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最新专利技术
  • 一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法
    一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法_北京晶格领域半导体有限公司_202512034598.7
    本发明涉及晶体生长技术领域，特别是涉及一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法。本发明提供了一种导流生长碳化硅单晶的装置，包括坩埚、第一旋转升降轴和涡轮液泵套件；所述涡轮液泵套件包括导流挡板，所述导流挡板上部连接所述第一旋转升降轴，下部安装带有籽...
    2026-04-15
  • 一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置
    一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置_北京晶格领域半导体有限公司_202512034551.0
    本发明涉及碳化硅制备技术领域，特别涉及一种液相法生长碳化硅单晶的方法。本发明实施例提供一种液相法生长碳化硅单晶的方法，包括：将斜面籽晶托通过与籽晶旋转升降轴连接的支撑架设置在坩埚内部靠近内壁的部位；其中，所述坩埚内装盛有高温熔体；将偏角籽晶...
    2026-04-15
  • 晶体生长装置
    晶体生长装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202511945790.5
    一种晶体生长装置，包括：坩埚，所述坩埚上设置有可拆卸的坩埚盖，所述坩埚盖上具有籽晶；过滤结构，所述过滤结构位于所述坩埚内，且所述过滤结构可拆卸安装于所述坩埚的内壁表面；导流结构，所述导流结构可拆卸安装于所述过滤结构靠近所述坩埚盖一侧的表面，...
    2026-04-15
  • 一种钙镁锆掺杂钆镓石榴石的生长方法
    一种钙镁锆掺杂钆镓石榴石的生长方法_安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司_202511843006.X
    本发明公开了一种钙镁锆掺杂钆镓石榴石的生长方法，涉及晶体材料制备领域，包括如下步骤：(1)原料制备与预处理：选取纯度≥99.99%的Gd22O33、Ga22O33、CaCO33、MgO、ZrO22粉末，按化学计量比分为核心层、过渡层、表层三...
    2026-04-15
  • 单斜晶型(310)晶面氧化镓单晶薄膜及其制备方法
    单斜晶型(310)晶面氧化镓单晶薄膜及其制备方法_山东大学_202511615978.3
    本发明涉及单斜晶型(310)晶面氧化镓单晶薄膜及其制备方法，Ga22O33单晶薄膜是单斜结构的外延单晶薄膜，生长晶面是Ga22O33的(310)。所选衬底为热导率高、成本低的三方结构蓝宝石、六方氮化镓和六方碳化硅等衬底。薄膜与衬底间的面外和...
    2026-04-15
  • 导模法生长氧化镓单晶的模具结构与方法
    导模法生长氧化镓单晶的模具结构与方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511431089.1
    本发明公开一种导模法生长氧化镓单晶的模具结构与方法，旨在解决因坩埚形变导致的模具位置变化及热场波动问题。模具结构包括对称设置的两块隔板，其间形成宽度为0.1～0.5mm的狭缝，用于氧化镓熔体毛细上升；隔板顶部设有台阶结构用于引晶与支撑，底部...
    2026-04-15
  • 一种锗外延方法、锗探测器的制备方法及锗探测器
    一种锗外延方法、锗探测器的制备方法及锗探测器_上海新微技术研发中心有限公司_202511554300.9
    本发明公开了一种锗外延方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一个衬底，所述衬底中形成有沟槽结构；S2、在第一目标温度下进行锗外延工艺，在所述沟槽结构中形成第一厚度的锗外延层；S3、在第二目标温度下进行锗外延工艺，在所述沟槽结构中形成第二...
    2026-04-15
  • 单晶炉、单晶硅棒的制备方法及硅片
    单晶炉、单晶硅棒的制备方法及硅片_青海晶科能源有限公司_202511952926.5
    本申请涉及一种单晶炉、单晶硅棒的制备方法及硅片，该单晶炉包括水冷屏和多个冷媒介质管道，水冷屏包括内筒体和外筒体，外筒体设于内筒体的外周；多个冷媒介质管道设于内筒体和外筒体之间，冷媒介质管道环绕内筒体的周壁设置，且呈螺旋状延伸，其中，多个冷媒...
    2026-04-15
  • 一种具有温度补偿功能的晶体生长炉
    一种具有温度补偿功能的晶体生长炉_常州瞻驰光电科技股份有限公司_202511889307.6
    本申请涉及一种具有温度补偿功能的晶体生长炉，涉及晶体生长炉领域。其包括支撑件、直拉单晶炉、分区温度补偿件和底部温度补偿件，支撑件包括支承架，支承架的内部竖直设置有直拉单晶炉，且直拉单晶炉用于晶体成长，支承架的内部位于直拉单晶炉的下侧设置有底...
    2026-04-15
  • 一种单晶硅生长热场石墨制品的加工制造工艺及系统
    一种单晶硅生长热场石墨制品的加工制造工艺及系统_辽阳兴旺石墨制品有限公司_202511597948.4
    本发明涉及单晶硅热场材料制备技术领域，公开了一种单晶硅生长热场石墨制品的加工制造工艺及系统。该工艺包括S1，预制坯制备、S2，焙烧处理、S3，指标检测分级、S4，装炉分区、S5，石墨化处理、S6，机加工成型步骤，通过精准控制预制坯制备参数、...
