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最新专利技术
  • 随机接入
    随机接入_诺基亚技术有限公司_202380098789.6
    用于通信网络中的随机接入的方法、装置以及系统被公开。
    2026-01-17
  • 通信方法、通信设备、通信系统、存储介质
    通信方法、通信设备、通信系统、存储介质_北京小米移动软件有限公司_202480038278.X
    本公开提出一种通信方法、装置、设备及存储介质，方法包括：接收网络设备发送的配置信息，所述配置信息用于配置至少一个第一资源集和/或至少一个第二资源集；所述第一资源集中的一个或多个资源用于进行窄带物理随机接入信道NPRACH的正交覆盖码OCC复...
    2026-01-17
  • 通信设备、控制方法和程序
    通信设备、控制方法和程序_佳能株式会社_202480035941.0
    一种起接入点的作用的通信设备向用户提供设置画面，所述设置画面能够用于指定接入点设备在特定频带中的操作信道的操作设置。控制所述设置画面，以防止经由所述设置画面将与推荐扫描信道不同的信道选择为接入点在特定频带中的操作信道的操作设置。
    2026-01-17
  • 通信方法、网元、通信系统及存储介质
    通信方法、网元、通信系统及存储介质_北京小米移动软件有限公司_202480001134.7
    本公开实施例提出了一种通信方法、网元、通信系统及存储介质；通信方法由第一网元执行，包括：接收3GPP接入设备发送的第一会话和/或第二会话的第一建立请求，其中，第一会话是双3GPP接入设备使用第一SUPI建立的PDU会话，第二会话是双3GPP...
    2026-01-17
  • 指示非连续接收不允许状态
    指示非连续接收不允许状态_诺基亚技术有限公司_202480040085.8
    本公开的实施例涉及设备、方法、装置和计算机可读存储介质。该方法包括：在进入或处于空闲模式或处于非活跃模式时，在终端设备处确定与终端设备处的扩展DRX相关联的状态；以及基于确定，向网络设备发送一个或多个DRX周期在服务于终端设备的小区中不被允...
    2026-01-17
  • 网络时间同步
    网络时间同步_瑞典爱立信有限公司_202380099412.2
    提出了一种在电信系统中在通过通信接口(15)连接的分布式单元DU(100)和远程单元RU(200)之间的时间同步的计算机实现的方法。该方法包括由DU(100)获得由RU(200)经由时钟分发协议提供的时钟时间(220)，并将DU时钟(110...
    2026-01-17
  • 控制系统、控制装置、控制单元以及程序
    控制系统、控制装置、控制单元以及程序_软银股份有限公司_202480040035.X
    提供一种控制系统，具备：控制装置，控制配置在RAN内的多个基站；以及控制单元，搭载于多个基站中的一个基站，并且控制一个基站，控制装置具有：预测部，预测从开始生成控制一个基站的控制消息的生成开始时刻起，经过了数据从控制装置到达一个基站为止的传...
    2026-01-17
  • 高电流、低压差驱动器电路
    高电流、低压差驱动器电路_苹果公司_202480039777.0
    公开了一种高电流、低压差驱动器电路。该电路包括：解码器，该解码器被配置为对多个控制位进行解码以生成多个控制信号；和电流源，该电流源具有多个器件。电流源被配置为使用控制信号来激活多个器件的至少子集，以使用多个器件中的激活器件以及控制电压来向负...
    2026-01-17
  • 用于驱动LED串的电路
    用于驱动LED串的电路_AMS-欧司朗国际有限公司_202480039238.7
    本公开涉及一种电路(200)，包括：多个电压源(202)，每个被配置为生成相应的电压；多个电压轨(204)，每个与相应的电压源(202)耦合；发光二极管LED设备(208、208‑2)的多个串(206、206‑2)，其中每个串(206、20...
    2026-01-17
  • 用于设计包括具有非平面电子电路的非平面层状物品的电子设备的制造方法和电子装置
    用于设计包括具有非平面电子电路的非平面层状物品的电子设备的制造方法和电子装置_欧罗卡特基金会_202480036594.3
    制造电子设备的方法，电子设备包括具有非平面电子电路(20)的非平面层状物品(10)，通过设计平面电子电路(20’)使其在成型工艺后成为非平面电子电路(20)，通过以下步骤为每个表面贴装元件(22)定义最佳粘合剂分布：确定表面贴装元件与平面层...
