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最新专利技术
  • 具有差异化P型和N型布局且采用点状扩散的太阳能电池发射区的制造
    具有差异化P型和N型布局且采用点状扩散的太阳能电池发射区的制造_迈可晟太阳能有限公司_202480047425.X
    本文描述了具有差异化P型和N型布局且采用点状扩散的太阳能电池发射区的制造方法以及由此制造出的太阳能电池。在示例中，太阳能电池包含具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射区在该基板的该背表面上的第一薄电介质层上。不同的第二导...
    2026-02-27
  • 薄膜太阳能电池以及相应的制造方法
    薄膜太阳能电池以及相应的制造方法_卢森堡大学_202480045878.9
    本发明涉及薄膜CIGS太阳能电池。用于生产这种太阳能电池的方法包括以下顺序步骤：提供基板(12)；在所述基板上形成背电极层(14)；在所述背电极层上形成空穴传输结构(20)，所述空穴传输结构包括在所述背电极层上的包括P型导电材料的空穴传输层...
    2026-02-27
  • 图像传感器、摄像头模组、电子设备及显示系统
    图像传感器、摄像头模组、电子设备及显示系统_华为技术有限公司_202380099891.8
    本申请实施例提供一种图像传感器、摄像头模组、电子设备及显示系统，图像传感器包括层叠设置的超表面层和光电转换层，光电转换层用于将透过超表面层的光转换成电信号。超表面层具有第一微纳结构层，第一微纳结构层包括多个微结构阵列，每个微结构阵列包括阵列...
    2026-02-27
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480047028.2
    提供一种高速驱动的半导体装置。该半导体装置中设置有包括第一至第四金属氧化物层的晶体管。第二金属氧化物层设置在第一金属氧化物层上。第三及第四金属氧化物层具有与第一及第二金属氧化物层的侧面接触的区域。第三金属氧化物层与第四金属氧化物层隔着第一及...
    2026-02-27
  • 用于低应力叠瓦式太阳能电池安装且提升美观性的受保护互连件
    用于低应力叠瓦式太阳能电池安装且提升美观性的受保护互连件_迈可晟太阳能有限公司_202480042707.0
    本发明公开了一种叠瓦式太阳能电池串。所述叠瓦式太阳能电池串具有由固化液态聚合物粘合剂制成的柔性接头，用于连接太阳能电池。导电互连件穿过所述柔性接头。所述叠瓦式太阳能电池串还具有由固化液态聚合物粘合剂制成的互连加强件，用于提高互连件对所述太阳...
    2026-02-27
  • 阵列基板、显示面板和显示装置
    阵列基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001111.6
    一种阵列基板、显示面板和显示装置。阵列基板，包括：衬底(1)；多个第一有源图案(20)；第一绝缘层(3)，具有多个第一过孔(K1)；第一金属层(M1)，位于第一绝缘层(3)背离第一有源层(2)的一侧，包括：多条第一金属线(M10)；第一金属...
    2026-02-27
  • 功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法
    功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法_厦门市三安集成电路有限公司_202480001676.4
    本发明提供了一种功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域，该功率半导体器件包括衬底、半导体外延复合层、p型半导体层、源极、漏极和栅电极层，p型半导体层、源极和漏极设置在半导体外延复合层上；钝化层设置在半导体外延复合层...
    2026-02-27
  • 不含掺杂物的半导体器件、制造方法以及电路元件
    不含掺杂物的半导体器件、制造方法以及电路元件_三五科技有限责任公司_202480046531.6
    公开了一种不含掺杂物的(也被称为无掺杂的)半导体器件(10)，包括：本征半导体层(12)；与半导体层(12)接触的第一触点(13)，第一触点(13)包括第一金属层，该第一金属层被配置为与半导体层(12)形成欧姆接触并且提供第一触点(13)以...
    2026-02-27
  • 场效应晶体管
    场效应晶体管_株式会社电装_202480041184.8
    一种场效应晶体管，在具有深层的场效应晶体管中抑制恢复电流。在场效应晶体管中，在从上方观察半导体基板时，在各沟槽间区域中，多个接触层在与多个沟槽平行的特定方向上隔开间隔部而配置，在从上方观察半导体基板时，在各沟槽间区域中，多个深层在所述特定方...
    2026-02-27
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480048412.4
    实施方式的半导体装置具备半导体层、第一电极、第二电极以及栅极电极。所述半导体层包含第一区域、第二区域、在从所述第一区域朝向所述第二区域的第一方向上位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域、以及位于所述第二区域与所述第三区域之间的第四区域...