    2026-04-15
  • 颗粒硅的处理方法、组件和装置
    颗粒硅的处理方法、组件和装置_宁夏中环光伏材料有限公司_202511587087.1
    本发明提供一种颗粒硅的处理方法、组件和装置。根据本发明颗粒硅的处理方法，将颗粒硅至少分两个集合单元放置进行加热处理，集合单元之间设置间隙。本发明的处理方法与现有技术相比，将颗粒硅分集合单元放置，集合单元之间设置间隙，使得颗粒硅受热更加均匀，...
    2026-04-15
  • 碳晶材料和正极铅膏及其制备方法、正极极板与铅酸蓄电池
    碳晶材料和正极铅膏及其制备方法、正极极板与铅酸蓄电池_九号智能(常州)科技有限公司_202511478847.5
    本发明提供了碳晶材料和正极铅膏及其制备方法、正极极板与铅酸蓄电池，属于铅酸蓄电池技术领域。所述碳晶材料通过“碳源‑催化剂复合前驱体制备、纳米模板真空浸渍、惰性气氛两步碳化、酸法去模板”的工艺制备得到。所述碳晶材料兼具外部“纳米纤维的形态”与...
    2026-04-15
  • 一种分段式化学气相沉积法制备高致密TaC涂层的方法
    一种分段式化学气相沉积法制备高致密TaC涂层的方法_湖南顶立科技股份有限公司_202511535392.6
    本发明公开了一种分段式化学气相沉积法制备高致密TaC涂层的方法，所述方法包括以下步骤：S100、选用基体材料并进行预处理，去除基体材料表面杂质；S200、在第一预设温度和第一预设压力下，通过化学气相沉积法在基体材料上沉积第一预设厚度且呈柱状...
    2026-04-15
  • 一种用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法
    一种用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法_淮阴师范学院_202511257787.4
    本发明涉及一种用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法，属于硅基纳米材料制备领域。该方法包括如下步骤：取向单晶硅衬底进行超声清洗；在其背面通过脉冲电化学刻蚀制备孔隙率梯度分布的多孔硅牺牲层；经氢等离子体钝化处理后，在其表面低温沉积单晶硅纳米...
    2026-04-15
  • 源炉硅氧类杂质监测方法、装置、电子设备及存储介质
    源炉硅氧类杂质监测方法、装置、电子设备及存储介质_季华实验室_202512032275.4
    本申请属于杂质监测的技术领域，公开了一种源炉硅氧类杂质监测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：实时获取源炉加热过程中的主源材料的实时主源质谱信号和硅氧类杂质的实时杂质原始质谱信号，根据实时主源质谱信号和实时杂质原始质谱信号，结合源炉...
    2026-04-15
  • 一种外延生长工艺控制方法及系统
    一种外延生长工艺控制方法及系统_季华实验室_202512003097.2
    本申请涉及半导体制造技术领域，本申请提供一种外延生长工艺控制方法及系统，其包括获取生长工艺运行参数；对生长工艺运行参数进行分析，得到工艺阶段分析结果；当工艺阶段分析结果为外延生长阶段时，则获取晶圆表面的实时性能参数；根据实时性能参数和预设的...
    2026-04-15
  • 半导体外延生长的控制方法、系统、控制装置及相关产品
    半导体外延生长的控制方法、系统、控制装置及相关产品_上海车仪田科技有限公司_202511999718.0
    本申请提供了一种半导体外延生长的控制方法、系统、控制装置及相关产品，涉及半导体检测技术领域，本申请实时获取反射光谱数据并解析得到光学特征集，再将光学特征集输入光学传输模型中进行迭代优化，得到预测生长速率；将预测生长速率与目标生长速率进行比较...
    2026-04-15
  • 一种氮化硼坩埚和杂质释放实时监测方法
    一种氮化硼坩埚和杂质释放实时监测方法_季华实验室_202512014440.3
    本发明提供了一种氮化硼坩埚和杂质释放实时监测方法，涉及氮化硼坩埚技术领域。本发明的氮化硼坩埚包括坩埚基体，坩埚基体的内表面覆盖有阻隔层，且坩埚基体内部通过掺杂杂质捕获材料形成杂质陷阱区域，杂质陷阱区域用于捕获从坩埚基体扩散出来的杂质。本发明...
    2026-04-15
  • 一种有机-无机杂化钙钛矿薄膜及其外延生长方法和微纳激光器
    一种有机-无机杂化钙钛矿薄膜及其外延生长方法和微纳激光器_中国科学技术大学苏州高等研究院_202511548338.5
    本发明涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿薄膜及其外延生长方法和微纳激光器，所述外延生长方法包括以下步骤：在化学气相沉积系统中，将有机源材料置于加热上游区，无机源材料置于加热中心区，基底置于加热下游区，对加热中心区进行加热，在基底表面外延生长有机‑...
    2026-04-15
  • 一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置
    一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置_科芯半导体科技(凉山州)有限公司_202511667285.9
    本发明涉及一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置，包括处理单元、石墨坩埚以及设置于石墨坩埚竖向底面的姿态调节机构。石墨坩埚连接有氩气腔以实现内部封闭环境的压力平衡；处理单元基于石墨坩埚测温孔检测数据与内部温度场、自然对流场模拟结果，通过姿态...
    2026-04-15
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