完全熔融为液相,熔融玻璃在真空条件下得以充分浸润并均匀包覆于氮化硅颗...
一种基于前驱体-熔渗剂改性的陶瓷基复合材料及制备方法
本发明公开了一种基于前驱体‑熔渗剂改性的陶瓷基复合材料及制备方法,属于陶瓷基复合材料基体改性领域,该方法首先制备液态的复相陶瓷前驱体,将液态复相陶瓷前驱体和熔渗剂粉末搅拌混合后,获得前驱体‑熔渗剂浆料,通过前驱体‑熔渗剂浆料固化后协同熔渗改...
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