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最新专利技术
  • III-N双栅器件
    III-N双栅器件_蒙德无线公司_202380099417.5
    III‑N双栅器件和制造III‑N双栅器件的方法。示例半导体器件包括III‑N背势垒、在III‑N背势垒之上的III‑N沟道层、以及在III‑N沟道层中的二维电子气(2DEG)沟道。该半导体器件包括源极触点和漏极触点，并且在源极触点和漏极触...
    2026-01-29
  • 阵列基板及其制作方法、显示面板
    阵列基板及其制作方法、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202480000913.5
    本公开提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板包括：衬底和第一多晶硅薄膜晶体管。第一多晶硅薄膜晶体管位于衬底之上。第一多晶硅薄膜晶体管的沟道内包括多个晶粒。第一多晶硅薄膜晶体管的沟道内，晶粒沿第一方向的长度大于沿第二方向的长度；第...
    2026-01-29
  • 具有玻璃基板的不对称光伏模块
    具有玻璃基板的不对称光伏模块_康宁股份有限公司_202480041607.6
    本文中提供光伏模块的各种方面，包含：外部玻璃层；内部玻璃层；PV结构，其安置在所述外部玻璃层上；以及具有定制厚度和定制弹性模数的聚合封装物，其安置在所述PV结构上方以及所述内部玻璃层与所述外部玻璃层之间，其中外部玻璃层比所述内部玻璃层薄至少...
    2026-01-29
  • 半导体受光元件及半导体受光元件的制造方法
    半导体受光元件及半导体受光元件的制造方法_同和电子科技有限公司_202480043824.9
    本发明提供兼顾静电容量和暗电流的值并且击穿电压大的半导体受光元件及半导体受光元件的制造方法。本发明的半导体受光元件的特征在于具有：n型InP基板、n型InP基板上的缓冲层、缓冲层上的n型InGaAs光吸收层、以及n型InGaAs光吸收层上的...
    2026-01-29
  • 摄像装置
    摄像装置_索尼半导体解决方案公司_202480042188.8
    [问题]提供一种能够实现合适的子像素结构的摄像装置。[解决方案]根据本公开的摄像装置包括多个像素单元。所述多个像素单元中的各者包括多个第一像素和多个第二像素。所述多个第一像素中的各者包括具有第一面积的滤色器区域。所述多个第二像素中的各者包括...
    2026-01-29
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480042982.2
    一种光检测装置，其包括：多个像素组，包括第一像素和第二像素；像素内隔离区域和像素间隔离区域。所述第一像素包括：第一光电转换区域；第一遮光部，其包括第一边缘；以及第一开口，其设置在所述第一遮光部的所述第一边缘与所述像素内隔离区域的一部分和所述...
    2026-01-29
  • 具有设计用于减少载流子复合的电池架构的太阳能电池
    具有设计用于减少载流子复合的电池架构的太阳能电池_迈可晟太阳能有限公司_202480043058.6
    公开了一种太阳能电池。所述太阳能电池包含基底、形成在所述基底的背面上的电介质层以及在所述电介质层上的具有第一极性的多个非邻接沉积发射区。所述太阳能电池还包括：所述电介质层上的具有第二极性的至少一个沉积发射区，所述至少一个沉积发射区与所述多个...
    2026-01-29
  • 用于半导体部件的半导体结构
    用于半导体部件的半导体结构_AMS-欧司朗国际有限公司_202480042555.4
    提出一种用于半导体部件的半导体结构(1)，其中半导体结构(1)包括第一n型掺杂半导体层(4)，该第一n型掺杂半导体层具有n型掺杂(cnn)，该n型掺杂由第一n型掺杂剂的第一掺杂剂浓度(cAA)和第二n型掺杂剂的第二掺杂剂浓度(cBB)组成，...
    2026-01-29
  • 具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装的结构
    具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装的结构_科锐LED公司_202380096086.X
    公开了包括发光二极管(LED)的固态照明装置，并且更具体地公开了具有多个LED芯片的LED封装的结构。LED封装结构包括以下中的一者或多者的布置：具有用于LED芯片的多个腔体的主体结构、具有与多个腔体配准的透镜的包封体、以及至少部分地位于主...
