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最新专利技术
  • 一次性编程的存储单元及其存储单元组和存储器
    一次性编程的存储单元及其存储单元组和存储器_成都锐成芯微科技股份有限公司_202511517509.8
    本发明涉及一次性编程的存储单元及其存储单元组和存储器，所述一次性编程存储单元包括：依序串联的检测晶体管、第一选择晶体管、和栅电容，位于一个衬底中；其中检测晶体管的源极与第一选择晶体管的漏极重合，第一选择晶体管的源极与检测晶体管的栅极通过一根...
    2025-12-01
  • FPGA通用位元电路及数据读取方法和数据写入方法
    FPGA通用位元电路及数据读取方法和数据写入方法_成都蜀郡微电子有限公司_202510866040.2
    FPGA通用位元电路及数据读取方法和数据写入方法，涉及集成电路技术，本发明的FPGA通用位元电路由一个可编程器件、一个选择MOS管和一个阻挡MOS管构成，选择MOS管的第一电流端和可编程器件的第一端连接于公共点，阻挡MOS管的电流输入端和公...
    2025-12-01
  • 存储介质的读干扰计数方法及电子设备
    存储介质的读干扰计数方法及电子设备_苏州元脑智能科技有限公司_202511508300.5
    本申请公开了一种存储介质的读干扰计数方法及电子设备，涉及固态硬盘技术领域，包括识别当前读取的条带和上次读取的条带是否相同，若当前读取的条带和上次读取的条带不相同，则根据第一变量更新第一数组的读干扰计数；若当前读取的条带和上次读取的条带相同，...
    2025-12-01
  • 固态硬盘的阈值电压处理方法、数据读取方法及相关设备
    固态硬盘的阈值电压处理方法、数据读取方法及相关设备_深圳大普微电子股份有限公司_202510833122.7
    本发明涉及存储技术领域，公开了一种固态硬盘的阈值电压处理方法、数据读取方法及相关设备。该阈值电压处理方法包括：选取固态硬盘中处于频繁重读状态的晶粒作为目标晶粒；获取目标晶粒的最佳阈值电压；将最佳阈值电压设置为目标晶粒中所有处于关闭状态的区块...
    2025-12-01
  • 存储器装置中的存储器单元的多步模拟编程收敛
    存储器装置中的存储器单元的多步模拟编程收敛_美光科技公司_202510648414.3
    本申请涉及存储器装置中的存储器单元的多步模拟编程收敛。存储器装置中的控制逻辑启动对存储器装置的存储器阵列的编程操作，所述存储器阵列包括多个存储器单元，且所述编程操作包括多个编程脉冲。所述控制逻辑在施加所述多个编程脉冲中的第一编程脉冲之后进一...
    2025-12-01
  • 一种防止数据丢失的批量闪存设备处理装置
    一种防止数据丢失的批量闪存设备处理装置_陈清_202511245508.2
    本发明公开了一种防止数据丢失的批量闪存设备处理装置。该装置主要包括上下电控制器和闪存阵列电路，实现对批量脱机闪存设备周期性自动上下电控制，从而解决闪存设备长时间断电存放数据丢失的问题。
    2025-12-01
  • 记忆体电路及其操作方法
    记忆体电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510657024.2
    一种记忆体电路包括记忆体阵列，该记忆体阵列包含多个记忆体单元。该记忆体电路包括第一预充电电路，该第一预充电电路耦合至与所述多个记忆体单元电连接的至少一个存取线且用以在该记忆体阵列的待机模式期间处于第一状态。该记忆体电路包括第二预充电电路，该...
    2025-12-01
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202410721984.6
    本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。其中，用于重试读取存储器装置中的数据的操作方法包括：于存储器装置施加第一读取电压，当读取错误时，计算对应于第一读取电压所得到的第一位元值的数量与第二位元值的数量的第一绝对差值；于存储器装置施加第二读取...
    2025-12-01
  • SONOS存储器阵列结构
    SONOS存储器阵列结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511058307.1
    本发明公开了一种SONOS存储器阵列结构，包括：阵列排列的多个结构相同的存储单元，每个存储单元由选择管和两个置于选择管两侧的第一存储管和第二存储管构成，两个存储管分别存储数据；每行存储单元的选择管的栅极接对应字线；每行存储单元的第一存储管的...
    2025-12-01
  • 具有数据安全电路系统的存储器装置以及相关联的系统、装置和方法
    具有数据安全电路系统的存储器装置以及相关联的系统、装置和方法_美光科技公司_202510650207.1
    本申请涉及具有数据安全电路系统的存储器装置以及相关联系统、装置和方法。本文中公开了具有数据安全电路系统的存储器装置(以及相关联系统、装置和方法)。在一个实施例中，一种设备包含：存储器阵列，其具有多个存储器单元；多个DQ端子；以及电路系统，其...
