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  • 本发明涉及铜钼蚀刻液技术领域,具体为一种改善蚀刻形貌的铜钼蚀刻液及其制备方法,包括主剂和辅剂;按质量百分比计,所述主剂至少包括:双氧水6.00‑20.00%,有机酸5.00‑15.00%,无机酸0.10‑1.50%,有机碱3.00‑15.0...
  • 本发明涉及一种蚀刻液组合物,其包括:过氧化氢;羧基化合物;含氟化合物;以及含氮环状化合物,其中,上述过氧化氢的含量为0.001重量%至4重量%。并且,本发明涉及一种蚀刻液组合物,其包括:过氧化氢;羧基化合物;含氟化合物;以及含氮环状化合物;...
  • 本申请涉及蚀刻液技术领域,具体涉及一种金属离子酸性蚀刻液及其制备方法,包括以下原料:改性复合金属盐、复合酸性介质、催化再生剂、协同缓蚀剂、表面活性剂、抗氧化剂、络合剂,制备方法为:步骤1、将复合酸性介质加入去离子水中,得酸性基底液;步骤2、...
  • 本申请提供了一种纤维锌矿Zn基纳米片非极性面的胶体原子层沉积方法,属于化工技术领域。本申请通过油酸锌配体交换原有的油胺配体,将油酸锌沉积在非极性面形成富Zn2+的极性面,然后再进行阴离子沉积,实现油溶性Zn基纳米片厚度方向的同质或异质材料的...
  • 本发明涉及激光熔覆制造技术领域,具体为一种基于交叉件的激光熔覆立体成形方法,包括:采用分段组合成形策略,将交叉件的十字形熔覆层划分为多个独立熔覆段,并根据划分的多个熔覆段预设熔覆路径;控制熔覆过程中能量与材料的协同作用,依照预设的熔覆路径,...
  • 本发明属于机械焊接加工技术领域,尤其是一种旋塞阀密封结构激光熔覆加工工艺及检测方法,针对现有的激光熔覆设备加工旋塞阀上的圆弧面和倒角的效果较差的问题,现提出以下方案,包括以下步骤:阀座粗车,熔覆层圆弧面按成品尺寸去除0.3mm,金属构件表面...
  • 本发明提供一种原位高温固溶Laves相的合金工件激光增材制造方法,涉及增材制造领域,其包括以下步骤:S1、将钢基板置于惰性气体保护箱中,固定后封箱,通入惰性气体;S2、第一次激光沉积:打开激光,打开送粉系统,将合金粉末按照预设路径进行第一层...
  • 本发明涉及金属表面工程技术领域,且公开了一种基于铜镁钛锆梯度设计的激光熔覆层及其制备方法,包括梯度结构设计、微观结构强化机制、激光熔覆工艺及热场控制,通过设置梯度过渡端,在进行铜合金表面熔覆层制备时,通过构建铜镁钛成分梯度过渡结构,实时匹配...
  • 本申请属于光伏发电领域,公开了一种金属光伏组件支架的防腐涂层及其制备方法,制备方法包括对金属光伏组件支架的表面进行杂质清理、打磨和清洗,得到预处理基体;采用冷喷涂工艺在预处理基体表面喷涂涂层粉末,得到喷涂后基体;对喷涂后基体进行加热固化,在...
  • 本发明公开了一种钕铁硼电镀锌用蓝白钝化液及钝化方法,属于电镀工艺技术领域。该钝化液包括以下原料:三价铬化合物3‑6g/L、可溶性铈盐3‑6g/L、可溶性钛盐1‑2g/L、磷钼酸3‑5g/L、聚天冬氨酸2‑4g/L、硝酸钴0.5‑1g/L、苯...
  • 本申请涉及金属表面处理领域,具体公开了一种锌合金用灰色钝化液及钝化方法。一种锌合金用灰色钝化液组分包括:六水氯化镍60‑85g/L、硫氰酸钠60‑75g/L、氯化铵5‑10g/L、九水硝酸铬20‑30g/L、六水氯化钴10‑15g/L、磷酸...
  • 本申请涉及金属表面处理的技术领域,尤其是涉及一种锌合金用铜色钝化液及其制备方法和钝化方法;一种锌合金用铜色钝化液,包括以下原料组分:重铬酸钾50‑65g/L、硝酸钴5‑15g/L、硫酸锰3‑10g/L、缓冲剂5‑15g/L以及硫酸2‑6mL...
  • 本发明提供了一种适用于共晶工艺的无硫化学镀镍液,涉及化学镀镍技术领域,该适用于共晶工艺的无硫化学镀镍液由以下质量份数的原料组成:镍盐8‑15份、络合剂10‑20份、光亮剂0.1‑0.5份、还原剂8‑16份、稳定剂0.1‑0.5份、起镀剂0....
  • 本发明属于化学镀锡技术领域,尤其涉及一种微纳米粉体表面镀锡方法,包括以下步骤:对粉体进行预处理,将主盐、还原剂、配位剂及抗氧化剂加入水中搅拌至完全溶解;配置得到开缸液及补加液,将预处理的粉体加入到开缸液中进行反应,待反应至溶液表面泡沫较少时...
  • 本发明涉及涂层材料制备技术领域,公开一种疏油防粘附表面的激光制备方法,包括:提供一种包含可交联有机硅化合物,液体润滑剂和润滑剂微胶囊的液态前驱体,并采用脉冲激光一次性扫描辐照,在基底表面同步实现微纳结构,构筑有机硅骨架的共价键合以及液体润滑...
  • 本发明提供了一种芯片顶层金属线表面钝化层的制备方法,属于芯片制造技术领域。所述制备方法包括如下步骤:采用低压化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法,在完成顶层金属线布线的芯片表面沉积第一钝化层;采用高密度等离子体化学气相沉积法在所述第一...
  • 本发明公开了一种钨的沉积工艺及等离子体设备,沉积工艺包含:提供一含有凹陷结构的基片,凹陷结构包括第一部分和第二部分,第一部分位于第二部分的上部,且特征尺寸小于第二部分的特征尺寸;第一沉积步骤:在第一部分和第二部分沉积第一沉积层;第一沉积层至...
  • 本发明公开了一种主轴架体精度调节方法,包括以下步骤:将静音线轨组件安装在主轴架体上;在水平基准检测平台对架体安装基准面进行水平精度检测并调节使其水平精度达到设定第一阈值;在水平基准检测平台上通过竖向基准检测平台对静音线轨组件的静音线轨竖向精...
  • 本发明公开了一种垂直型石墨载盘及MOCVD设备,该垂直型石墨载盘应用于MOCVD设备中,垂直型石墨载盘包括载盘本体以及设于载盘本体上的多个放置槽,放置槽用于容纳衬底,其中,载盘本体垂直布置在MOCVD设备的反应腔体中,使得载盘板体的一部分边...
  • 本发明公开了化学前体容器。所述容器包括器皿和限定内部容积的盖、进口导管、出口导管和定位在器皿内部并与进口导管流体流连通的流量分配器。所述流量分配器具有环形形状且包括分配器底板,所述分配器底板具有在其中形成的、用于经过其排出载气的多个孔。所述...
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