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  • 本申请提供了一种激光合束能量损耗的抑制方法、系统及存储介质, 该方法包括:获取第一激光与第二激光之间的实时峰值相对延时;利用预先建立的补偿模型, 根据相对延时计算第一激光与第二激光合束之后的实时能量损耗, 并基于实际能量损耗分别提升第一激光...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域, 具体涉及一种高电注入效率的氮化镓基激光器及制备方法和装置, 包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的n型氮化镓层、n型光限制层、n型自旋极化注入层、n型光波导层、多量子阱有源层、p型光波导层、p型自旋极化注入...
  • 本申请提供一种半导体激光器的外延结构及其制备方法。外延结构包括:自下而上层叠设置的第一波导层, 第一阻挡层, 第一势垒层, 量子阱层, 第二势垒层, 第二阻挡层, 第二波导层。通过调节第一波导层、第一势垒层、第二势垒层和第二波导层中铝元素和...
  • 一种面发射半导体激光器及光传输装置, 其具备:基板;第一半导体多层膜反射镜, 层叠在所述基板上;第二半导体多层膜反射镜, 包括电流狭窄层且层叠在所述第一半导体多层膜反射镜上;及发光层, 配置在所述第一半导体多层膜反射镜与所述第二半导体多层膜...
  • 本申请公开一种面内异质光子晶体量子级联激光器, 所述面内异质光子晶体量子级联激光器包括背面金属电极、正面金属电极以及位于所述背面金属电极和所述正面金属电极之间的外延片;其中, 所述外延片与所述正面金属电极之间具有光子晶体层;其中, 所述光子...
  • 本发明涉及一种半导体激光器芯片的波导, 具体为一种改善大功率半导体激光器芯片腔体温度分布的波导及半导体激光器芯片, 以解决现有大功率半导体激光器芯片工作时腔体温度过高, 而传统解决方式只是被动地缓解了大电流注入引起的腔体高温, 并不能从根本...
  • 本发明公开了一种组合多量子阱有源区、发光器件及其制备方法, 涉及半导体发光器件领域。所述组合多量子阱有源区由以势垒层、量子阱层和势垒层为重复单元重复M个周期构成, 相邻两个周期共用同一个势垒层, 其中量子阱层包括N个阱子层和N‑1个隔层, ...
  • 本发明提供了一种半导体边发射激光器件、半导体边发射激光器件的制备方法, 本申请的半导体边发射激光器件的谐振腔面采用紫外光致刻蚀去除自然氧化物和吸附污染物, 然后再形成钝化膜, 另外还可以加上保护膜。相比于目前的去除自然氧化物方法, 本发明采...
  • 一种面发射半导体激光器及光传输装置, 具备:基板;第一半导体多层膜反射镜, 层叠在所述基板上;活性层, 层叠在所述第一半导体多层膜反射镜上;第二半导体多层膜反射镜, 包括电流狭窄层且层叠在所述活性层上;电介质多层膜反射镜, 层叠在所述第二半...
  • 本申请公开了一种半导体激光器及制备方法, 涉及激光器的技术领域。半导体激光器, 包括:激光芯片, 包括电解液、衬底和生长在衬底上的外延层;外延层形成波导且外延层具有两个电解槽, 两个电解槽分别位于波导沿第一方向的两侧, 且电解槽沿第二方向延...
  • 本申请公开了一种面发射激光器, 解决了激光器单模工作稳定性差和制备工艺难度高的问题。该面发射激光器包括层叠设置衬底和外延结构, 所述外延结构具有多个孔, 每个所述孔的截面大致为T形, 所述截面平行于所述衬底, 所述孔中设有填充物, 所述填充...
  • 本发明有关一种自动功率写入光点发射器, 是将自动功率写入电路设制成电路板或IC结构, 并直接设置于基座上, 以控制雷射功率;检光二极管设置于自动功率写入电路上;PWM控制, 连接基座的第三接脚, 用于写入功能作为设定雷射输出功率及PWM调整...
  • 本发明涉及半导体激光器控制技术领域, 公开了一种用于阵列式原子磁强计的激光器稳功率控制装置及其控制方法, 该装置包括:放大激光器;激光分光光路, 设置在所述放大激光器的输出端;双环主动抗扰稳功率控制板卡, 与所述激光分光光路中光电探测器连接...
  • 本发明提出一种具有拓扑声子态层的半导体激光元件, 包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层。本发明在半导体激光元件的下波导层与下限制层之间设置有多层结构的拓扑声子态层, 并对每一层拓扑声子态层的饱和电子漂移...
  • 本发明提出一种氮化镓基化合物半导体激光器元件, 包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层, 所述衬底与下限制层之间设置有自选螺旋电感层, 所述自选螺旋电感层具有形变势分布特性、导带有效态密度分布特性和分离能...
  • 本发明公开一种基于粒子群优化的可调谐激光器自动波长调谐方法及系统, 应用于半导体可调谐激光器的波长调谐技术领域。本发明以粒子群优化算法(PSO)为核心, 针对初始电流‑波长数据进行多目标迭代搜索优化, 在调谐初始化阶段, 系统首先对抽样光栅...
  • 本发明提供一种能够降低在偏离沟槽的位置破裂的概率的半导体元件的制造方法。半导体元件的制造方法具备如下的工序:准备层叠体, 所述层叠体包含具有晶体结构的基板和层叠于所述基板的多个半导体层;在所述层叠体形成前端分支的形状的沟槽, 以所述沟槽为起...
  • 本申请涉及一种激光器热稳定维持方法、激光器电源系统和激光器。该方法包括:获取激光器的发光脉冲信号的当前出光频率;响应于当前出光频率小于预设频率阈值, 在发光脉冲信号生成之前, 生成预热脉冲串信号;其中, 在预热脉冲串信号与所述发光脉冲信号的...
  • 本发明提供了一种提高全数字片上系统激光稳频时长和控制精度的系统, 其包括稳频光学系统、ADC模块、片上系统、高速DAC模块、高精度DAC模块、放大模块、衰减模块、加法模块和上位机;ADC模块的输入端连接稳频光学系统的信号输出端;片上系统的输...
  • 本发明公开了一种基于板条晶体的高功率扭转模腔单频激光器, 属于固体激光器技术领域, 包括:两个泵浦源, 两个泵浦整形镜组, 两个反射镜, 板条激光晶体, 三个四分之一波片, 电光调Q晶体, 起偏器, 全反射平凹腔镜, 输出腔镜;两个泵浦源发...
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