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沉积件及沉积设备
本发明提供一种沉积件及沉积设备,所述沉积件包括沉积环、中心节点和多个支撑杆;所述中心节点设置于所述沉积环的中心位置,所述支撑杆的一端与所述中心节点连接,另一端与所述沉积环连接;所述支撑杆在所述沉积环的径向方向上呈弧形弯曲,且多个所述支撑杆的...
一种高温稳定型多元合金薄膜吸气剂及其制备方法
本发明涉及吸气合金领域,公开了一种高温稳定型多元合金薄膜吸气剂及其制备方法,薄膜吸气剂沉积于金属基体上,从所述基体向上依次包括:一扩散阻挡层,其材质为铬或铬合金;一热膨胀系数梯度过渡层,其材质选自铬锆合金、纯锆或其组合,所述梯度过渡层的热膨...
一种低温沉积方法及无源真空维持薄膜吸气剂
本发明涉及吸气合金领域,公开了一种低温沉积方法及无源真空维持薄膜吸气剂,提供沉积腔室,并将基片装载于样品台上,将所述样品台送入所述沉积腔室;向所述沉积腔室通入含硼的第一反应气体和含碳的第二反应气体;开启RF等离子体源进行低温沉积,通过控制所...
一种具有抗高温蒸汽氧化和阻扩散的(Cr/CrNb)/CrNb复合结构涂层及其制备方法
本发明公开了一种具有抗高温蒸汽氧化和阻扩散的(Cr/CrNb)/CrNb复合结构涂层,该复合结构涂层包括沉积在锆合金基底表面的Cr/CrNb过渡层和沉积在Cr/CrNb过渡层表面的CrNb合金涂层,CrNb合金涂层由粒径为500nm~800...
一种在复合铝集流体表面形成Cube织构铝层的方法
本发明提供一种在复合铝集流体表面形成Cube织构铝层的方法,包括以下步骤 : 步骤S1、提供高分子基膜,所述高分子基膜表面经等离子体处理形成活性官能团; 步骤S2采用磁控溅射或真空蒸镀法沉积铝层,真空度为0.5*10‑3Pa‑5x10‑3 ...
沉积件及沉积设备
本发明提供一种沉积件及沉积设备,所述沉积件包括:沉积环、中心节点以及多个支撑杆;所述中心节点设置于所述沉积环的中心位置;所述支撑杆的第一端与所述中心节点连接,所述支撑杆的第二端与所述沉积环连接,所述支撑杆具有绕自身轴线的扭转;多个所述支撑杆...
一种高透过低反射Low-E镀膜加工装置
本发明涉及镀膜加工技术领域,提出了一种高透过低反射Low‑E镀膜加工装置,加工箱,所述加工箱的侧面转动连接有箱轴,所述箱轴的圆周面固定连接有箱盖,所述箱盖的侧面固定连接有把手,所述加工箱的侧面设置有调控设备,所述调控设备的侧面设置有触控屏,...
钙钛矿薄膜的真空闪蒸设备及使用方法
本发明公开了钙钛矿薄膜的真空闪蒸设备及使用方法,涉及真空镀膜技术领域,包括真空机,所述真空机顶部安装有闭合机构,所述真空机内部设置有上料机构,所述上料机构上安装有放料机构,所述闭合机构与所述上料机构相连接;所述闭合机构包括盖板,所述上料机构...
一种用于真空蒸镀机的防断型晶振系统
本发明涉及真空蒸镀机的晶振系统技术领域,具体为一种用于真空蒸镀机的防断型晶振系统,包括第一旋转机构以及安装在其下端外侧的支撑环组件,并且支撑环组件的下方内部连接有待镀膜的载具,所述第一旋转机构内部空腔内套设有第二旋转机构,且第二旋转机构的旋...
一种膜层及制备方法、钙钛矿电池的制备方法
本申请提供一种膜层及制备方法、钙钛矿太阳能电池的制备方法,膜层的制备方法包括:向孪生靶输入中频交流电进行溅射,孪生靶的材料包括金属氧化物,金属氧化物的电导率大于2S/m;通过孪生靶溅射的原子沉积在衬底上形成膜层。本申请提供的膜层及制备方法、...
