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  • 本发明提供了一种改善晶体形貌的生长装置及方法,涉及碳化硅晶体生长领域。该生长装置及配套的生长方法在坩埚体的顶部选择性地安装具有特定形状的气相出口的导流块,并设置平移机构驱动坩埚盖带着籽晶在气相出口的上方往复直线运动,根据气相出口形状和籽晶运...
  • 本发明涉及一种低碳包裹体的碳化硅单晶生长方法,属于晶体生长技术领域。该方法采用低包裹体碳化硅单晶生长坩埚进行,所述的低包裹体碳化硅单晶生长坩埚包括密闭连接的坩埚本体和坩埚盖,坩埚本体的底部设置有石墨底板,坩埚本体的侧壁设置有石墨侧环,坩埚盖...
  • 本公开涉及管理碳化硅晶体的生长。SiC衬底需要用于高功率应用,诸如电动车辆、太阳能电池板和工业电子产品。可通过添加可移动加热器来改进用于碳化硅(SiC)锭生长的物理气相输送(PVT)设备。加热器可以是电感的或电阻的。通过在生长阶段期间严格控...
  • 本发明提供一种单晶生长装置及其应用,所述单晶生长装置至少包括:真空炉,包括炉壁,所述炉壁沿着所述真空炉的重力方向设置;加热单元,穿过所述炉壁,由所述真空炉内向所述真空炉外延伸,且所述加热单元包括发热体和至少两个电极,所述发热体设置在所述真空...
  • 本发明公开了一种铋铁石榴石(BIG)薄膜的液相外延制备方法及其缺陷控制技术,涉及磁性光学材料领域,包括以下步骤:加热升温液相外延炉,将调整后的化学配比的氧化物混合物充分熔化为溶液;对溶液进行均匀搅拌后降温得到过饱和溶液;对预处理后的基片缓慢...
  • 本发明涉及光伏加工技术领域,具体是涉及一种单晶硅自动加掺杂延迟添加装置及延迟添加方法,包括安装管,安装管内设有旋转伸缩机构,旋转伸缩机构包括驱动管和伸缩转杆,伸缩转杆的一端设有掺杂勺,掺杂勺内设有承装槽,掺杂勺的外壁上开设有供掺杂料落出的V...
  • 本发明涉及光伏拉晶制造技术领域,具体涉及一种提高电阻率集中度的方法,包括以下步骤:单晶硅拉制开始前准备;熔化多晶硅原料;进行引晶和放肩步骤的同时通过掺杂剂上料装置向单晶炉内添加掺杂剂;进行转肩、等径和收尾步骤,并进行在线电阻率监控,合计计算...
  • 本发明提供了一种具有高吸热效率的单晶炉水冷屏,属于单晶生产设备领域。所述水冷屏在内壁上设置有翅片;在内壁上设置有翅片;所述翅片与内壁的表面相交,具有预定角度,在内壁的表面形成向内延伸的、相互平行的、环状或螺旋状平台,平台间形成陷光结构;且预...
  • 本发明公开了一种基于电场调控的金属辅助化学刻蚀装置,涉及微电子制造领域,包括:固定基板,所述固定基板上设置有电极,湿法电化学处理装置;所述电极用于提供电场的一极,所述湿法电化学处理装置用于夹持衬板,并为衬板提供导电接触的电场的另一极。本发明...
  • 本发明涉及镀覆技术领域,具体为一种用于光伏部件加工的异形工件镀覆装置,包括电镀池、清除机构和处理机构,所述清除机构设在电镀池内侧的顶部,所述处理机构设在清除机构的底部,所述清除机构包括装取组件、传动组件、蓄力组件、定位组件和夹持组件,所述装...
  • 本发明涉及电子产品加工技术领域,公开了一种电子产品元件的智能化加工装置,包括电镀装置,所述电镀装置的顶部固定连接有安装框,所述安装框用于电子产品的电镀加工,所述安装框的内部设置有移动机构,所述移动机构的底部设置有动态放置机构,所述移动机构带...
  • 本申请涉及电镀设备领域,尤其是涉及一种晶闸管管壳镀镍装置及其使用方法,包括镀镍池,镀镍池上竖向滑动设置有电镀架,镀镍池上设置有驱动电镀架竖向滑移的升降件,电镀架上设置有沉水架,沉水架上均布有多个用于放置管壳的置壳机构,置壳机构包括设置于沉水...
  • 本发明公开了一种耐高温腐蚀不锈钢分气盘及其制备方法,涉及不锈钢加工技术领域,本发明对不锈钢进行微弧氧化处理,提高了不锈钢表面的耐高温和耐磨性,但是微孔处理后的不锈钢耐腐蚀性还有待提高。所以本申请对微弧氧化处理处理后的不锈钢进行了镀二氧化钛层...
  • 本发明公开了一种铝合金型材表面高光耐腐蚀处理工艺,包括以下步骤:S1.预处理,包括脱脂和碱蚀;S2.阳极氧化;S3.化学光亮处理;S4.表面拉丝;S5.喷砂;S6.高光;S7.硅烷偶联剂处理;S8.二次氧化处理;S9.纳米复合封孔;S10....
  • 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种IC封装用高可靠性镀金钯铜丝及其制备方法。所述IC封装用高可靠性镀金钯铜丝包括铜丝基体、包覆在铜丝基体表面的钯镀层以及包覆在钯镀层表面的金镀层;所述铜丝基体,包括如下质量百分比的原料:Mg 0.001...
  • 本申请涉及铜箔表面处理技术领域,特别是涉及一种铜箔及其制备方法和应用。所述铜箔包括电解铜生箔以及在所述电解铜生箔的毛面依次层叠设置的粗糙化处理层、儿茶酚基聚合物层和硅烷偶联剂层。该铜箔通过在粗糙化处理层和硅烷偶联剂层之间引入儿茶酚基聚合物层...
  • 本发明公开了高深径比微孔脉冲突变电流铜填充方法及系统,属于印刷电路板制造技术领域,其包括获取微孔结构参数生成梯度脉冲突变电流波形;实时监测微孔孔口的沉积厚度参数,当沉积厚度参数超过预设厚度阈值时,激活反向削峰脉冲组;在电镀槽中生成谐振式复合...
  • 本发明公开了一种用于小直径盲孔件的摩擦‑电解辅助射流电沉积装置及方法,属于电沉积技术领域。该装置由运动控制装置、镀液过滤循环装置、阳极旋转装置、旋转进电装置、辅助电解装置、阴极夹具及加热温控装置构成。其中,阳极旋转装置实现动态摩擦,旋转进电...
  • 本发明公开了一种铝合金产品深孔镀镍方法,旨在解决铝合金产品镀镍过程中,深孔存在漏镀镍以及膜厚不均匀的不足。该发明先在铝合金产品深孔处安装镀镍治具,镀镍治具上设置通流管,通流管插入深孔中;然后将铝合金产品浸没到镀镍槽中,对通流管抽液使镀镍槽中...
  • 本发明涉及电镀金技术领域,公开了一种电镀金镀液与电镀金的方法和金镀层。所述电镀金镀液含有金源、导电盐、缓冲盐、有机膦酸类化合物和含双硫键配位化合物,其中,所述有机膦酸类化合物选自羟基乙叉二磷酸、氨三亚甲基膦酸和2‑羟基膦酰基乙酸中的一种或两...
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