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最新专利技术
  • 一种单晶硅生长炉跨炉台亮度校准方法及其校准装置
    一种单晶硅生长炉跨炉台亮度校准方法及其校准装置_浙江晶阳机电股份有限公司_202511468794.9
    本发明涉及单晶硅生长炉炉温检测技术领域，该一种单晶硅生长炉跨炉台亮度校准方法及其校准装置，包括光源控制器，所述光源控制器通过数据线与标准背光板电性连接，标准背光板上对称开设有两个安装孔，安装孔内部固定安装有按压锁紧机构，本发明通过跨炉台基准...
    2026-01-27
  • 单晶炉
    单晶炉_晶科能源股份有限公司_202511467800.9
    本申请实施例涉及单晶炉技术领域，提供一种单晶炉，单晶炉包括主室和副室；第一分流盘，设置在主室和副室之间的喉口处，第一分流盘背离副室的一端的端面上设置有第一出气部，第一出气部用于向主室内吹出呈环状分布的惰性气体气流；第二分流盘，设置在副室远离...
    2026-01-27
  • 一种高质量自支撑多晶金刚石衬底的制备方法
    一种高质量自支撑多晶金刚石衬底的制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511004613.7
    本发明公开了一种高质量自支撑多晶金刚石衬底的制备方法，包括：获取较大的第一衬底和较小的第二衬底；后者为抛光后的钼金属衬底；使用超声播种法在第一衬底上播种金刚石晶种，使用CVD工艺生长纳米晶金刚石外延层；使用精密激光切割第一衬底得到内径大于第...
    2026-01-27
  • 一种具有取向孔道结构的多孔单晶铜箔及其制备方法和应用
    一种具有取向孔道结构的多孔单晶铜箔及其制备方法和应用_湖北中一科技股份有限公司_202511105477.0
    本发明公开了一种具有取向孔道结构的多孔单晶铜箔及其制备方法和应用，该具有取向孔道结构的多孔单晶铜箔包括具有(111)晶面取向的单晶铜箔，所述单晶铜箔上具有垂直贯穿的孔道，所述孔道的内壁上包覆有Al2O3层。本发明通过单晶铜箔和垂直取向孔道的...
    2026-01-27
  • 分子束外延碲镉汞表面温度的原位实时监测和调控方法
    分子束外延碲镉汞表面温度的原位实时监测和调控方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511061384.2
    本发明提出了一种分子束外延碲镉汞表面温度的原位实时监测和调控方法，方法包括：针对分子束外延碲镉汞的生长前加热均匀性进行修正；针对分子束外延碲镉汞的生长时的表面温度进行实时监测。本发明所提供的方法，针对碲镉汞材料分子束外延生长，设计切换光谱仪...
    2026-01-27
  • 一种外延片的制备装置及其方法
    一种外延片的制备装置及其方法_中电化合物半导体有限公司_202511154736.9
    本发明公开一种外延片的制备装置及其方法，制备装置包括：生长腔，包括相对设置的顶部和底部、以及侧部，所述侧部设置在所述顶部和所述底部之间；冷却腔，环绕设置在所述生长腔外；多个通气孔，间隔贯穿设置在所述侧部上；进气孔，设置在所述冷却腔上；加热件...
    2026-01-27
  • 一种单晶金刚石晶圆及其制备方法和应用
    一种单晶金刚石晶圆及其制备方法和应用_上海骐杰新材料股份有限公司_202511129754.1
    本发明涉及一种单晶金刚石晶圆及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：(1)在第一碳化硅基底上外延生长第二碳化硅，形成第二碳化硅层，得到第一复合晶片；所述第二碳化硅的晶型结构与单晶金刚石一致；(2)对所述第一复合晶片进行热处理和第一激光...
    2026-01-27
  • 一种大尺寸三元层状In2Ge2Se6单晶材料及其制备方法
    一种大尺寸三元层状In2Ge2Se6单晶材料及其制备方法_季华实验室_202511476359.0
    本发明涉及晶体材料制备技术领域，特别涉及一种大尺寸三元层状In2Ge2Se6单晶材料及其制备方法。所述制备方法采用化学气相输运法，以碘作为输运剂，同时通过优化碘的浓度以及处理温度，最终制得具有大尺寸的三元层状In2Ge2Se6单晶材料，为相...
    2026-01-27
  • 一种包含柔性气体连接装置的外延设备
    一种包含柔性气体连接装置的外延设备_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511060572.3
    本发明公开了一种包含柔性气体连接装置的外延设备，包括：气体连接座、气体连接盒、连接管道、腔盖、腔体和开盖机构，气体连接座设置在腔体侧部，其进气端连接至外部气源，气体连接盒设置在腔盖侧部，其出气端通过连接管道与腔盖上的进气口连通；腔盖与开盖机...
    2026-01-27
  • 一种用于外延腔室进气口的插件
    一种用于外延腔室进气口的插件_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511041677.4
    本发明公开了一种用于外延腔室进气口的插件，包括：壳体，所述壳体内设有至少一个送气单元。所述送气单元沿工艺气体流动方向依次分为第一气体分配区和第二气体分配区；所述第一气体分配区靠近供气源，所述第二气体分配区靠近所述进气口且具有弧形的出口边缘。...