    2026-02-27
  • 半导体装置、半导体模块和电子设备
    半导体装置、半导体模块和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480048300.9
    一种半导体装置包括场效应晶体管，所述场效应晶体管具有：半导体；设置在所述半导体上的包含过渡金属元素的接合体；以及栅电极，隔着所述接合体设置在所述半导体上。
    2026-02-27
  • 计算机、信息处理装置、服务器及存储装置
    计算机、信息处理装置、服务器及存储装置_株式会社半导体能源研究所_202480048173.2
    提供一种功耗得到降低的信息处理装置等。信息处理装置包括第一至第三层。第一层包括处理器，第二层包括第一存储单元，第三层包括第二存储单元。第一存储单元使用第一晶体管及第二晶体管构成，第二晶体管的栅极与第一晶体管的源极和漏极中的一个连接。第二存储...
    2026-02-27
  • 存储电路、处理装置及电子设备
    存储电路、处理装置及电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480047464.X
    提供一种缩小电路面积的存储电路。存储电路包括第一层至第三层，第一层包括第一晶体管及第二晶体管，第二层包括第三晶体管及第四晶体管，第三层包括第五晶体管及第六晶体管。另外，第一晶体管、第三晶体管与第五晶体管彼此重叠，第二晶体管、第四晶体管与第六...
    2026-02-27
  • 电子装置
    电子装置_LG伊诺特有限公司_202480048271.6
    电子装置包括：壳体，该壳体内部形成有空间，且在该壳体的一个表面上形成有散热通道；电子部件，该电子部件设置在空间内；散热构件，该散热构件设置在散热通道内，且制冷剂在该散热构件内部流动；以及盖子，该盖子与壳体的一个表面联接，并覆盖散热通道；其中...
    2026-02-27
  • 电子控制装置
    电子控制装置_安斯泰莫株式会社_202380100477.4
    本发明涉及一种具有电路基板、设置在电路基板上的高型发热部件以及容纳电路基板的壳体的电子控制装置，高型发热部件配置于电路基板的端边部，壳体具有沿着高型发热部件所在的电路基板的端边部设置于两端的电路基板的固定部、或者与电路基板抵接的承载部，承载...
    2026-02-27
  • 带剥离膜的电路图案集合体的制造方法、电路基板的制造方法及带剥离膜的电路图案集合体
    带剥离膜的电路图案集合体的制造方法、电路基板的制造方法及带剥离膜的电路图案集合体_日本发条株式会社_202480048561.0
    本发明提供一种可防止由从表面的蚀刻引起的不良状况的带剥离膜的电路图案集合体的制造方法。在带剥离膜的电路图案集合体的制造方法中，电路图案集合体(2)包括在位于多个电路图案(3)之间的间隙(G)中配设的虚设图案(4)、以及位于虚设图案(4)与电...
    2026-02-27
  • 制造具有嵌入式冷却腔的印刷电路板的方法和系统及印刷电路板
    制造具有嵌入式冷却腔的印刷电路板的方法和系统及印刷电路板_三菱电机株式会社_202480046710.X
    本公开涉及一种用于制造具有嵌入式冷却腔的印刷电路板的方法。所述方法包括：加工可溶性材料的一部分以形成图案；镀覆所述图案；用电绝缘材料填充所述镀覆图案；以及用溶剂去除剩余的可溶性材料以形成冷却腔。
    2026-02-27
  • 用于自动布置一组照明场景的方法
    用于自动布置一组照明场景的方法_昕诺飞控股有限公司_202480047947.X
    一种用于自动布置环境(10)的一组照明场景(3, 5, 6)的方法，该环境(10)包括具有一个或多个可控照明设备(11‑16)的照明系统(200)，该方法包括使用数据处理设备(1)获得一组照明场景(3, 5, 6)，使用数据处理设备(1)为...
    2026-02-27
  • 电磁波加热装置
    电磁波加热装置_三菱电机株式会社_202380100599.3
    电磁波加热装置(100)具备：壳体(1)，其具有导电性；电磁波产生部(10)，其产生作为直线偏振波的电磁波；多个辐射部(3)，它们将电磁波产生部产生的电磁波向壳体的内部辐射；指向性控制部(2)，其控制来自多个辐射部的电磁波的指向性；以及电磁...
    2026-02-27
  • 用于PTC半导体陶瓷的金属化层、用于施加金属化层的方法以及具有金属化层的PTC半导体陶瓷和在加热设备中的用途
    用于PTC半导体陶瓷的金属化层、用于施加金属化层的方法以及具有金属化层的PTC半导体陶瓷和在加热设备中的用途_马勒国际有限公司_202480047780.7
    本发明涉及一种用于PTC半导体陶瓷的金属化层，所述金属化层用于至少部分地涂覆所述PTC半导体陶瓷的表面，所述金属化层包含至少一个功能层，其中，所述至少一个功能层用于电流分布，其中，所述至少一个功能层的孔隙率小于5%，以及涉及一种用于将金属化...
    2026-02-27
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