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最新专利技术
  • 电致发光装置、其制造方法及显示装置
    电致发光装置、其制造方法及显示装置_夏普显示科技株式会社_202380095515.1
    电致发光装置(13)在与层叠方向交叉的方向上， 包含发出互不相同颜色的光的第一颜色电致发光层至第n颜色电致发光层(n≥2)， 包含在层叠方向上在阳极层侧夹持电荷生成层(40)的第一电致发光层(34)， 包含在层叠方向上在阴极层侧夹持电荷生成...
    2025-10-20
  • 电致发光装置、其制造方法及显示装置
    电致发光装置、其制造方法及显示装置_夏普显示科技株式会社_202380095482.0
    电致发光装置(13)在与层叠方向交叉的方向上， 包含发出互不相同颜色的光的第一颜色电致发光层至第n颜色电致发光层(n≥2)， 包含在层叠方向上在阳极层侧夹持电荷生成层(40)的第一电致发光层(34)， 包含在层叠方向上在阴极层侧夹持电荷生成...
    2025-10-20
  • 半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法
    半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法_株式会社小糸制作所_202480015960.7
    本发明提供半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法， 能够高效地进行氢从p型的半导体层的脱离。半导体发光元件的特征在于， 具备：生长基板(11)；多个柱状半导体层， 包括相对于生长基板(11)的主面在垂直方向上立起设置的n型芯层(15)以...
    2025-10-20
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480014335.0
    根据本公开的实施方案的光检测装置包括：第一基板， 所述第一基板设置有光电转换元件和读出电路， 所述光电转换元件将光转换为电荷， 所述读出电路能够输出基于所转换的电荷的第一信号；和第二基板， 所述第二基板包括能够处理所述第一信号的信号处理电路...
    2025-10-20
  • 光检测器和电子设备
    光检测器和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480012731.X
    根据本公开的一个实施方案的光检测装置包括：多个像素， 其设置到半导体层并且包括具有光电转换元件的第一像素；和分离部， 其设置在所述半导体层中在多个相邻像素之间。所述第一像素包括：第一晶体管， 其具有第一栅极电极， 所述第一栅极电极设置为在所...
    2025-10-20
  • 光检测器
    光检测器_索尼半导体解决方案公司_202480013380.4
    光检测装置包括：第一光电转换元件， 其布置在第一基底的光入射侧并且将入射光转换为电荷；以及第二光电转换元件， 其布置为在所述第一基底内与所述第一光电转换元件重叠， 并且包括用于倍增由光产生的载流子的倍增区域。
    2025-10-20
  • 移位寄存器、栅极驱动电路、显示面板和显示装置
    移位寄存器、栅极驱动电路、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000163.1
    本发明提供一种移位寄存器、栅极驱动电路、显示面板和显示装置。所述移位寄存器包括：衬底；多个晶体管；所述多个晶体管包括：第一晶体管组， 以及第二晶体管组；所述第一晶体管组的至少一个所述晶体管包括：第一电极；所述第一电极包括：第一源极主部， 多...
    2025-10-20
  • 具有浮置栅极的NOR存储器单元
    具有浮置栅极的NOR存储器单元_绿芯存储科技(厦门)有限公司_202480010340.4
    一种电可擦除可编程非易失性存储器单元(1200)包括：半导体衬底(102)， 该半导体衬底具有位线区(104)、在横向方向上与该位线区分开的表面区(106)、和沟槽区， 该沟槽区包括与该半导体衬底中的沟槽相邻的底部部分(108a)和侧壁部分...
    2025-10-20
  • 薄膜晶体管的制造方法、溅射靶及烧结体
    薄膜晶体管的制造方法、溅射靶及烧结体_株式会社神钢科研_202480016909.8
    本发明的目的在于提供一种可提高动作稳定性的薄膜晶体管的制造方法。本发明的一方式的薄膜晶体管的制造方法为制造在基板上至少具有氧化物半导体层、保护层、栅极绝缘层、栅极电极、源极电极以及漏极电极的薄膜晶体管的方法， 包括如下工序：在所述基板上形成...
    2025-10-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社日本显示器_202480014192.3
    半导体装置， 其具有晶体管， 该晶体管包括：第一栅电极；第一栅极绝缘膜， 其设置在第一栅电极之上；氧化物半导体层， 其设置在第一栅极绝缘膜之上， 与第一栅电极重叠， 且具有多晶结构；第二栅极绝缘膜， 其设置在氧化物半导体层之上；和第二栅电极...