    2026-01-29
  • 紫外线辐射源以及确定改善紫外线辐射源视觉外观所需荧光材料必要剂量的方法
    紫外线辐射源以及确定改善紫外线辐射源视觉外观所需荧光材料必要剂量的方法_FLOWIL国际照明(控股)有限公司_202380099526.7
    紫外线辐射源(2)，特别是LED发射器或LED装置，包括至少一个LED元件(4)，其主带隙辐射的波长小于或等于380nm，以及一个优选的半透明基底(6)，所述至少一个LED元件(4)设置在所述半透明基底(6)上；其中，所述至少一个LED元件...
    2026-01-29
  • 发光装置和照明装置
    发光装置和照明装置_沃思电子埃索斯有限责任两合公司_202480038852.1
    本发明提供一种发光装置(1)，具有：至少一个LED芯片(3)，所述至少一个LED芯片用于产生具有初级光谱的初级光(P)；和至少一个转换元件(Kii)，所述至少一个转换元件用于将所述初级光(P)转换为具有与所述初级光谱不同的次级光谱的次级光(...
    2026-01-29
  • 背板焊盘
    背板焊盘_维耶尔公司_202480043287.8
    本发明公开了将选定的一组微装置从供体衬底转移到受体/系统衬底。本发明进一步公开了将微装置集成到系统衬底(或背板)中的短路挑战，通过提供一种用于将倒装芯片装置集成到背板中来将焊盘短路的风险最小化的新颖方法和设备。本发明进一步公开了一种用于在将...
    2026-01-29
  • 照明装置
    照明装置_昕诺飞控股有限公司_202480042592.5
    照明装置包括布置在载体上的相应的多个第一和第二发光二极管M‑LED、N‑LED。M‑LED包括具有第一表面区域SA1的管芯，该第一表面区域SA1具有至多(100)微米的最大空间范围SE1。N‑LED包括具有第二表面区域SA2的管芯，该第二表...
    2026-01-29
  • 照明装置
    照明装置_昕诺飞控股有限公司_202480043023.2
    照明装置包括布置在载体上的相应的多个第一和第二发光二极管M‑LED、N‑LED。每个M‑LED包括具有第一表面积SA1的管芯，该第一表面积SA1具有至多100微米的最大空间范围SE1。N‑LED被布置在载体上，每个N‑LED包括具有第二表面...
    2026-01-29
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001014.7
    一种显示面板(100)及显示装置(1000)，显示面板具有显示区(A)和围绕显示区的周边区(B)，周边区包括第一边框区(B1)；显示面板包括衬底(10)、多个子像素(20)、第一初始化信号线(VL1)、多个第一类绑定引脚(60)和第一初始化...
    2026-01-29
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202480041723.8
    根据实施方式的显示装置包括：衬底，包括显示区域和非显示区域；发光元件层，设置在显示区域上并且包括像素电极、有机发光层和公共电极；电路单元，设置在非显示区域上并且包括多个电路晶体管；以及像素限定层，从显示区域延伸到电路单元，其中，像素限定层包...
    2026-01-29
  • 钙钛矿器件
    钙钛矿器件_南洋理工大学_202480043516.6
    本发明涉及器件，该器件包含钙钛矿层、空穴传输层、电子传输层以及布置在衬底上的透明导电层，该钙钛矿层包含式(I)的钙钛矿化合物：CsaaFAbbMAccPbddSn(1‑d)(1‑d)X33 ‑‑式(I)，其中Cs表示铯；FA表示‑CH(NH...
    2026-01-29
  • 介电元件及其制造方法
    介电元件及其制造方法_国立研究开发法人产业技术综合研究所_202480043375.8
    该介电元件具备衬底；基底层，配置于衬底上；以及氮化物薄膜，配置于基底层上，基底层由选自稀土元素中的任一种元素构成，氮化物薄膜含有钪、以及周期表中的第十三族元素和第十五族元素。
    2026-01-29
  • 基板接合装置
    基板接合装置_株式会社斯库林集团_202480042487.1
    基板接合装置1具有：等离子体处理单元2p；负载锁定室12，被搬入应在等离子体处理单元2p处理的基板W；解除负载锁定室14，被搬入已经被等离子体处理单元2p处理过的基板W；第一搬运机器人R1，将第一基板W1以及第二基板W2同时搬入负载锁定室1...
    2026-01-29
  • 氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法
    氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480043132.4
    提供电特性良好的晶体管。提供通态电流大的晶体管。提供寄生电容小的晶体管。提供能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置或存储装置。一种包含铟、锌及元素M的氧化物半导体层，元素M为镓、锡和钇中的一个以上，氧化物半导体层包括第一区域、第一区域...
    2026-01-29
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