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  • 本发明公开了一种铝制导线高效阳极氧化制备装置,涉及铝制导线阳极氧化的技术领域。本发明包括反应单元,包括反应箱,反应箱顶端开口,内部形成反应空间;传输单元包括支撑件、传输件和输送件,支撑件在反应箱内设置有多组,传输件一端与支撑件连接,另一端与...
  • 本申请提供了一种铝材表面树枝状纳米孔结构、其制备方法及其在铝包钢地线中的应用,本申请提供的制备方法包括以下步骤:以待处理铝材作为阳极片,在电解液中进行电化学阳极氧化,在铝材表面形成纳米孔结构;所述电化学阳极氧化的电压为步进电压。本申请以铝材...
  • 本申请实施例提供了一种铝合金部件表面微弧氧化复合膜层的制备方法,包括:对铝合金部件表面进行预处理,从而将铝合金表面的氧化层打磨干净。在预处理后的铝合金部件表面制备微弧氧化膜,接着在制备有微弧氧化膜的铝合金部件上制备化学转化膜,从而在微弧氧化...
  • 本申请提供了铝合金3D打印件的阳极氧化方法,属于阳极氧化技术领域,该方法包括:铝合金3D打印件依次经前处理和阳极氧化后,得到阳极氧化后的铝合金3D打印件;前处理包括依次进行的一次碱洗、一次酸洗、二次碱洗和二次酸洗;一次碱洗,一次碱洗液中氢氧...
  • 铝合金及其多梯度硫酸阳极氧化和封闭方法,包括:清洁铝合金基体;将清洁后的铝合金基体置于硫酸溶液中,采用多梯度给电方式进行阳极氧化处理;将阳极氧化处理后的铝合金基体清洗后置于封闭剂中进行封闭处理;最后对封闭处理后的铝合金基体进行干燥处理。本发...
  • 本发明属于材料表面处理工程领域,提供了一种钛基排污设备的微弧氧化方法,所述方法包括:将焦磷酸铜络离子作为铜源,以钛基工件为阳极,以惰性电极作为阴极,进行微弧氧化处理,通过控制电解液pH值在8.5~8.8,使焦磷酸铜络离子以离子形式稳定存在于...
  • 本申请实施例提供了一种镁合金构件表面防护层的制备方法,包括对镁合金构件和铝箔进行前处理,将处理后的铝箔预置于镁合金构件的表面,将铝箔焊接于镁合金构件的表面,对镁合金构件表面的铝箔进行抛光处理,最后对抛光处理后的镁合金构件进行微弧氧化处理。通...
  • 本发明属于表面涂层技术领域,具体涉及一种镁合金微弧氧化方法,包括以下步骤:以硅酸盐为主盐,氢氧化物为导电添加剂,氟化物为辅助添加剂,制备电解液;将镁合金置于电解液中进行微弧氧化处理,采用恒流模式,控制电流密度为0.8A/dm22~5A/dm...
  • 本发明属于拖车件处理工艺技术领域,具体是拖车件表面增强镀锌处理工艺,包括对拖车球基体进行激光毛化形成规则的微米级凹坑阵列;采用电火花沉积技术在表面制备一层钼或钼合金过渡层;在含有经硅烷偶联剂改性的纳米金刚石颗粒的锌酸盐镀液中,采用双向脉冲电...
  • 本申请公开了汽车车身电泳涂装机构及涂装方法,包括:电泳槽,所述电泳槽的内壁处固定设置有内腔电泳增强组件,所述内腔电泳增强组件由移动支撑部和阳极头构成,所述移动支撑部用于带动阳极头进行移动,所述电泳槽的上侧处固定连接有翻转式车体固定工装,本申...
  • 本发明公开一种提高粘结钕铁硼磁体表面性能的方法,步骤如下,将真空浸渗罐中注入胶水,将工件放入真空浸渗罐中,真空浸渗罐进行真空保压,完成保压后,进行卸压,取出工件,并将工件进行多级清洗,利用挂具对工件进行第一次装挂,对工件与挂具进行前处理,将...
  • 本发明涉及电镀槽技术领域,具体涉及一种工件篮可调的电镀槽,它包括:电镀槽本体,所述电镀槽本体的内部设置有工件放置篮,所述工件放置篮的两端设置有与工件放置篮相固定的侧壁连接块,所述电镀槽本体的两侧设置有调节机构,所述调节机构包括连接件、调节板...
  • 本发明提供一种导电粉末滚镀装置及电镀方法。所述导电粉末滚镀装置包括:电镀池(2),用于容纳电镀液;阳极(21),设置在所述电镀池(2)内,用于接入电源正极;阴极滚筒(6),用于装载待电镀的导电粉末,其筒内壁为导电材质;滚筒导电机构(5),与...
  • 本发明涉及电化学抛光液技术领域,具体为一种镍钛合金电化学抛光液及其制备方法,镍钛合金电化学抛光液按质量份计包括以下组分:氨基磺酸20~25份,柠檬酸10~15份,氟化氢铵2.5~3.5份,氟硼酸钠0.5~1.2份,钼钒复合钝化剂0.8~1....
  • 本发明涉及钼丝清洗技术领域,公开了一种精工钼丝智净集成设备,包括机架和若干与机架滑动连接的钼丝清洗台,钼丝在钼丝清洗台上依次通过放线机构、矫直机构、清洗机构、烘干机构和收线机构完成清洗。放线机构包括放线磁粉电机和与放线磁粉电机传动连接的放线...
  • 本发明公开了一种基于尺寸调控的失效电池正极材料直接再生为单晶高压正极的方法及应用。该方法包括将失效电池多晶NCM正极材料与低熔点熔融盐混合,经低温预烧结补锂后,再通过高温退火实现晶粒尺寸调控与结构优化,最终获得具有单晶结构的高压正极材料。该...
  • 本发明属于晶体烧结设备技术领域,提供一种大尺寸磷化铟单晶制备炉芯,包括石英杜瓦管;支撑组件,支撑组件用于竖向支撑石英杜瓦管,支撑组件包括从内到外次设置的第一支撑件、第二支撑件和第三支撑件,第一支撑件用于支撑石英杜瓦管的底部,第二支撑件用于支...
  • 本发明涉及光伏单晶硅制造技术领域,具体而言,涉及一种大尺寸N型单晶硅的掺杂方法及应用。该方法包括:在惰性气氛的保护下,将硅料和掺杂元素进行熔融处理;掺杂元素包括:锑、磷、砷和铋;进行晶体生长,在所述晶体生长过程中施加轴向磁场,控制放肩阶段的...
  • 本发明属于半导体材料加工技术领域,具体涉及一种用于改善功率器件正向压降的单晶硅制备方法、功率器件及单晶硅,方法包括在直拉法拉制单晶硅棒时,通过控制等径过程中的拉晶参数和冷却参数,生长晶向为<111>的单晶硅棒,拉晶参数和冷却参数被配置为:能...
  • 本发明涉及一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置,包括处理单元、石墨坩埚以及设置于石墨坩埚竖向底面的姿态调节机构。石墨坩埚连接有氩气腔以实现内部封闭环境的压力平衡;处理单元基于石墨坩埚测温孔检测数据与内部温度场、自然对流场模拟结果,通过姿态...
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