    2026-01-27
  • 径向温梯可调式晶体生长装置及方法
    径向温梯可调式晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484873.9
    本发明的实施例提供了一种径向温梯可调式晶体生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，以改善现有技术中待生长晶体的径向温梯调节不便的技术问题。其包括加热炉、坩埚以及径向温梯调节装置；坩埚内分别布置有待生长晶体和碳化硅粉料；径向温梯调节装置设...
    2026-01-27
  • 一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法
    一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484872.4
    本发明的实施例提供了一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域。其包括坩埚体以盖设在坩埚体上的坩埚盖，坩埚盖与坩埚体共同限定出相连通的原料区和生长区；原料区内盛装有碳化硅粉料，生长区内设置有导流筒；导流筒包括第一...
    2026-01-27
  • 碳化硅晶体扩径生长装置及方法
    碳化硅晶体扩径生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484870.5
    本发明提供了一种碳化硅晶体扩径生长装置及方法，涉及晶体生长领域，本扩径生长装置及方法通过水平排布粉料腔和籽晶，并设置水平延伸的气相通道，粉料腔内形成的长晶气相可以沿水平方向流向气相通道内的匀速自转的籽晶，如此可以实现晶体在籽晶周壁上各个部位...
    2026-01-27
  • 一种大尺寸晶体生长装置及方法
    一种大尺寸晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484868.8
    本发明实施例提供了一种大尺寸晶体生长装置及方法，涉及碳化硅长晶技术领域。大尺寸晶体生长方法应用大尺寸晶体生长装置生长碳化硅晶体，大尺寸晶体生长装置包括坩埚、籽晶、导流件及加热组件。坩埚内设置有多孔石墨板，多孔石墨板将坩埚分为沿轴向排布的第一...
    2026-01-27
  • 补偿式晶体生长装置及方法
    补偿式晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484867.3
    本发明提供了一种补偿式晶体生长装置及方法，涉及晶体生长领域，其通过在坩埚内设置多孔石墨板，且使多孔石墨板对应晶体小面区域的部分薄于对应晶体的非小面区域的部分，如此可以相对减小流向小面区域的长晶气相经过多孔石墨板时受到的阻力，以增大流向晶体的...
    2026-01-27
  • 改善晶体形貌的生长装置及方法
    改善晶体形貌的生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484863.5
    本发明提供了一种改善晶体形貌的生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长领域。该生长装置及配套的生长方法在坩埚体的顶部选择性地安装具有特定形状的气相出口的导流块，并设置平移机构驱动坩埚盖带着籽晶在气相出口的上方往复直线运动，根据气相出口形状和籽晶运...
    2026-01-27
  • 一种降低碳包裹体的碳化硅单晶生长方法
    一种降低碳包裹体的碳化硅单晶生长方法_山东大学_202511150639.2
    本发明涉及一种低碳包裹体的碳化硅单晶生长方法，属于晶体生长技术领域。该方法采用低包裹体碳化硅单晶生长坩埚进行，所述的低包裹体碳化硅单晶生长坩埚包括密闭连接的坩埚本体和坩埚盖，坩埚本体的底部设置有石墨底板，坩埚本体的侧壁设置有石墨侧环，坩埚盖...
    2026-01-27
  • 管理碳化硅晶体的生长
    管理碳化硅晶体的生长_半导体元件工业有限责任公司_202410888723.3
    本公开涉及管理碳化硅晶体的生长。SiC衬底需要用于高功率应用，诸如电动车辆、太阳能电池板和工业电子产品。可通过添加可移动加热器来改进用于碳化硅(SiC)锭生长的物理气相输送(PVT)设备。加热器可以是电感的或电阻的。通过在生长阶段期间严格控...
    2026-01-27
  • 一种单晶生长装置及其应用
    一种单晶生长装置及其应用_中电化合物半导体有限公司_202410590305.6
    本发明提供一种单晶生长装置及其应用，所述单晶生长装置至少包括：真空炉，包括炉壁，所述炉壁沿着所述真空炉的重力方向设置；加热单元，穿过所述炉壁，由所述真空炉内向所述真空炉外延伸，且所述加热单元包括发热体和至少两个电极，所述发热体设置在所述真空...
    2026-01-27
  • 铋铁石榴石(BIG)薄膜的液相外延制备方法及其缺陷控制技术
    铋铁石榴石(BIG)薄膜的液相外延制备方法及其缺陷控制技术_福建福晶科技股份有限公司_202511115726.4
    本发明公开了一种铋铁石榴石(BIG)薄膜的液相外延制备方法及其缺陷控制技术，涉及磁性光学材料领域，包括以下步骤：加热升温液相外延炉，将调整后的化学配比的氧化物混合物充分熔化为溶液；对溶液进行均匀搅拌后降温得到过饱和溶液；对预处理后的基片缓慢...
    2026-01-27
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