    2025-12-01
  • 数据保护方法、存储器件以及存储装置
    数据保护方法、存储器件以及存储装置_上海江波龙数字技术有限公司_202410630740.7
    本申请公开了一种数据保护方法、存储器件以及存储装置。该方法应用于存储器件，所述存储器件用于设置在存储装置中，该存储装置还包括主控模块，主控模块用于连接存储器件以对存储器件进行控制。存储器件包括掉电检测模块、操作控制模块以及存储模块。该方法包...
    2025-12-01
  • 闪存寿命预测方法、装置、设备和存储介质
    闪存寿命预测方法、装置、设备和存储介质_成都佰维存储科技有限公司_202511058360.1
    本发明公开了一种闪存寿命预测方法、装置、设备和存储介质。方法包括：确定闪存中各存储单元模式的块的正常块数，并根据各存储单元模式的块的正常块数，计算各存储单元模式对应的正常块占比；分别根据闪存中各存储单元模式的块的正常块数和属性数据，计算各存...
    2025-12-01
  • 锁存器及驱动方法、页缓冲器、存储器装置和存储器系统
    锁存器及驱动方法、页缓冲器、存储器装置和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202511117455.6
    本公开实施例提供锁存器及驱动方法、页缓冲器、存储器装置和存储器系统。锁存器包括：数据锁存单元、数据输入单元和电流控制单元；其中，数据锁存单元包括：反向连接的第一反相器和第二反相器；两个反相器的连接点分别为第一节点和第二节点；数据输入单元包括...
    2025-12-01
  • 存储器装置中的存储器单元的多电平模拟编程收敛控制
    存储器装置中的存储器单元的多电平模拟编程收敛控制_美光科技公司_202510657001.1
    本公开涉及存储器装置中的存储器单元的多电平模拟编程收敛控制。一种存储器装置包含具有形成于多个字线与多个位线的相应相交点处的多个存储器单元的存储器阵列。所述存储器装置进一步包含耦合到所述存储器阵列的页缓冲电路，所述页缓冲电路具有多个动态锁存电...
    2025-12-01
  • 动态写入增强停用
    动态写入增强停用_美光科技公司_202510648178.5
    本申请涉及动态写入增强停用。存储器系统可确定存储到所述存储器系统的数据量是否满足第一阈值。在一些实例中，所述存储器系统的存储器单元块可被分配给写入增强游标。所述存储器系统可响应于确定所述数据量满足所述第一阈值而停用写入增强模式的操作。因而，...
    2025-12-01
  • 存储器及其操作方法、存储系统、电子设备
    存储器及其操作方法、存储系统、电子设备_华为技术有限公司_202410635276.0
    本申请实施例公开一种存储器及其操作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域。存储器包括外围电路和多个存储阵列。外围电路包括存储阵列控制器和第一选通器，且存储阵列控制器与第一选通器连接。多个存储阵列沿外围电路的厚度方向层叠设置，且多个存储...
    2025-12-01
  • 一种忆阻器阵列优化方法
    一种忆阻器阵列优化方法_广东工业大学_202510982049.X
    本发明公开了一种忆阻器阵列优化方法。该方法包括以下步骤：获取待计算的布尔函数，待优化忆阻器阵列；利用遗传算法对所述待计算的布尔函数进行处理，得到最优二元决策图；根据所述最优二元决策图，对所述忆阻器阵列进行优化，得到最优忆阻器阵列。该方法的计...
    2025-12-01
  • 存储器件及执行行访问计数操作的方法
    存储器件及执行行访问计数操作的方法_爱思开海力士有限公司_202411393606.6
    本公开涉及存储器件及执行行访问计数操作的方法。一种存储器件，包括：存储体，配置为存储在激活操作被执行时与每条字线被访问的次数相对应的行计数值；以及列控制电路，配置为在由预充电命令设置的列选择操作被执行的时段期间执行计数读取操作和计数写入操作...
    2025-12-01
  • 一个压控型忆阻器电路
    一个压控型忆阻器电路_盐城工学院_202511114188.7
    本发明公开了一个压控型忆阻器电路，包括N沟道场效应管M0和M2，P沟道场效应管M1。输入vi与M0的“D”端相连，M0的“S”端接地，M0的“B”端接M1的“D”端，M0的“G”端接M2的“D”端。M1的“G”端接M2的“B”端，M1的“S...
    2025-12-01
  • MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路
    MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511054391.X
    本发明公开了一种MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路, 所述MUX触发电路，其用于触发SRAM写辅助启动，当SRAM写入失效发生时，SRAM两路字线电平降为低，MUX触发电路输出置高电平；MUX触发电路输出信号用于启动写辅助电路。...
    2025-12-01
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