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最新专利技术
  • 一种耐火阻燃纤维及其制备方法和应用
    一种耐火阻燃纤维及其制备方法和应用_安徽省颉良新材料有限公司_202511204198.X
    本发明涉及纤维技术领域，且公开了一种耐火阻燃纤维及其制备方法和应用，本发明将丙烯腈和含有羟基的烯丙基DOPO单体进行共聚反应，再与4‑苯基乙炔基邻苯二甲酸酐进行反应，得到聚丙烯腈聚合物，并纺丝得到耐火阻燃纤维。纤维含有DOPO阻燃结构和二苯...
    2026-01-27
  • 一种用于假发生产的假发丝冷却装置
    一种用于假发生产的假发丝冷却装置_邵阳市元通工艺品有限公司_202511437239.X
    本发明公开了一种用于假发生产的假发丝冷却装置，属于假发生产技术领域，该用于假发生产的假发丝冷却装置，包括冷却池、上导引辊、下导引辊组、支座、连接端盖、空心辊、安装块，安装块一面固接有梳齿；设于支座上的梳齿驱动单元，梳齿驱动单元用于在空心辊转...
    2026-01-27
  • 一种柔软舒适耐穿不易勾丝的锦纶纤维及生产工艺、应用
    一种柔软舒适耐穿不易勾丝的锦纶纤维及生产工艺、应用_彼悦(北京)科技有限公司_202511246936.7
    本公开提出一种柔软舒适耐穿不易勾丝的锦纶纤维及生产工艺、应用，属于化纤纺织技术领域。生产工艺包括：采用增粘装置对锦纶切片进行增粘处理至预设粘度，得到高粘度锦纶切片；对所述高粘度锦纶切片进行熔融处理，经喷丝板挤出形成纱线；采用低温风冷装置对纱...
    2026-01-27
  • 基于复合导电纤维喷丝板的纤维成型方法及系统
    基于复合导电纤维喷丝板的纤维成型方法及系统_常州纺兴精密机械有限公司_202511496265.X
    本发明公开了基于复合导电纤维喷丝板的纤维成型方法及系统，涉及纤维喷丝板技术领域，该方法通过在复合导电纤维喷丝板的中心区与边缘区分别设置电流采集点，并在喷丝口出口附近配置电导率采集点，实时采集导电原始数据，并将所采集的导电原始数据通过数据交互...
    2026-01-27
  • 一种笼式无针电极纺丝设备
    一种笼式无针电极纺丝设备_山东纳飞博科技发展有限公司_202511463677.3
    本发明涉及一种笼式无针电极纺丝设备，包括壳体、控制装置、回转纺丝机构和收集电极，回转纺丝机构包括溶液槽、第一端面、第二端面、旋转轴、电极丝、驱动装置一和绕线杆，第一端面和第二端面安装在旋转轴上，第一端面与第二端面之间设有多个电极丝，多个电极...
    2026-01-27
  • 静电离化装置及阵列纺离化箱
    静电离化装置及阵列纺离化箱_东华大学_202511350261.0
    本发明公开了一种静电离化装置及阵列纺离化箱，涉及纺织加工机械领域，本发明静电离化装置包括离化组件，其设有顶部开口的回流槽，回流槽上方设有水平布置且能够外接电源的金属丝；往复组件包括与金属丝上表面接触的供液刷，能够驱动所述供液刷沿所述金属丝轴...
    2026-01-27
  • 一种改性无机纳米材料制备阻燃纤维及其生产装置
    一种改性无机纳米材料制备阻燃纤维及其生产装置_扬州富威尔复合材料有限公司_202511204339.8
    本发明公开了一种改性无机纳米材料制备阻燃纤维及其生产装置，属于阻燃纤维生产技术领域，解决了现有技术中滤芯拆装困难、滤芯不便清洗、熔体过滤稳定性差的问题，包括熔体过滤器，熔体过滤器内设有两个过滤腔，两个过滤腔内均设有一个过滤组件，熔体过滤器的...
    2026-01-27
  • 一种莱赛尔纤维生产中预混合料的制作工艺
    一种莱赛尔纤维生产中预混合料的制作工艺_襄阳启祥科技有限公司_202511284415.0
    一种莱赛尔纤维生产中预混合料的制作工艺，用于制作莱赛尔纤维预混合料。在第一碎浆机中加入第一种添加剂对廉价浆进行预处理，以破坏纤维素分子结构，使廉价浆的聚合度从700以上降至580~630，与溶解浆的指标接近，然后经过压榨机将浆粥中水分压至4...
    2026-01-27
  • 一种苎麻收集装置
    一种苎麻收集装置_成都信息工程大学_202511368275.5
    本发明公开了一种苎麻收集装置，通过在第一刮麻机构中设置刮麻压轮与压板，在第二刮麻机构中设置两刮轮以及半包围与其中一刮轮的导向板，处理苎麻纤维时，使苎麻纤维依次通过刮麻压轮与压板之间的间隙、两刮轮之间的间隙以及刮轮与导向板之间的间隙，使刮麻压...
    2026-01-27
  • 一种籽晶杆调中方法
    一种籽晶杆调中方法_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202511364208.6
    本发明公开了单晶生长技术领域，具体公开了一种籽晶杆调中方法，采用调中装置进行调节，所述调中装置包括电机、上连接机构、调节机构、下连接机构和籽晶杆；电机轴和籽晶杆均竖直设置；调节时，具体包括以下步骤：(1)在籽晶杆下方放置基准件；(2)启动电...
