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  • 本公开提供一种电子部件,能够抑制迁移等不良情况的产生。电子部件(1)具备:绝缘体(3),层叠了多个绝缘基板,上述多个绝缘基板分别包含侧面电极(21)~(24)以及内部电极(11)~(14);以及外部电极(41)~(44),与侧面电极(21)...
  • 本发明涉及一种弹簧片(10),用于使多个位于第一平面中、相互绝缘的触点(20)分别电接触,其中,弹簧片(10)具有:支撑体(11),用于支撑在位于第一平面中的表面上;与支撑体(11)连接的变形体(12);以及多个布置在变形体(12)上、与支...
  • 一种用于保护、控制和监控电中程范围开关设备的设备,该设备包括对嵌入在开关设备的瓶内的罗氏线圈的使用,并且瓶环绕主电源的电压和电流的流动,电容式或类似的分压器也同样围绕主电源并延伸至瓶周围,并且从这些设备中提供模拟信号至集成电路,用于转换成数...
  • 保险丝单元(10)具备:与对象部件电连接的第一端子(20);与布线部件直接或间接地电连接的第二端子(30);覆盖第一端子(20)的一部分和第二端子(30)的一部分的树脂部(40);及芯片保险丝(50),树脂部(40)维持第一端子(20)与第...
  • 一种用于分析和/或处理样品(10)的柱体(102),该样品为例如用于光刻设备的掩模,该柱体包含粒子源(104),其配置成沿第一方向(R1)将粒子束(106)发射到该样品(10)上;检测器装置(214、216),其配置成检测沿与第一方向(Rl...
  • 一种用于用带电粒子扫描样品并且检测从样品发射的信号带电粒子的带电粒子光学装置,带电粒子光学装置包括:带电粒子光学设备,被配置为将带电粒子束引导到样品的视场上;包括多个检测器元件的检测器,检测器元件被配置为检测从视场内的相应位置发射的信号带电...
  • 提供了用于远程等离子体源使用点的方法和设备。在实施例中,远程等离子体设备包括:壳体,所述壳体围绕空腔;第一导体,所述第一导体围绕所述壳体的第一部分;第二导体,所述第二导体围绕所述壳体的第二部分,其中所述壳体的所述第一部分与所述壳体的所述第二...
  • 一些实施例涉及一种调谐电路。调谐电路通常包括:第一阻抗;第二阻抗,耦合到第一阻抗;变压器,具有初级绕组及磁性耦合到初级绕组的次级绕组,其中初级绕组耦合到调谐电路的控制输入;以及信号路径,与第一阻抗或第二阻抗并联耦合,其中次级绕组系与第一阻抗...
  • 在一些例子中,一种设备可以包括平流流动结构,所述平流流动结构包括用以通过气体流经由平流将烧蚀样品从烧蚀区域输送至电离区域的通路。
  • 一种闪光灯(1),其具备:灯壳体(2),其封入有非活性气体且被密封;阴极(20)及阳极(30),产生电弧放电;触发电极(40),其在电弧放电之前进行预备放电;以及多个火花件(60、70),促进用于电弧放电启动的离子化。多个火花件(60、70...
  • 本发明提供能够有效地去除附着于被清洗物的磨粒和有机成分的清洗液、使用该清洗液的清洗方法以及半导体元件的制造方法。一种用于去除磨粒的清洗液,其包含具有酸性基团的氟聚合物和水。
  • 本公开的膜形成用组合物为用以形成拒水性膜的膜形成用组合物,包含(I)甲硅烷基化剂、(II)含氯甲硅烷基酯化合物与(III)非质子性溶剂。
  • 本发明提供一种半导体器件处理用组合物及使用上述半导体器件处理用组合物的修饰基板的制造方法,上述半导体器件处理用组合物在与具有包含金属原子的第1表面及不包含金属原子的第2表面的基板接触时,能够优先在第1表面形成被膜,并且在保存后也能够优先在第...
  • 所公开和要求保护的主题涉及用于进行金属(包括Ti、Co、Ni、Cu、Mo、Ru、Ta和/或W)及其化合物(如氧化物、氢氧化物、羟基氧化物、碳酸盐、碳化物、氟化物或氯化物)的选择性热气相蚀刻的方法,其不需要使用等离子体或卤化的挥发剂。
  • 一种探针装置,其具备支撑检测对象的支撑部,和移动所述支撑部,调整所述支撑部的姿态的驱动部,以及控制部,所述控制部执行:(a)处理,控制所述驱动部,从而将所述检测对象定位于预定位置,(b)处理,基于测量所述检测对象的特性的测量结果,检测所述检...
  • 本发明描述与具有用于在制造期间检测接合空隙的一或多个电介质结构的半导体设备相关的方法、设备及系统。在一些实施例中,半导体晶片包含所述电介质结构。在将所述晶片接合到另一结构之后,可跨所述电介质结构及所述另一晶片测量电容。所述所测量电容可用于检...
  • 一种元件包括衬底和在衬底上的表面层。表面层包括:至少一个第一区域,其包括光学透明并且电绝缘的第一材料;以及至少一个第二区域,其至少部分地被嵌入至少一个第一区域中。该至少一个第二区域包括光学透明并且导电的第二材料。
  • 本公开提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包含第一半导体裸片及第二半导体裸片。所述第一半导体裸片具有第一介电材料层及安置于所述第一介电材料层的第一开口中的第一导电垫。所述第二半导体裸片具有面向所述第一介电材料层的第二介电材料层,及...
  • 一种示例方法(100)包含在引线框架的多层衬底中形成空腔(102)。所述空腔从所述引线框架的第一衬底表面延伸到所述多层衬底中以界定空腔底板,所述空腔底板通过空腔侧壁与所述第一衬底表面间隔开,且至少一个导电端子在所述空腔底板上。所述方法还包含...
  • 提供了半导体器件和方法。在一个示例中,一种半导体器件包括有源区,该有源区包括一个或多个有源半导体单元。该半导体器件在有源区上包括金属化结构。该金属化结构包括铍。
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