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最新专利技术
  • 量子比特调整
    量子比特调整_牛津量子电路有限公司_202480033611.8
    一种调整包括约瑟夫森结(104)的量子比特(102)的频率的方法。方法包括引导电子束(110)加热约瑟夫森结。方法还包括在由电子束加热约瑟夫森结之后冷却约瑟夫森结。约瑟夫森结的加热和冷却用于更改约瑟夫森结的电阻，并且其中对约瑟夫森结的电阻的...
    2025-12-28
  • 磁器件
    磁器件_SP-AITH有限公司_202380098684.0
    提供能够进行稳定的动作的磁器件。实施方式的磁器件包括第一元件部、第一导电部件以及第一绝缘部件。第一元件部包括第一磁性层、第二磁性层以及第一非磁性层。第一导电部件包括第一~第三导电部分。第三导电部分设置在第一导电部分和第二导电部分之间。第一磁...
    2025-12-28
  • 压力传感器及其制备方法和空调装置
    压力传感器及其制备方法和空调装置_京东方科技集团股份有限公司_202480002844.1
    一种压力传感器(1000)及其制备方法和空调装置。压力传感器(1000)包括：硅衬底(100)，硅衬底(100)包括相对的第一面(101)和第二面(102)，第二面(102)设置有空腔(150)；多条掺杂引线(120)，多条掺杂引线(120...
    2025-12-28
  • 化合物、有机发光二极管及显示装置
    化合物、有机发光二极管及显示装置_诺瓦尔德股份有限公司_202480033830.6
    本发明涉及一种化合物、包含该化合物的有机发光二极管和显示装置。
    2025-12-28
  • 显示基板和显示装置
    显示基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000437.7
    提供一种显示基板，包括：衬底基板；第一导电层，包括多条第一电源信号线，多条第一电源信号线沿第一方向排布且沿第二方向延伸设置，第一方向与第二方向相交；第一电极层，包括多个第一电极部；以及像素界定层，位于第一电极层远离衬底基板的一侧，具有多个开...
    2025-12-28
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000155.7
    本公开提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，显示面板包括：阵列基板、像素限定层和多个发光单元；像素限定层位于阵列基板的一侧；像素限定层包括多个开口；发光单元一一对应地位于开口中；发光单元包括第一电极；第一电极位于像素限定层与阵列基板之间...
    2025-12-28
  • 太阳能电池及其形成方法
    太阳能电池及其形成方法_周星工程股份有限公司_202480035403.1
    本发明涉及一种太阳能电池及其形成方法，更具体地，涉及一种具有由沉积工艺形成的电荷传输层的太阳能电池及其形成方法。根据本发明的实施例的太阳能电池包括基板、设置在基板上的第一电荷传输层、设置在第一电荷传输层上的光吸收层、设置在光吸收层上的第二电...
    2025-12-28
  • 发光半导体芯片
    发光半导体芯片_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480005136.3
    指定了一种发光半导体芯片，包括：‑具有辐射出射表面(11)的半导体本体(1)，‑在辐射出射表面(11)上的钝化部(2)，‑在钝化部(2)上的接触结构(3)，‑在钝化部(2)中的至少一个开口(4)，其中，接触结构(3)通过至少一个开口(4)在...
    2025-12-28
  • 微型LED的等离子体蚀刻侧表面的氯基各向同性表面处理
    微型LED的等离子体蚀刻侧表面的氯基各向同性表面处理_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480034251.3
    本发明涉及一种用于制造光电装置的方法，该方法包括以下步骤：提供至少第一导电类型的第一层、第二导电类型的第二层以及在第一层与第二层之间的有源区的半导体层堆叠；等离子体蚀刻半导体层堆叠，使得半导体层堆叠的至少第一部分被保留并且半导体层堆叠的与第...
    2025-12-28
  • 光子晶体氮化镓发光元件的制造方法以及照明装置
    光子晶体氮化镓发光元件的制造方法以及照明装置_氮化物半导体株式会社_202480032112.7
    提供了一种针对构成发光元件的GaN层有效地形成光子晶体来获得光子晶体GaN发光元件的方法。本方法包括以下步骤：在蓝宝石基板(10)上依次使n型GaN层(12)、MQW层(14)、p型GaN层(16)外延生长来形成外延结构；在p型GaN层(1...
