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  • 本发明公开了高空气稳定性与高离子电导率的NASICON型固态电解质及其制备方法,高空气稳定性与高离子电导率的NASICON型固态电解质,其特征在于,该固态电解质由LATP主相和烧结助剂复合而成;所述LATP主相的化学通式为:Li1+xAlx...
  • 本发明提供一种梯度HA/ZrO2生物陶瓷的制备方法及生物陶瓷,涉及陶瓷材料制备技术领域。该方法包括:通过构建不同固含量和不同HA与ZrO2的成分配比组合下的烧结实验,得到烧结收缩率数据,并建立烧结收缩率调控模型;根据生物力学需求确定陶瓷梯度...
  • 本发明公开了一种基于铁电陶瓷的负电容结构及其制备方法,本发明属于功能材料应用领域,本发明通过适当的材料处理在铁电陶瓷中实现缺陷不均匀分布的构建,使得陶瓷内部自发极化的分布会发生相应变化。且受缺陷分布的影响,在陶瓷体内的适当位置会形成自发极化...
  • 本申请公开了一种基于钛酸钡的PTC陶瓷材料及其制备方法,该PTC陶瓷材料的原料包括质量比为100 : 0.05~0.2的改性钛酸钡、施主掺杂剂,所述改性钛酸钡包括钛酸钡和包覆于钛酸钡表面的MnO2掺杂钡硼硅玻璃相前驱体;所述PTC陶瓷材料的...
  • 本发明公开了一种3D打印牙冠的陶瓷浆料及其制备方法,包括如下组分:光敏树脂、稀释剂、分散剂、消泡剂、光引发剂、陶瓷粉体;制备的时候包括如下步骤,S1, 首先调节混合环境,将混合温度调整30‑40℃;将光敏树脂、光引发剂、稀释剂高速避光搅拌均...
  • 一种具有大晶格畸变和高剪切压电常数的压电陶瓷材料,属于压电陶瓷技术领域。化学组成为Pb(Zr0.52Ti0.48)O3‑x mol%Nb。在本申请中通过引入具有大离子半径和高电负性的异价掺杂元素Nb从而构建了大晶格畸变状态,获得了具有高剪切...
  • 本发明公开了一种环保型无铅无卤压电陶瓷电声元件及其制造方法,构成所述元件的压电陶瓷材料主晶相为改性铌酸钠钾基陶瓷,其化学通式为 : 其中各组分按如下比例范围配比,0.4≤≤0.60;0.90≤≤1.05;0.04≤≤0.08;为或且;为或且...
  • 本发明公开了一种中心开孔叠层共烧压电陶瓷及其在压电加速度传感器中的应用。该压电陶瓷由至少两种具有不同相转变温度的压电陶瓷粉体制成。首先采用压电陶瓷粉体制备陶瓷浆料;通过流延工艺将陶瓷浆料制成薄膜得到膜带;将膜带切割后印刷上电极结构,然后将膜...
  • 本发明涉及一种压电陶瓷材料及其制备方法、压电器件、柔性超声换能器,涉及无铅压电材料和无线能量传输领域,该压电陶瓷材料包括如化学式1所示的第一铌酸钾钠基无铅压电陶瓷、如化学式2所示的第二铌酸钾钠基无铅压电陶瓷中的至少一种。本发明提供的压电陶瓷...
  • 本发明涉及一种氧化物固态电解质的补锂纯化方法。所述氧化物固态电解质的补锂纯化方法包括:(1)取适量含有锆酸镧杂质的锂镧锆氧粉末置于硫酸溶液中在20~80℃下解离,经离心、干燥、称重后,计算锂镧锆氧粉末中锆酸镧杂质的质量分数;(2)根据上述锆...
  • 本发明涉及一种适用于宽温度范围测控的负温度系数热敏电阻材料及其制备方法,该材料是由Y2O3、CaO和MnO2为原料,采用固相法制备,经过研磨、煅烧、成型、高温烧结制成,得到钙钛矿结构的Y‑Ca‑Mn‑O陶瓷NTC热敏电阻。其电性能参数:测温...
  • 本发明公开了一种石墨烯气凝胶改性弹性石墨材料及其制备方法,其中,石墨烯气凝胶改性弹性石墨材料,包括以下质量份数的成分:鳞片石墨:50‑80份;石墨烯气凝胶:8‑15份;氨基化改性硼掺杂碳纳米管:3‑8份;羟基磷灰石‑氧化铈复合纳米粒子:2‑...
  • 本发明提供了一种超高温陶瓷相改性的C/SiC复合材料浸渍制备方法及浸渍液,用于解决现有通过硅烷偶联剂处理增强体或使用特定配方的浸渍剂来改善界面结合提高浸润效果的方法,在处理复杂构件或追求更高致密度时,浸渍不均匀、内部残留孔隙较多且浸渍效率提...
  • 本发明公开了一种立方氮化硼‑纳米聚晶金刚石复合材料及其制备方法,所述复合材料以碳纳米葱和立方氮化硼为原料高温高压烧结制备而成,其中立方氮化硼与碳纳米葱的质量比为10 : 90‑75 : 25,所述复合材料的主要物相组成为立方氮化硼和立方金刚...
  • 本发明涉及石墨制备工艺技术领域,尤其涉及3C电子屏高精度纳米膜用石墨喷射器的制备及应用。该喷射器石墨基体材料包括:油系针状焦、沥青焦、煅后无烟煤、炭黑和微晶石墨粉作为骨料,以及由沥青、热塑性酚醛树脂和六亚甲基四胺组成的改性黏结剂。制备过程中...
  • 本发明涉及钠金属电池技术领域,尤其涉及一种分级多孔气凝胶及其制备方法和应用。本发明引入PS球作为造孔剂,结合3D打印技术制备出三维交叉网络多孔骨架,真空冷冻干燥后进行高温煅烧将PS球移除,得到分级多孔气凝胶。其三维交叉网格骨架与分级多孔结构...
  • 本发明涉及陶瓷基复合材料技术领域,特别涉及一种低膨胀高导热高力学碳化硅复合材料及其制备方法。所述低膨胀高导热高力学碳化硅复合材料,按质量百分数计,其制备原料包括:碳化硅35~50%、堇青石15~60%、β‑锂辉石4~25%、低温氧化物粉末0...
  • 本发明涉及一种钨溶胶改性AlMgB14‑TiB2复合陶瓷及其制备方法。所述钨溶胶改性AlMgB14‑TiB2复合陶瓷的制备方法包括以下步骤:将AlMgB14原料粉体、TiB2原料粉体混合后加入到钨溶胶中进行浸渍包覆改性,然后进行超声、过滤、...
  • 本发明提供一种共烧法氮化铝陶瓷的制备方法,依次包括流延、陶瓷片分切、冲孔、填孔、印刷、叠片、层压、切割、烧结、化学镀镍/电镀镍、钎焊工序;其中流延工序采用特定配方,经2~3天混料、“快速脱泡+慢速脱泡”两步脱泡及沉浮工艺;印刷工序采用丝网印...
  • 本发明公开了一种石墨烯陶瓷发热体的制备方法,先以碳化钨和二茂钴为原料,得到钴修饰碳化钨;再以氯化铝、尿素和石墨烯为原料,制备石墨烯掺杂氮化铝前体;然后将氮化铝、钴修饰碳化钨、石墨烯掺杂氮化铝前体、二氧化硅修饰氮化铌混合球磨,并且在球磨过程中...
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