    2026-01-17
  • 用于电子模块的分级高密度背板
    用于电子模块的分级高密度背板_西部数据技术公司_202480039138.4
    电子背板组件包括相应的第一浮动背板连接器组件和第二浮动背板连接器组件，每个组件具有背板连接器和一对阶梯式止动件，该背板连接器联接到与底盘壁可移动地联接的对应背板板片，该一对阶梯式止动件联接到底盘壁并定位在每个背板板片的每一侧上。每个阶梯式止...
    2026-01-17
  • 电子组件和具有电子组件的高电压箱
    电子组件和具有电子组件的高电压箱_舍弗勒技术股份两合公司_202480037211.4
    一种电子组件(1)，包括：‑基板(2)，具有第一主表面(3)和第二主表面(4)，‑至少一个电子部件(5)，具有第一主表面(6)和第二主表面(7)，电子部件(5)被布置成其第二主表面(7)在基板(2)的第一主表面(3)上，并且所述至少一个电子...
    2026-01-17
  • 供料器检查装置及供料器设置装置
    供料器检查装置及供料器设置装置_株式会社富士_202380099457.X
    供料器检查装置具备：支撑部，将带式供料器支撑为能够动作，上述带式供料器具有将收容有元件的载带向预定的进给方向进给的进给机构；装填部，向支撑于支撑部的带式供料器沿着进给方向装填检查用带，上述检查用带与载带不同且用于进给机构的检查；及检查执行部...
    2026-01-17
  • 三维NOR存储器串的环形通道铁电存储器晶体管的存储器结构及制造方法
    三维NOR存储器串的环形通道铁电存储器晶体管的存储器结构及制造方法_日升存储公司_202480039031.X
    本发明提供一种存储器结构，其包括经组织为水平NOR存储器串的可随机存取的环形通道铁电存储器晶体管。所述NOR存储器串在半导体基板上方形成于薄膜铁电存储器晶体管的多个可扩展存储器堆叠中。所述三维存储器堆叠在制程中制造，该制程包括在多层膜堆叠中...
    2026-01-17
  • 与导电接触垫结构整合的线内电阻器
    与导电接触垫结构整合的线内电阻器_BAE系统信息和电子系统集成有限公司_202480037408.8
    一种集成电路结构，包括：(i)第一层，包括第一金属、(ii)第二层，位于该第一层上并与该第一层接触，该第二层包括电阻材料、及(iii)第三层，位于该第二层上并与该第二层接触，该第三层包括第二金属。在一个示例中，该电阻材料与该第一金属和该第二...
    2026-01-17
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480038591.3
    提供一种电特性良好的晶体管、通态电流大的晶体管或者寄生电容小的晶体管。提供一种微型化的晶体管、能够实现高集成化的半导体装置、存储装置或显示装置。在半导体装置中，晶体管包括第一导电层、第二导电层、第一半导体层、第二半导体层、栅极绝缘层以及栅电...
    2026-01-17
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_罗姆股份有限公司_202480038144.8
    一种半导体装置，包含：芯片，其由宽带隙半导体形成，并具有形成了第一导电型的半导体区的主面；第二导电型的基底杂质区，其形成于所述半导体区的表层部；第一杂质区，其形成于所述基底杂质区的表层部；以及第二杂质区，其形成于所述基底杂质区的表层部，且导...
    2026-01-17
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202380099489.X
    半导体装置具备：基板；第一导电部件，设置在所述基板的表面的一部分上；多个氮化物半导体层，设置在所述基板上及所述第一导电部件上，且相互分离；源极电极，设置在所述氮化物半导体层上；漏极电极，设置在所述氮化物半导体层上；栅极电极，设置在所述氮化物...
    2026-01-17
  • 用于增强驱动器电流和性能的基于鳍的场效应晶体管(FET)源极/漏极应变
    用于增强驱动器电流和性能的基于鳍的场效应晶体管(FET)源极/漏极应变_高通股份有限公司_202480038302.X
    描述了一种场效应晶体管(FET)。该FET包括基板，在基板上具有第一竖直结构，该第一竖直结构包括具有第一应力源材料的源极/漏极区，例如NMOS源极/漏极区。该FET还包括第二竖直结构，该第二竖直结构位于基板上并且包括具有与该第一应力源材料不...
    2026-01-17
  • 具有第一类型单位晶胞和第二类型单位晶胞的半导体器件
    具有第一类型单位晶胞和第二类型单位晶胞的半导体器件_华为数字能源技术有限公司_202380098966.0
    本发明涉及一种半导体器件(100)，包括：横跨所述半导体器件(100)的顶表面并排布置的多个单位晶胞(120a、120b)，其中，所述多个单位晶胞(120a、120b)具有第一类型(120a)或第二类型(120b)，每个所述第一类型单位晶胞...
    2026-01-17
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