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最新专利技术
  • 具有选择性掺杂栅极电极结构的半导体装置
    具有选择性掺杂栅极电极结构的半导体装置_德州仪器公司_202480018989.0
    本发明描述包含选择性掺杂栅极电极的半导体装置。所述半导体装置包括：衬底(103)，其包含主体区及漂移区(126)；所述衬底(103)上的栅极介电层(134)，所述栅极介电层(134)在所述主体区及所述漂移区(126)上方延伸；及所述漂移区(...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480016548.7
    提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置，包括晶体管以及第一至第三绝缘体，晶体管包括第二绝缘体上的第一导电体、第三绝缘体上的第二导电体、氧化物半导体、第四绝缘体及第三导电体，第三绝缘体及第二导电体中设置有到达第一导电体的开口部，氧化物半...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480017050.2
    在二极管的恢复时，抑制载流子从二极管区域向IGBT区域流入而载流子集中于边界部从而元件被破坏的情况。在同一芯片内具有IGBT区域(21)和二极管区域(22)的半导体装置(1)中，IGBT具有第一导电型的漂移层(2)、第二导电型的主体层(3)...
    2025-11-19
  • 用于三维存储器阵列的沟槽及多墩架构
    用于三维存储器阵列的沟槽及多墩架构_美光科技公司_202480018424.2
    描述用于三维存储器阵列的沟槽及多墩架构的方法、系统及装置。针对存储器装置的制造操作可包含形成沟槽，及随后形成在第一水平方向、第二水平方向或两者上在所述沟槽之间延伸的多种类型的墩结构。例如，所述沟槽可经布置成以一或多行及一或多列延伸的网格状结...
    2025-11-19
  • 用于具有低维度材料的半导体元件的触点构造
    用于具有低维度材料的半导体元件的触点构造_应用材料公司_202480021571.5
    在非常薄的层中形成的二维(2D)材料改进了半导体元件的操作。然而，在2D材料上形成触点倾向于损坏及穿透所述2D材料。已经开发了相对温和的蚀刻工艺，所述蚀刻工艺对所述2D材料具有非常高的选择性，并且允许将垂直孔向下蚀刻到所述2D材料，而不会损...
    2025-11-19
  • 半导体装置、存储装置、电子设备及处理装置
    半导体装置、存储装置、电子设备及处理装置_株式会社半导体能源研究所_202480017430.6
    提供一种记录密度高的处理装置。处理装置包括第一层及位于第一层的上方的第二层。第一层包括处理部及读出放大器，第二层包括存储单元。另外，存储单元包括在用作处理部的缓存或主存的存储装置中。另外，读出放大器具有读出保持在存储单元中的数据的功能，存储...
    2025-11-19
  • 具有4F2优化单元布局的内存结构
    具有4F2优化单元布局的内存结构_应用材料公司_202480019133.5
    一种4F2二维动态随机存取内存阵列可以包括布置成蜂巢状图案的垂直支柱晶体管，以最大化所述内存阵列的顶部上的可用电容器占地面积。位线可以部分地与所述垂直晶体管的两个相邻行的底部源极/漏极区域相交，其中所述行可以基于所述蜂巢状图案偏移。所述字线...
    2025-11-19
  • 定位装置、安装装置、处理装置、定位方法、电子部件的制造方法以及处理方法
    定位装置、安装装置、处理装置、定位方法、电子部件的制造方法以及处理方法_松下知识产权经营株式会社_202480022348.2
    半反射镜(31a)在棱镜(31)配置于头(4)与载台(5)之间的情况下，使从头(4)侧入射的光向摄像机(1)侧反射。半反射镜(31b)在棱镜(31)配置于头(4)与载台(5)之间的情况下，使从载台(5)侧入射的光向摄像机(1)侧反射。摄像机...
    2025-11-19
  • 安装装置
    安装装置_东丽工程株式会社_202480019048.9
    提供安装装置，能够准确地掌握位置调整时的旋转中心坐标，进行在布线基板等基板上安装芯片部件时的高精度对位。具体而言，提供安装装置，其具备：附件工具，其保持所述芯片部件；安装头，其具有在XYθ方向上调整附件工具的位置的头侧台、和从与所述附件工具...
    2025-11-19
  • 转印膜、带转印膜的电磁波屏蔽膜及屏蔽印刷电路板
    转印膜、带转印膜的电磁波屏蔽膜及屏蔽印刷电路板_拓自达电线株式会社_202480018324.X
    本发明提供一种转印膜，其具有形成有凹凸形状的主面，能够充分降低凹凸形状的被转印物的光泽度，且剥离性充分高。本发明的转印膜的特征在于，其具有形成有凹凸形状的第一主面，上述第一主面的突出峰部高度Spk为1.2μm以下。
    2025-11-19
  • 用于预制工厂中的电缆端接保护装置的技术
    用于预制工厂中的电缆端接保护装置的技术_甲骨文国际公司_202480019296.3
    公开了一种电缆端接保护装置及在预制工厂中使用的方法。电缆端接保护装置可包括框架，该框架具有布置在框架的表面上的端口。端口中的每一个可被配置为接受预制工厂中静态网络结构的联网电缆的电缆端接连接器。计算设备可生成指令，该指令可用于将联网电缆从电...