    2025-10-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社日本显示器_202480014051.1
    半导体装置包括：氧化物绝缘层；氧化物绝缘层之上的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；和栅极绝缘层之上的栅电极， 在依次层叠有氧化物绝缘层、氧化物半导体层、栅极绝缘层及栅电极的第一区域中， 栅电极包含杂质， 在不包含栅电极且依次层...
    2025-10-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_株式会社日立制作所_202480013928.5
    本发明提供能够一种改善导通电阻减小与关断损耗减小的折衷关系的技术。以在漂移区4的上表面侧形成碳空穴密度小的低碳空穴密度区域20并在漂移区4的下表面侧形成碳空穴密度大的高碳空穴密度区域30为前提， 作为低碳空穴密度区域20与高碳空穴密度区域3...
    2025-10-20
  • 非线性信道
    非线性信道_国际商业机器公司_202480013391.2
    本发明提供了一种包括非线性沟道的finFET。非线性沟道包括限定沟道宽度和沟道长度的一个或多个弧形、弯曲、分段等侧壁。与定向为与栅极宽度正交的线性鳍相比， 非线性沟道提供相对增加的沟道长度。因此， 非线性沟道的沟道长度可以在栅极的范围内相对...
    2025-10-20
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202480016002.1
    本发明的半导体装置包括：半导体芯片， 其具有第一主面以及其相反侧的第二主面；以及沟槽型的IGBT结构， 其形成于所述半导体芯片的所述第一主面， 所述IGBT结构具有：沟槽， 其形成于所述半导体芯片的所述第一主面， 且在多个方向上延伸；绝缘膜...
    2025-10-20
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202480014585.4
    提供一种半导体装置， 其具备：多个沟槽部， 其在半导体基板的正面侧沿着预先设定的排列方向排列， 且具有在排列方向上栅极沟槽部和虚设沟槽部按照预先设定的周期重复而得的重复结构；第一导电型的漂移区， 其设置在半导体基板；第二导电型的基区， 其设...
    2025-10-20
  • 用于在存储器裸片中形成导体的经合并腔
    用于在存储器裸片中形成导体的经合并腔_美光科技公司_202480014050.7
    描述用于在存储器裸片中形成导体的经合并腔的方法、系统及装置。可穿过存储器裸片的材料层堆叠形成腔阵列， 且可至少部分地通过合并所述阵列中的所述腔中的一些来形成导体。此类腔可根据实施此类腔的子集的相对最小特征设定大小， 且可使用所述腔阵列的第一...
    2025-10-20
  • 供料器
    供料器_株式会社富士_202380095382.8
    供料器进行收容元件的载带的输送， 为了确保输送中的载带与补给用的载带之间的连接， 具备利用连接部件将输送中的载带的后端部与补给用的载带的前端部连接的拼接装置。
    2025-10-20
  • 用于自动化现场设备的显示单元
    用于自动化现场设备的显示单元_恩德斯豪斯欧洲两合公司_202480016770.7
    一种用于自动化现场设备的显示单元， 至少具有：‑ 显示器(19)， 其用于显示信息；‑ 显示器框架(30)， 其具有主体(31)， 并且所述显示器框架(30)还具有多个压力元件(34)， 该多个压力元件被形成在所述主体的第二侧(33)上， ...
    2025-10-20
  • 用于便携式手持装置的握持件的构型
    用于便携式手持装置的握持件的构型_欧斯内普公司_202480014952.0
    在一个实施方式中， 用于联接至便携式手持装置的握持件包括基部、盖组件、以及将基部和盖组件连接的至少两个挠曲支承件。每个挠曲支承件包括盖附接部分、上臂部分、下臂部分、基部附接部分、上铰接部、中间铰接部和下铰接部。盖附接部分附接至盖组件， 使得...
    2025-10-20
  • 用于可折叠电子设备的壳体及可折叠电子设备
    用于可折叠电子设备的壳体及可折叠电子设备_荣耀终端股份有限公司_202480014724.3
    本申请提供了一种用于可折叠电子设备的壳体及可折叠电子设备， 壳体包括中板， 中板包括相接的第一中板和第二中板， 第一中板和第二中板的材料不同。第一中板和第二中板互相配合构成了中板上的转轴容置区域和非转轴容置区域， 第一中板的至少部分中板构成...
    2025-10-20
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