    2025-12-28
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼集团公司_202480033352.9
    [问题]提供一种有利于有效利用入射光的技术。[解决方案]一种光检测装置，包括：波面控制元件，其控制入射光的波面；光电转换元件，其将接收到的入射光转换为电气信号；和波导部，其在层叠方向上设置在所述波面控制元件和所述光电转换元件之间，具有折射率...
    2025-12-28
  • 太阳能电池组件
    太阳能电池组件_凸版控股株式会社_202480033880.4
    图样印刷层具有：第一色图案层(10)，设置在透光性基材的一个面上，由多个第一色网点(11)构成；以及第二色图案层(20)，设置在第一色图案层(10)上，由多个第二色网点(21)构成。在印刷物中，多个第一色网点(11)各自包含第一色用粘合剂(...
    2025-12-28
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202480031094.0
    在RC‑IGBT中降低恢复损耗并且抑制浪涌电压。一种半导体装置，具有：n型的场截止区，跨IGBT区和二极管区而分布；p型的集电区，在所述IGBT区内配置于所述场截止区的下侧；多个n型的阴极区，在所述二极管区内配置于所述场截止区的下侧；多个p...
    2025-12-28
  • 自对准背侧接触
    自对准背侧接触_国际商业机器公司_202480035509.1
    一种半导体结构，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括第一占位体和第一栅极间距，第二晶体管包括第二占位体和第二栅极间距，其中第一栅极间距小于第二栅极间距，并且其中第一占位体小于第二占位体。
    2025-12-28
  • 显示基板
    显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202580000872.4
    本公开提供了一种显示基板，包括衬底和位于衬底一侧的晶体管，晶体管包括栅极、有源层、以及第一绝缘层，其位于有源层背离衬底的一侧，并覆盖有源层；其中，第一绝缘层包括靠近有源层的第一绝缘子层和远离有源层的第二绝缘子层，第二绝缘子层的氧含量高于第一...
    2025-12-28
  • 用于半导体器件的非导电边缘终端结构及其制造方法
    用于半导体器件的非导电边缘终端结构及其制造方法_艾迪尔半导体器材公司_202480033658.4
    提供了一种在半导体器件中形成边缘终端结构的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成外延层，外延层横向地延伸跨过器件中的有源区域和边缘终端区域；在有源区域中形成有源沟槽并且在边缘终端区域中形成至少一个外沟槽，外沟槽和有源沟槽中的每个竖直地延伸穿过...
    2025-12-28
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480034667.5
    提供一种高速工作的半导体装置。提供一种包括第一晶体管及第一晶体管上的第二晶体管的半导体装置。第一晶体管包括第一至第三导电层。第二晶体管包括第三至第五导电层。第一导电层与第二导电层间及第三导电层与第四导电层间分别设置有绝缘层。各绝缘层包括到达...
    2025-12-28
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480034194.9
    提供一种包括微型晶体管的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一至第三导电层及第一至第三绝缘层，第一绝缘层设置于第一导电层上，且包括到达第一导电层的第一开口，第二导电层设置于第一绝缘层上，且包括与第一开口重叠的第二开口，第二绝缘层与第一开...
    2025-12-28
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480032262.8
    在纵沟道翅片构造的沟槽MOSFET中，实现沟道区域(5)的宽度和JFET区域(8)的宽度的设计的自由度高的半导体装置(1)。半导体装置(1)是纵沟道翅片构造的沟槽MOSFET，多个沟槽(2)的底面的宽度方向的端部配置在主体区域(9)之中，沟...
    2025-12-28
  • 光学互连式高带宽存储器架构
    光学互连式高带宽存储器架构_艾维森纳科技有限公司_202480030437.1
    系统单芯片(SoC)能够与存储器光学地互连。所述SoC以及第一电子与光子IC芯片能够容纳于同一半导体封装中。所述第一电子与光子IC芯片能够和第二电子与光子IC芯片进行光学通信，所述第二电子与光子IC芯片和存储器进行电通信。所述第一及第二电子...
    2025-12-28
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