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  • 本申请涉及一种多层超滑碳膜及其制备方法和应用。所述多层超滑碳膜包括依次形成在基体表面的过渡层、工作层以及最外层;其中,所述过渡层为金属和非金属掺杂的碳膜;所述工作层为软质层和硬质层交替的多层含氢非晶碳膜;所述最外层为含氢非晶碳膜。本申请采用...
  • 本申请提供了一种切削刀具涂层及其制备方法与应用,包括耐磨涂层;所述耐磨涂层包括Ti1‑x1‑xAlxxCyyBzzN1‑y‑z1‑y‑z层;其中,0.60≤x≤0.95, 0≤y≤0.10, 0<z≤0.10, 0<y+z≤0.15;所述T...
  • 本申请提供了一种切削刀具耐磨涂层及其制备方法与应用,包括耐磨涂层;所述耐磨涂层包括Ti1‑x1‑xAlxxCyyBzzN1‑y‑z1‑y‑z层;其中,0.60≤x≤0.95, 0≤y≤0.15, 0<z≤0.10;所述Ti1‑x1‑xAlx...
  • 本发明属于二维材料领域,具体涉及过渡金属硫化物二硫化钼(MoS22)的磁性调控技术,以过渡金属锰(Mn)为例,系统研究Mn掺杂对MoS22薄膜磁性能的影响,可调控增强MoS22薄膜磁性能。首次通过实验建立Mn掺杂浓度xx与Mo1‑x1‑x1...
  • 本发明公开一种用于聚变装置第一壁表面硼化处理系统。其包括特种气体安全柜、气体传输管道、气体分流箱、安全联锁系统、真空抽气机组和尾气处理器;特种气体安全柜通过气体传输管道与气体分流箱相连;气体分流箱与EAST聚变装置真空腔室通过气体传输管道相...
  • 本发明公开了一种化学气相沉积制备球形或类球形聚晶金刚石的方法及其产品,属于人造金刚石技术领域,方法包括:(1)提供片材,片材表面带有纳米粒子作为形核点;(2)以表面带有纳米粒子形核点的片材作为基材,利用化学气相沉积方法,先使基材温度升至70...
  • 本发明公开了一种梯度热导金刚石热沉及其制备方法和应用,属于高功率器件散热技术领域。所述热沉包括一体成型的金刚石本体,具有中心区域和环绕中心的边缘区域,中心区域的平均热导率大于边缘区域,且两者热导率之比大于1.2。其制备方法采用微波等离子体化...
  • 本发明公开了一种PECVD设备,包括壳体、气源、上极板、下极板和掩膜板,所述壳体内部形成有反应腔,所述气源连接至壳体并向所述反应腔输送工艺气体,所述上极板设置于所述反应腔内,用于连接射频源,所述下极板设置于所述反应腔内,用于接地并支撑待反应...
  • 本发明公开了一种不锈钢管内壁镀膜装置及镀膜方法,涉及管体镀膜技术领域。该装置包括支架、真空筒、抽气机构、加热机构、上密封板、可升降的下密封板、上固定卡盘、真空法兰电极、多个可接电进气管及安装机构。所述安装机构包含可依据不锈钢管外径选配的上安...
  • 本发明公开了一种引入偏压、防真空电离的全方位镀膜工装,属于真空镀膜技术领域。该工装主要由轨道、行走机构、行星工件盘组件、偏压接线与引入机构等构成,其核心在于能够在大气状态下将偏压电源输出的偏压,安全施加到与接地真空腔室完全隔离的待镀样品上。...
  • 本发明公开了一种密封结构及真空镀膜设备,密封结构包括密封仓和密封门。密封仓具有第一开口,密封仓限定出容纳空间,容纳空间适于容纳目标介质。密封门连接密封仓,且密封门密封第一开口。密封门包括第一门板、第二门板和连接件,沿第一开口的轴线方向,第一...
  • 本发明提供一种基于恒功率温度调控的蒸镀方法和装置,通过采用恒功率加热与冷却水调节相结合的智能补偿策略,有效克服了蒸镀过程中因材料汽化吸热和蒸发源辐射热引起的热扰动,实现了基片温度的高精度控制,显著优于传统PID控制方法。该方法有效避免了温度...
  • 本发明公开了一种靶材与磁铁间距监控系统和方法及物理气相沉积设备,包括:测量模块,设于第一基准面上,用于测量绕转轴旋转的磁铁与所述第一基准面之间的第一间距;所述磁铁远离所述测量模块的一侧的第二基准面上设有靶材,所述第二基准面与所述第一基准面平...
  • 本发明涉及一种用于真空镀膜的夹具,包括夹具本体,夹具本体上沿其周向间隔设置有用于对基片进行夹装的各夹装部,夹装部活动安装在夹具本体上,夹具本体上还设置有调节机构,调节机构用于调节各夹装部绕竖直方向进行自转。上述方案中,通过设置调节机构调整各...
  • 本发明公开了真空镀膜机旋转载物支架,包括:旋转支架,旋转支架上呈圆形阵列安装有若干基材夹具支撑环位于主旋转支架下方用于支撑主旋转支架;基材夹具,用于夹装基材;翻转机构,翻转机构用于带动基材夹具翻转;本发明的镀膜机腔室内部为纯机械式的自动翻转...
  • 本发明公开了一种适用于超高真空环境的自动夹持翻转装置,包括:夹持组件、角度调节组件、翻转驱动机构和夹持驱动机构;所述角度调节组件与超高真空腔室密封连接,所述翻转驱动机构分别与角度调节组件和夹持驱动机构连接,且翻转驱动机构与夹持驱动机构采用同...
  • 本公开涉及真空设备技术领域,特别涉及一种真空样品架、真空样品架驱动系统以及真空处理系统。真空样品架包括载样架和旋转传动组件。载样架用于承载样品。旋转传动组件包括锥齿轮组、旋转传动轴以及直齿轮组。锥齿轮组,用于接收旋转驱动并改变旋转方向。旋转...
  • 本发明公开了一种用于真空解理镀膜设备的片托,包括底座,所述底座上设有第一凸台、第二凸台、导向组件、夹紧件和巴条固定槽,所述第一凸台和第二凸台沿横向间隔布置在底座上,芯片搭接在所述第一凸台和所述第二凸台上,所述导向组件用于对芯片进行限位,所述...
  • 本发明属于真空镀膜技术领域,具体的说是一种圣诞球真空镀膜设备,包括底座,所述底座上安装有外壳,所述外壳内部安装有固定架;所述外壳内安装有放置板,所述放置板上安装有连接杆,所述连接杆上安装有安装板与顶板,所述安装板与顶板之间安装有立柱,所述立...
  • 本发明涉及种子层溅镀技术领域,尤其是涉及一种多靶配置的高深孔能力TGV种子层溅镀装置和方法,一种多靶配置的高深孔能力TGV种子层溅镀装置包括:用于承载基板的旋转式基座;多靶溅镀组件,所述多靶溅镀组件包括:设置于所述旋转式基座上方的中心靶,环...
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