用于半导体工艺的快速气体输送系统
本发明涉及一种用于半导体工艺的快速气体输送系统。具体地,本发明涉及一种用于半导体制造的ALE工艺系统的快速气体输送系统。该系统具有真空操作腔室,RF功率发生器和衬底基座,并且该系统利用了MFCs。这些MFCs处于训练模式和/或推理模式,来确...
磁控溅射镀膜用的靶材组成及磁控溅射镀膜装置
本发明涉及磁控溅射技术领域,具体涉及一种磁控溅射镀膜用的靶材组成及磁控溅射镀膜装置。该靶材组成包括:多通道连接接头适于安装在相互连通的第一待镀管的管腔内和/或第二待镀管的管腔内;第一溅射靶适于穿设在第一待镀管的管腔内;至少一条第二溅射靶适于...
一种提高复合集流体磁控溅射效率的方法及磁控溅射装置
本发明提供一种提高复合集流体磁控溅射效率的方法,包括以下步骤:(c)设定并维持所述溅射靶材的溅射表面与所述复合集流体基膜的待镀膜表面之间的距离在预设的最佳距离范围内进行溅射镀膜;其中,所述最佳距离范围为溅射靶材阴极暗区直径的0.8倍至1.5...
一种基于磁控溅射的仿骨型灭火玻璃球表面导电膜镀膜方法
本发明公开了一种基于磁控溅射的仿骨型灭火玻璃球表面导电膜镀膜方法,包括如下步骤:S1、清洗玻璃球;S2、对玻璃球表面进行活化;S3、先利用激光热效应形成抗镀膜屏障后再镀膜,并形成观察窗;S4、等离子体辅助退火。本发明基于磁控溅射的仿骨型灭火...
一种在Ti基体表面制备单相Ti3Au镀层的方法
本发明公开了一种在Ti基体表面制备单相Ti3Au镀层的方法,包括以下步骤:基材前处理;磁控溅射镀膜;退火处理得到单相Ti3Au镀层。本发明采用磁控溅射技术在Ti基双极板表面沉积Au元素涂层,通过后续氮气气氛条件下的退火处理,使涂层元素在高温...
一种磁控溅射环件及其制备方法
本发明涉及一种磁控溅射环件及其制备方法,所述磁控溅射环件包括环状主体和凸结体,所述环状主体包括环体、上肩部平台和下肩部平台;所述上肩部平台与环体的顶部连接且沿朝向环体圆心的方向延伸,所述上肩部平台的上表面设置第一滚花;所述下肩部平台与环体的...
一种阴极装置及制作方法
本申请涉及一种阴极装置及制作方法,所述阴极装置包括阴极管、阴极罩、靶材固定装置、磁轭、法兰组件、冷却系统,阴极罩内固定安装阴极管,阴极管包括阴极管主体、绝缘组件、接头组件,阴极管主体包括过渡环、冷却密封板、进水接头、出水接头、底座,底座中设...
具有梯度结构隔热涂层的电池金属外壳的制备方法及电池单体
本发明涉及电池单体技术领域,具体涉及具有梯度结构隔热涂层的电池金属外壳的制备方法及电池单体;包括如下步骤:S1、预处理电池金属外壳,对其外表面进行物理气相沉积,获得镀膜电池金属外壳;所述镀膜为镀Ti膜或镀TiZr膜;S2、而后对所述镀膜电池...
一种磁控溅射镀膜机
本发明涉及镀膜设备技术领域,具体公开了一种磁控溅射镀膜机,包括镀膜室以及连通设置于镀膜室上的抽真空组件,镀膜室上设有可启闭的室门,镀膜室内设有工件安装组件,并在工件安装组件的下方设有电子枪,电子枪设于镀膜室内底部,电子枪的输出端设有坩埚,室...
复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池
本申请涉及二次电池技术领域,具体涉及复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池。本申请的复合集流体的制备方法,包括以下步骤:取聚合物基膜,采用第一导电材料进行第一处理,于聚合物基膜的至少一侧表面制备第一导电种子层;以第一导电种子层远离聚合物基...
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