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最新专利技术
  • 一种电化学抛光电解液与电化学抛光方法
    一种电化学抛光电解液与电化学抛光方法_立铠精密科技(盐城)有限公司_202511217117.X
    本发明提供了一种电化学抛光电解液与电化学抛光方法，所述电化学抛光电解液包括电解质、缓蚀剂、添加剂和溶剂，所述添加剂包括乙二醇、糖精、亚硝酸钠或硫酸铜中的任意一种或至少两种的组合。本发明中，电解质、缓蚀剂和添加剂相互配合，能够精准控制腐蚀量，...
    2026-03-02
  • 基于协同酸性电解液的电化学去核退役设施氧化层方法
    基于协同酸性电解液的电化学去核退役设施氧化层方法_南京航空航天大学_202511227003.3
    本发明公开了基于协同酸性电解液的电化学去核退役设施氧化层方法，涉及清洁技术领域。将污染金属构件为阳极，惰性电极为阴极，浸入低浓度酸性介质的协同酸性电解液中，温度低于40℃，采用高压直流电解模式，将污染金属构件表面氧化层剥离至暴露清晰晶界。通...
    2026-03-02
  • 一种锡基钙钛矿晶体及其制备方法和应用
    一种锡基钙钛矿晶体及其制备方法和应用_上海工程技术大学_202511290729.1
    本发明涉及一种锡基钙钛矿晶体的制备方法和应用，所述的锡基钙钛矿晶体的生长方法包括以下步骤：将锡前驱体溶于氢碘酸溶液中，加热搅拌得到淡黄色溶液，随后加入次亚磷酸并持续搅拌得到无色透明溶液；向溶液中加入醋酸甲脒，升高温度继续搅拌得到含有锡钙钛矿...
    2026-03-02
  • 一种铸造法晶体生长界面调控方法及装置
    一种铸造法晶体生长界面调控方法及装置_杭州镓仁半导体有限公司_202511183285.1
    本申请公开了一种铸造法晶体生长界面调控方法及装置，涉及晶体生长领域，该方法包括获取晶体的生长前数据和生长过程数据；将所述生长前数据和所述生长过程数据输入至训练好的神经网络模型中，得到预测生长界面参数；基于所述预测生长界面参数对晶体的生长界面...
    2026-03-02
  • 一种高占比13N锗单晶及其制备方法
    一种高占比13N锗单晶及其制备方法_有研国晶辉新材料有限公司_202511053942.0
    本发明涉及单晶制备技术领域，具体公开一种高占比13N锗单晶及其制备方法。本发明提供的高占比13N锗单晶的制备方法通过控制提拉单晶的步骤将制备得到的锗单晶分为杂质晶段和纯化晶段，锗单晶中的杂质集中分布在杂质晶段，降低了纯化晶段的杂质含量，然后...
    2026-03-02
  • 一种快速停炉冷却工艺
    一种快速停炉冷却工艺_内蒙古中环晶体材料有限公司_202410676146.1
    本申请提供一种快速停炉冷却工艺，步骤包括：停炉时，控制炉压在预设的高压区间内，以调整炉内气流，使炉内热量被排出炉体外；降低炉内压力至真空状态，判断炉体气密性是否合格；若合格，调整炉压至常压，取出单晶。本申请一种快速停炉冷却工艺，控制炉内炉压...
    2026-03-02
  • 用于液相法稳定生长碳化硅单晶的装置及工作方法
    用于液相法稳定生长碳化硅单晶的装置及工作方法_常州臻晶半导体有限公司_202511623680.7
    本发明属于化学冶金技术领域，具体涉及一种用于液相法稳定生长碳化硅单晶的装置及工作方法，本用于液相法稳定生长碳化硅单晶的装置包括：内坩埚，其侧壁内开设有环形腔室，所述环形腔室开设有若干层与内坩埚连通的排液孔组；外坩埚，套设在内坩埚的外围，其腔...
    2026-03-02
  • 一种半导体级硅单晶生长用石英坩埚及其制备方法
    一种半导体级硅单晶生长用石英坩埚及其制备方法_江西磐盟半导体科技有限公司_202511219071.5
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，公开了一种半导体级硅单晶生长用石英坩埚及其制备方法。该石英坩埚包括：由内向外依次设置的超惰性钝化涂层、内层和外层；所述超惰性钝化涂层形成于所述内层的最内表面；所述超惰性钝化涂层为非晶玻璃态；所述外层由天然石...
    2026-03-02
  • III族氮化物半导体的制造方法以及晶种基板
    III族氮化物半导体的制造方法以及晶种基板_丰田合成株式会社_202510707923.9
    本发明提供一种能够抑制晶种的位错传播至上部的III族氮化物半导体的制造方法。III族氮化物半导体的制造方法具有向混合有III族金属和助熔剂的混合熔融液中供给包含氮的气体，在晶种基板(9)上培育III族氮化物半导体的晶体生长工序，晶种基板(9...
    2026-03-02
  • 一种液相法碳化硅晶体生长控制装置
    一种液相法碳化硅晶体生长控制装置_山东力冠微电子装备有限公司_202511162914.2
    本发明属于半导体晶片加工技术领域，具体公开了一种液相法碳化硅晶体生长控制装置，包括燃烧炉本体，所述燃烧炉本体内壁下部连接有底板，所述底板下端中部连接有支撑机构，所述燃烧炉本体上端中部连接有支撑环，所述支撑环上端连接有晶体重量检测传感器，所述...