    2026-01-27
  • 一种室温下实现铁电晶体稳定去极化的电学方法
    一种室温下实现铁电晶体稳定去极化的电学方法_西南交通大学_202511107244.4
    本发明公开了一种室温下实现铁电晶体稳定去极化的电学方法，包括以下步骤：S1：获取待去极化的铁电晶体，并获得所述铁电晶体的矫顽电场强度；S2：以所述矫顽电场强度为幅值，在室温下对所述待去极化的铁电晶体施加交流放电循环‑脉冲组电信号，获得去极化...
    2026-01-27
  • 单晶炉、晶棒生产工艺及硅片
    单晶炉、晶棒生产工艺及硅片_晶科能源股份有限公司_202511156959.9
    本申请涉及一种单晶炉、晶棒生产工艺及硅片，涉及单晶硅棒生产技术领域。单晶炉包括主炉室、第一副室、第二副室、籽晶夹持器和冷却模块，所述第一副室和所述第二副室位于所述主炉室的上方，且均与重力方向平行设置；所述第一副室和所述第二副室均包括主体、盖...
    2026-01-27
  • 一种提高碳化硅单晶纵向生长厚度的装置及方法
    一种提高碳化硅单晶纵向生长厚度的装置及方法_奥通碳素(内江)科技有限公司_202511402281.8
    本发明提供了一种提高碳化硅单晶纵向生长厚度的装置及方法；包括分体式坩埚，以及设置在所述分体式坩埚正上方的第一加热器；所述分体式坩埚包括坩埚本体，坩埚顶盖和坩埚底盖；所述坩埚本体包括多个竖向重叠的坩埚筒，设置在所述坩埚筒内下部且呈上下分布的第...
    2026-01-27
  • 一种用于液相法生长碳化硅单晶的籽晶支撑与保护结构
    一种用于液相法生长碳化硅单晶的籽晶支撑与保护结构_成都天一晶能半导体有限公司_202511398817.3
    本发明涉及碳化硅单晶生产技术领域，公开了一种用于液相法生长碳化硅单晶的籽晶支撑与保护结构，包括：籽晶固定支撑杆，其包括托部、杆部，托部与杆部一体成型；碳化硅籽晶片，安装在籽晶固定支撑杆上；籽晶防护环，安装在籽晶固定支撑杆上，籽晶防护环上端面...
    2026-01-27
  • 一种片状单晶碳化硅粉料合成方法
    一种片状单晶碳化硅粉料合成方法_江苏超芯星半导体有限公司_202511020944.X
    本发明提供了一种片状单晶碳化硅粉料合成方法。所述合成方法依次包括反应物料前期处理、反应物料填充、粉料加热合成等步骤；所述反应物料前期处理包括：准备石墨粉及不同粒径的硅块，利用硅烷偶联剂乙醇溶液浸泡并烘干，将烘干后的石墨粉与固体相物质、分散剂...
    2026-01-27
  • 一种n型碳化硅晶体及其液相生长方法
    一种n型碳化硅晶体及其液相生长方法_山东天岳先进科技股份有限公司_202510946435.3
    本发明公开了一种n型碳化硅晶体及其液相生长方法，属于半导体技术领域。本发明通过改变碳化硅生长的生长原料的配方，生长原料被配置为SixCryMz，其中，Si占原料的摩尔比x为40‑76％，Cr占原料的摩尔比y为20‑60％，M占原料的摩尔比z...
    2026-01-27
  • 碳化硅单晶制造方法及碳化硅单晶制造装置
    碳化硅单晶制造方法及碳化硅单晶制造装置_株式会社电装_202510562146.3
    在利用供给SiC的原料气体(20)而使SiC单晶(3)在晶种(2)上生长的气体供给法的SiC单晶制造方法中，在基座(13)上配置晶种(2)后，通过配置于晶种(2)的下方的第一气体导入口(7)，向加热容器(12)内导入原料气体(20)。然后，...
    2026-01-27
  • 一种钛酸钡薄膜结构及其制备方法
    一种钛酸钡薄膜结构及其制备方法_上海大学_202511468793.4
    本发明涉及钙钛矿薄膜材料制备及结构设计技术领域，公开一种钛酸钡薄膜结构及其制备方法。其中，钛酸钡薄膜结构包括衬底、非晶埋氧层、氮化硅或硅芯层波导、结晶氧化镁缓冲层、结晶钛酸钡层。所述非晶埋氧层设置在衬底上，氮化硅或硅芯层波导位于埋氧层内，结...
    2026-01-27
  • 一种稀土钆基硼酸盐单晶体及其制备方法和磁制冷应用
    一种稀土钆基硼酸盐单晶体及其制备方法和磁制冷应用_广东省科学院资源利用与稀土开发研究所_202510886444.8
    本发明公开了一种稀土钆基硼酸盐单晶体及其制备方法和磁制冷应用，化学式为K3Gd3(BO3)4，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为：α＝90°，β＝110.4705(34)，γ＝90°，Z＝16。所述的稀土钆基硼酸盐单晶体在低温区展...
    2026-01-27
  • 一种单晶硅生长炉跨炉台亮度校准方法及其校准装置
    一种单晶硅生长炉跨炉台亮度校准方法及其校准装置_浙江晶阳机电股份有限公司_202511468794.9
    本发明涉及单晶硅生长炉炉温检测技术领域，该一种单晶硅生长炉跨炉台亮度校准方法及其校准装置，包括光源控制器，所述光源控制器通过数据线与标准背光板电性连接，标准背光板上对称开设有两个安装孔，安装孔内部固定安装有按压锁紧机构，本发明通过跨炉台基准...
    2026-01-27
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