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最新专利技术
  • 导电性粘接膜膜及其制造方法、连接体及其制造方法
    导电性粘接膜膜及其制造方法、连接体及其制造方法_迪睿合株式会社_202480033122.2
    提供导电性粘接膜，其能够高效使用导电粒子，且能够与电子部件的电极尺寸的微细化或窄间距化对应，能够确保连接电极间的导通可靠性和邻接电极间的绝缘性。导电性粘接膜(1)具有基材(2)和设置于基材(2)的一个面并含有导电粒子(3)的粘接材料层(4)...
    2025-12-24
  • 采用区域概念的控制装置
    采用区域概念的控制装置_舍弗勒技术股份两合公司_202480031568.1
    本发明涉及用于电动机动车辆的控制装置(1)，该控制装置具有壳体(2)，该壳体界定位于壳体(2)外侧的外部区域(3)与位于壳体(2)内侧的内部区域(4、5、6)，其中，在第一内部区域(4)中布置有线路(7)，在第二内部区域(5)中布置有滤波器...
    2025-12-24
  • 散热机构、主机及显示系统
    散热机构、主机及显示系统_京东方科技集团股份有限公司_202480000705.5
    一种散热机构、主机及显示系统。散热机构(11)包括壳体组件(111)及散热组件(112)。壳体组件(111)包括本体(1111)和两个相对设置的支臂(1112)。两个支臂(1112)分别设置于本体(1111)的相背两侧，并合围成挂设空间(1...
    2025-12-24
  • 电子设备及冷却电子设备的方法
    电子设备及冷却电子设备的方法_通快霍廷格有限责任公司_202480033686.6
    一种电子设备(10)、特别是用于在等离子体处理中对基板进行偏置的高功率(HP)、高电压(HV)脉冲电力供应装置，所述电子设备(10)包括：‑多个电气部件(15)，所述多个电气部件能够在设备(10)处于使用中时产生热；‑容器(12)，在该容器...
    2025-12-24
  • 电子设备及冷却电子设备的方法
    电子设备及冷却电子设备的方法_通快霍廷格有限责任公司_202480033687.0
    一种电子设备(10)、特别是用于在等离子体处理中对基板进行偏置的高功率(HP)、高电压(HV)脉冲电力供应装置，所述电子设备(10)包括：‑多个电气部件(15)，所述多个电气部件能够在设备(10)处于使用中时产生热；‑容器(12)，在该容器...
    2025-12-24
  • 半导体装置、电力转换装置、半导体装置的制造方法以及电力转换装置的制造方法
    半导体装置、电力转换装置、半导体装置的制造方法以及电力转换装置的制造方法_三菱电机株式会社_202480031030.0
    即便在施加了高电压的情况下也抑制电极的熔化。本申请说明书中公开的技术所涉及的半导体装置具备在单元区域中从基极区域的上表面到达漂移层内而形成的至少1个第1槽、在俯视下包围单元区域的终端区域中从基极区域的上表面到达漂移层内而形成的第2槽、源极区...
    2025-12-24
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480032604.6
    提供一种具有良好电特性的半导体装置。该半导体装置包括晶体管及第一绝缘体，晶体管包括第一导电体、第一导电体及第一绝缘体上的第二导电体、氧化物半导体、第二绝缘体及第三导电体，第一绝缘体及第二导电体中设置有到达第一导电体的开口部，第一导电体设置有...
    2025-12-24
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480027012.5
    提供一种占有面积小的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一晶体管包括第一导电层、第二导电层及第一半导体层。第二晶体管包括第三导电层、第三绝缘层及第二半导体层。第一绝缘层位于第一导电层上并且具有到达第...
    2025-12-24
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480033026.8
    提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置或存储装置。在半导体装置中，隔着第一绝缘层位于不同高度的第一导电层和第二导电层是第一晶体管的源电极和漏电...
    2025-12-24
  • 具有多长度栅极电极的集成电路器件
    具有多长度栅极电极的集成电路器件_英特尔公司_202380098174.3
    IC器件包括具有多个长度的栅极电极。位于半导体结构中的沟道区域之上的栅极电极的第一部分的长度可以比位于另一半导体结构中的沟道区域之上的栅极电极的第二部分的长度更长(例如，约0.5‑3nm)。栅极电极的两个部分处的间距可以相同或基本上相似。可...
    2025-12-24
  • 半导体气隙间隔物及其制造方法
    半导体气隙间隔物及其制造方法_应用材料公司_202480027247.4
    本揭示案之实施例有利地提供了半导体组件，尤其系鳍式场效晶体管(FinFET)，以及制造具有提高的有效电容(Ceff)的此类组件的方法。FinFET包括闸极结构，其中藉由使安置在闸极结构与间隔物层之间的高介电常数材料层凹入来提供气隙，藉此降低...
