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  • 本发明提供一种电磁波屏蔽材料及包括该电磁波屏蔽材料的电子零件以及电子设备,所述电磁波屏蔽材料在2层金属层之间具有包括磁性粒子及丙烯酸树脂的磁性层,并且上述磁性层的有机溶剂含量以质量基准计为5ppm以上且小于1000ppm。
  • 公开了一种BMU接地装置,包括:BMU,具有凸台孔;固定销,贯穿凸台孔,固定销由导电材料制成;以及壳体,位于BMU的下表面上,壳体配置为使BMU能够固定到其上,其中,固定销包括头部和主体,头部由BMU的上表面支撑,并且壳体包括:插入部,贯穿...
  • 一种生产支援装置,具备基于基板数据来生成识别数据的生成部,所述识别数据用于元件安装机的安装处理中的元件的识别处理,所述基板数据表示基板中包含元件的安装目标位置在内的规定区域的特征部。
  • 元件安装系统具备:多个生产线,生产搭载有元件的安装基板;一个或者多个补给装置;以及管理装置,管理补给装置。各生产线具有由安装有作为元件供给要素的送料器的多个元件供给单元排列而成的供给单元组。补给装置能够沿着经由各生产线的供给单元组的多个移动...
  • 工件吸附装置包括:吸嘴,具备以负压吸附工件的吸附面;第一负压产生装置及第二负压产生装置,使所述吸附面产生负压;第一通路,是将所述吸附面与所述第一负压产生装置相连的气体通路;第二通路,是至少一部分与所述第一通路不同的路径且是将所述吸附面与所述...
  • 根据本公开的一方面,在安装有用于移送部件供应带的至少一个送带机的一种部件供应装置中,所述部件供应带具有承载带及附着于所述承载带的覆盖带,其中,所述部件供应装置包括:供应器布置部,安装有所述送带机;移送管道部,设置于所述供应器布置部的一侧并引...
  • 本文公开了用于形成浮体效应减弱的3D动态随机存取内存元件的方法。在一个示例中,一种方法可以包括形成在第一方向上堆叠的多个层,所述多个层包括在第一氧化层上形成的栅极层,以及在一组栅极氧化层之间的源极/漏极(S/D)层。所述组栅极氧化层可以在所...
  • 垂直字线驱动器结构和方法。所述垂直字线驱动器包含用于驱动三维3D存储器结构中的字线的晶体管。垂直晶体管结构形成于包含全环绕栅极(GAA)结构或双栅极结构的半导体衬底中,所述垂直晶体管结构包括栅极氧化物、邻近于所述栅极氧化物的非晶IGZO(氧...
  • 本公开提供了一种电容器件和电子装置,涉及传感器技术领域。电容器件包括:第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板相对设置,且所述第一基板和所述第二基板之间设有第一腔室,所述第一基板被配置为可朝向所述第二基板弹性形变;第一极板,所述第一极...
  • 提供一种半导体装置,其具备具有上表面和下表面的半导体基板,在所述半导体基板设置有二极管部,所述二极管部具有第一导电型的第一阴极区、第二导电型的第二阴极区,所述第一阴极区和所述第二阴极区在第一方向上重复设置,所述第一阴极区和所述第二阴极区在所...
  • 提供一种具备晶体管部和二极管部的半导体装置,所述半导体装置具备:第一导电型的漂移区,其设置于半导体基板;多个沟槽部,其在所述半导体基板的正面侧沿着预先确定的沟槽延伸方向延伸;以及第二导电型的集电极区,其设置于所述漂移区的下方。所述晶体管部可...
  • 一种晶体管、驱动背板及制备方法和显示装置。晶体管包括第一有源部、第一源极、第一漏极和第一栅极。第一有源部包括第一源极区、第一漏极区和第一沟道区;第一沟道区设置于第一源极区和第一漏极区之间;第一有源部的材料包括第一半导体材料,第一漏极区还包括...
  • 提供一种通态电流大的晶体管。一种包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层及第二绝缘层的半导体装置。其中,第一绝缘层位于第一导电层上,第二导电层位于第一绝缘层上,第一导电层具有第一凹部,半导体层与第一凹部的底面及侧面、第一...
  • 一种用于形成半导体结构的欧姆触点的方法利用物理气相沉积膜。在一些实施方式中,此方法可包含在基板上的III‑V族半导体材料中形成至少一个凹部,在此半导体材料上形成掩模,其中至少此凹部未经遮蔽,使用物理气相沉积(PVD)工艺在此凹部中沉积金属氮...
  • 一种半导体器件包括:在第一方向和第二方向上延伸的第一栅极结构与第二栅极结构;在第一方向和第二方向上延伸的沉积在第一栅极结构与第二栅极结构之间的第一隔离结构;在第一方向上延伸的沉积在第一栅极结构与第一隔离结构之间的第一半导体结构;沉积在第一半...
  • 公开一种具有电介质通孔的半导体装置。半导体装置组合件可包含半导体裸片及在不同横向位置处与所述半导体裸片耦合的多个半导体裸片堆叠。介电材料可安置于所述半导体裸片处在所述多个半导体裸片堆叠之间。所述电介质通孔可完全延伸穿过所述介电材料而到所述半...
  • 本发明涉及一种用于涂覆和导电接触半成品电子产品(50)的具有至少一个集成电接触元件(11)的保护层压件(10)、一种用于制造具有至少一个集成电接触元件(11)的此类保护层压件(10)的方法、一种用于利用包括至少一个集成电接触元件(11)的此...
  • 本发明提高了半导体装置的光检测特性。该半导体装置包括电荷传输部。所述电荷传输部由MOS晶体管构成,所述MOS晶体管包括布置在半导体基板中的第一半导体区域、布置在所述半导体基板的表面附近的第二半导体区域以及多个垂直栅极,每个垂直栅极是布置为嵌...
  • 一种发光器件,所述发光器件包括:第一电极和第二电极,以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;所述发光器件还包括:载流子产生层和绝缘层,所述载流子产生层设置于所述发光层和所述第二电极之间;所述绝缘层设置于所述载流子产生层和所述第二电...
  • 本发明涉及一种包含式(I)化合物的电致发光器件和包含所述有机电致发光器件的显示器件。
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