    2026-03-02
  • 一种氮化镓外延片生长托盘支撑设备
    一种氮化镓外延片生长托盘支撑设备_中科空间半导体科技(北京)有限公司_202511209726.0
    本发明涉及氮化镓生产技术领域，具体地涉及一种氮化镓外延片生长托盘支撑设备，包括定位部件，定位部件的顶端固定安装有封盖，定位部件的底端固定安装有导送装置，导送装置包括第一液压缸、推杆、第一接触杆、第一光电感应器、第一齿条、第一齿轮、第二齿轮、...
    2026-03-02
  • 一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备
    一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备_青岛赛瑞得伟创电子科技有限公司_202511328390.X
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体为一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备。具体内容如下：对衬底进行预处理，制备出衬底的微观坑槽，根据相图信息，制备均匀溶液；在多区控温外延炉中设定温度梯度，通过舟装置对衬底外延生长进行控制，将衬底...
    2026-03-02
  • 一种碳化硅制造用加热装置
    一种碳化硅制造用加热装置_江苏兑尚半导体科技有限公司_202511228466.1
    本发明涉及晶体生长设备技术领域，且公开了一种碳化硅制造用加热装置，包括自动控温升降组件以及辅助升降控制机构，本发明通过自动控温升降组件以及辅助升降控制机构输入稳定的工作电流控制坩埚进行位置移动，坩埚移动至碳化硅制造装置内部进行碳化硅加工过程...
    2026-03-02
  • 一种碳化硅升华法晶体的生长调控方法、装置及电子设备
    一种碳化硅升华法晶体的生长调控方法、装置及电子设备_浙江晶越半导体有限公司_202511605269.7
    本说明书实施例公开了一种碳化硅升华法晶体的生长调控方法、装置及电子设备。该方法包括获取碳化硅晶体的参数数据，以根据参数数据模拟碳化硅晶体对应的物理场数据；基于物理场数据，确定碳化硅晶体的当前生长阶段，并确定当前生长阶段对应的第一预测模型；以...
    2026-03-02
  • 一种碳化硅化学气相沉积反应设备及方法
    一种碳化硅化学气相沉积反应设备及方法_浙江晶越半导体有限公司_202511597780.7
    本发明涉及公开了一种碳化硅化学气相沉积反应设备及方法。涉及半导体材料成型技术领域。本申请具体包括导流腔体和长晶腔体，导流腔体中设有第一气体通道和第一加热件，第一气体通道呈折弯状延伸，第一加热件在第一气体通道的内壁均匀分布；长晶腔体中设有第二...
    2026-03-02
  • 一种单晶富锂正极材料及其制备方法和应用
    一种单晶富锂正极材料及其制备方法和应用_河南师范大学_202511316398.4
    本发明公开了一种单晶富锂正极材料及其制备方法和应用，将过渡金属源、纳米金属粉和锂源通过机械混合得到前驱体混合物；然后经过烧结，随炉冷却至室温，即得到表面包覆尖晶石层和金属离子掺杂的所述单晶富锂正极材料。该材料具有高振实密度、优异倍率和循环稳...
    2026-03-02
  • 一种铌钽氧氟酸铵盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用
    一种铌钽氧氟酸铵盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用_同济大学_202511270968.0
    本发明涉及一种铌钽氧氟酸铵盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用，所述材料的化学式为(NH4)5(NbOF4)(TaF7)2，该晶态材料属于四方晶系，空间群为I4cm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。在1064nm激光辐照下，本发明...
    2026-03-02
  • 一种稳定钛酸铝晶须及基于非水沉淀法制备稳定钛酸铝晶须的方法与应用
    一种稳定钛酸铝晶须及基于非水沉淀法制备稳定钛酸铝晶须的方法与应用_景德镇陶瓷大学_202511244758.4
    本发明提供了一种稳定钛酸铝晶须及基于非水沉淀法制备稳定钛酸铝晶须的方法与应用，属于高性能无机材料技术领域。本发明通过以异丙醇铝、乙醇铝为铝源，钛酸丁酯、钛酸乙酯为钛源，乙酸镁、乙醇镁为掺杂剂，钼酸钠和氯化钠为熔盐，并将其加入有机溶剂中，获得...
    2026-03-02
  • 一种适用于PVT法提高坩埚使用寿命和晶体质量的圆台石墨坩埚
    一种适用于PVT法提高坩埚使用寿命和晶体质量的圆台石墨坩埚_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202511188478.6
    本申请涉及晶体生长技术领域，公开了一种适用于PVT法提高坩埚使用寿命和晶体质量的圆台石墨坩埚，旨在解决现有PVT法碳化硅单晶生长中坩埚内壁化学侵蚀及有害碳颗粒传输问题。该圆台石墨坩埚其特征在于，包括：圆台形状的坩埚主体，内壁涂覆由碳化硅和硼...
    2026-03-02
  • 一种气相法制备碳化硅晶体的生长炉及生长方法
    一种气相法制备碳化硅晶体的生长炉及生长方法_浙江德奥半导体科技有限公司_202511599476.6
    本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种气相法制备碳化硅晶体的生长炉及生长方法，包括炉体，炉体包括加热炉、保温层、设置在保温层内的底托与坩埚、设置在保温层中间的隔离组件；填料机构、填料机构设置在隔离组件内且用于将原料填入到坩埚中并在长...
    2026-03-02
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