    2025-12-24
  • CMOS装置的金属硅化物上的金属处理
    CMOS装置的金属硅化物上的金属处理_应用材料公司_202480026973.4
    在半导体结构中形成电触点的方法包括对具有用于p型金属氧化物半导体(p‑MOS)装置的p型半导体区的半导体结构执行孔穴成形工艺，孔穴成形工艺包含在p型半导体区的暴露表面中形成第一孔穴，执行第一选择性沉积工艺以选择性在第一孔穴中形成第一孔穴触点...
    2025-12-24
  • 半导体装置、匹配电路以及滤波电路
    半导体装置、匹配电路以及滤波电路_株式会社村田制作所_202480033092.5
    本发明提供一种半导体装置(1)，具备：基板(10)；绝缘层(21)，设置在基板(10)上；第一电极层(22)，设置在绝缘层(21)上；介电膜(23)，设置在第一电极层(22)上；第二电极层(24)，设置在介电膜(23)上；耐湿膜(25)，覆...
    2025-12-24
  • 使用器件级封装制造串联太阳能电池器件
    使用器件级封装制造串联太阳能电池器件_应用材料公司_202480027272.2
    一种方法包括获得一组串联太阳能电池器件，并在该组串联太阳能电池器件中的每个串联太阳能电池器件上，通过沉积处理形成离散的封装层，该封装层位于串联太阳能电池器件的上表面及侧表面上。
    2025-12-24
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480031861.8
    根据本公开的实施方案的光检测装置包括：第一像素和第二像素，它们分别具有对光进行光电转换的第一电转换元件；第一滤光器，其与所述第一像素对应地设置；第二滤光器，其与所述第二像素对应地设置；第一导光构件，其设置在所述第一滤光器与所述第二滤光器之间...
    2025-12-24
  • 传感器元件和距离测量系统
    传感器元件和距离测量系统_索尼半导体解决方案公司_202480033008.X
    本公开涉及能够在保持像素尺寸的同时实现更高性能的传感器元件和距离测量系统。本公开的传感器元件包括：传感器基板，其针对每个像素设置有单光子雪崩二极管(SPAD)；互补金属氧化物半导体(CMOS)基板，其堆叠在所述传感器基板上，并设置有用于读取...
    2025-12-24
  • 用于防止基于钙钛矿的太阳能电池模块的电池劣化的后处理方法及通过其处理的基于钙钛矿的太阳能电池模块
    用于防止基于钙钛矿的太阳能电池模块的电池劣化的后处理方法及通过其处理的基于钙钛矿的太阳能电池模块_韩华思路信株式会社_202480033022.X
    本发明涉及用于防止电池劣化的后处理方法以及通过所述方法后处理的基于钙钛矿的太阳能电池，通过所述方法可以防止或最小化由于在基于钙钛矿的太阳能电池模块的制造过程期间不可避免地发生的电池热劣化而引起的太阳能电池效率降低的问题。
    2025-12-24
  • 通过光子烧结制造电子部件中的金属接触的方法
    通过光子烧结制造电子部件中的金属接触的方法_弗劳恩霍夫应用研究促进协会_202480032336.8
    本发明涉及一种用于制造电子部件中的至少一个金属接触的方法，包括以下步骤：‑通过化学气相沉积在半导体衬底(1)的正面施加单层或多层金属涂层(4)，其中金属涂层包括由银、铝或铜或这些金属的合金制成的层，作为顶部金属层(3)，‑使用含有金属颗粒和...
    2025-12-24
  • 波长选择性多层制品和包括该制品的太阳能阵列
    波长选择性多层制品和包括该制品的太阳能阵列_3M创新有限公司_202480031550.1
    提供了波长选择性多层制品，该波长选择性多层制品包括聚合物多层光学膜和无机多层光学膜。聚合物多层光学膜在800nm至1200nm、1200nm至1600nm或800nm至1600nm的波长范围内的至少30纳米波长反射带宽内，反射垂直入射光。无...
    2025-12-24
  • 在聚结选择性区域生长纳米柱上的光发射器
    在聚结选择性区域生长纳米柱上的光发射器_4233999加拿大股份有限公司_202480020755.X
    一种光发射结构，具有生长在源自纳米柱的聚结衬底上的量子阱。晶体结构缺陷非常低，产光效率良好。通过在较低温度下生长纳米柱，使量子阱结构更好地与聚结衬底匹配，并且提高效率。
    2025-12-24
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