    2025-11-19
  • 壳体结构、显示模组和电子设备
    壳体结构、显示模组和电子设备_荣耀终端股份有限公司_202380095594.6
    本申请实施例提供了一种壳体结构、显示模组和电子设备，涉及电子设备技术领域，该壳体结构可以提升盖板玻璃的抗划伤能力，且当该壳体结构应用于3D曲面显示面板时，3D弧面显示区不会存在外观颜色差异，使得电子设备具有较好的外观。该壳体结构，包括：基板...
    2025-11-19
  • 印刷电路板的制造方法
    印刷电路板的制造方法_MGC电子科技有限公司_202480019671.4
    [课题]本发明提供一种能够良好地去除胶渣的印刷电路板的制造方法。[解决方案]依次包括：多层板形成工序，在内层基板11之上依次层叠绝缘层12和支承体13而形成多层板14；过孔形成工序，在绝缘层12形成过孔15；除胶渣工序，去除过孔15的胶渣(...
    2025-11-19
  • 用于机动车辆的机电转向系统所用的动力组
    用于机动车辆的机电转向系统所用的动力组_蒂森克虏伯普利斯坦股份公司_202480017840.0
    本发明涉及一种用于机动车辆的机电转向系统(1)所用的动力组(15)，动力组具有被壳体(16)封围的控制器(14)且具有电动马达(10)，其中，控制器(14)包括多部分电路板(19)，其具有彼此平行定位且彼此连接的至少两个部分(20、21)，...
    2025-11-19
  • 域控制器、可移动平台及域控制器的制造方法
    域控制器、可移动平台及域控制器的制造方法_深圳市卓驭科技有限公司_202580001489.0
    域控制器，包括：围合成容纳腔的第一壳体和第二壳体；设置于容纳腔中的带有芯片的电路板，电路板上开设有插接孔；设置于容纳腔中的均热板，均热板上形成有与插接孔匹配的插接端，插接端上形成有向外扩张的限位部，均热板插接于电路板上并被限位部限制运动，以...
    2025-11-19
  • 配线基板
    配线基板_京瓷株式会社_202480019577.9
    降低在信号传输中受电磁噪声影响的可能性。本公开一个方面的配线基板，具备：基体，该基体具有：第一面、第二面、以及侧面；复数个第一连接端子，位于所述第一面；复数个第一外部端子，位于所述第二面；复数个第一配线导体，位于所述基体的内部，使所述第一连...
    2025-11-19
  • 用于产生电浆热的装置和方法
    用于产生电浆热的装置和方法_原子能与替代能源委员会_202380092588.5
    本发明涉及一种用于产生热量的装置(100)，包括：‑容纳液体电解质(14)的腔室(11)，‑第一电极(12)和第二电极(13)，所述第一电极为线状的形式，所述第二电极沿着优选平坦的表面延伸，并且与所述第一电极以称为线‑面构造的结构布置，所述...
    2025-11-19
  • 用于生成次级辐射的方法和激光系统
    用于生成次级辐射的方法和激光系统_通快激光股份公司_202480022274.2
    本发明涉及一种用于产生次级辐射的方法，在目标区域(122)中提供目标材料(106)，将由激光脉冲(112)组成的脉冲序列(118)施加给目标区域(122)中的目标材料(106)，通过目标材料(106)与脉冲序列(118)的相互作用而产生次级...
    2025-11-19
  • 用于生成次级辐射的方法和激光系统
    用于生成次级辐射的方法和激光系统_通快激光股份公司_202480022273.8
    本发明涉及用于生成次级辐射的方法，其中，在目标区域(122)中提供目标材料(106)，将由激光脉冲(112)组成的脉冲序列(118b)施加至目标区域(122)中的目标材料(106)，其中，目标材料(106)与脉冲序列(118b)的相互作用生...
    2025-11-19
  • X射线生成装置和X射线成像装置
    X射线生成装置和X射线成像装置_佳能安内华股份有限公司_202380092470.2
    X射线生成装置(100)包括：X射线生成管(1)，X射线生成管(1)包括绝缘管(10)、阴极(30)、以及阳极(20)，阴极(30)包括电子发射部分(32)，阳极(20)包括靶(23)，靶(23)在来自电子发射部分(32)的电子碰撞时生成X...
    2025-11-19
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