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最新专利技术
  • 具备供电端子零件的构件
    具备供电端子零件的构件_东华隆股份有限公司_202480047084.6
    一种构件，具备：金属制的基材；供电端子零件，组入到所述基材；以及接合部，将所述基材与所述供电端子零件接合，所述供电端子零件包括：导电性的供电构件；绝缘子，通过钎焊或玻璃接合而固定在所述供电构件的外侧且包含绝缘性材料；以及金属制的套筒，通过钎...
    2026-02-25
  • 静电卡盘装置及其制造方法以及静电卡盘装置的再生方法
    静电卡盘装置及其制造方法以及静电卡盘装置的再生方法_创意科技股份有限公司_202480047029.7
    提供一种静电卡盘装置，该静电卡盘装置在考虑了使用后的再生处理时，能够尽可能地抑制产生劳力、成本，同时使泄漏电流值、体积电阻率、表面粗糙度等初始性能重复显现。一种静电卡盘装置，具备具有制冷剂流路的基底基材以及在绝缘层与电介质层之间具有内部电极...
    2026-02-25
  • 基板处理方法以及基板处理装置
    基板处理方法以及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480041652.1
    基板处理方法包含：浸渍工序，使基板浸渍于被收容在腔室内的处理槽内的第一处理液；露出工序，使所述基板从所述第一处理液露出至所述腔室内的氛围；压坏工序，将所述腔室内减压，将覆盖露出至所述氛围的所述基板的表面的所述第一处理液的液膜所含有的细微气泡...
    2026-02-25
  • 切割方法、切割品的制造方法以及切割装置
    切割方法、切割品的制造方法以及切割装置_东和株式会社_202480047866.X
    一种切割方法，其是切割对象物(60)的切割方法，该对象物(60)具有固定有元件的基板(63)和粘接于基板(63)来保护元件的保护膜(67)，其中，切割方法包括：低温化工序，通过从流体释放部(34)浇淋流体来使保护膜(67)成为低温；膜切割工...
    2026-02-25
  • 蚀刻方法及等离子体处理装置
    蚀刻方法及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480047888.6
    本发明提供一种蚀刻方法，其包括如下工序：(a)在腔室内将基板提供至基板支承部上；(b)将基板暴露于包含氟化氢气体的第1处理气体中；及(c)在(b)之后，向基板支承部供给电偏置，并将基板暴露于由第2处理气体生成的等离子体中，第2处理气体包含选...
    2026-02-25
  • 处理部、基板处理装置以及半导体装置的制造方法
    处理部、基板处理装置以及半导体装置的制造方法_株式会社国际电气_202480047511.0
    本发明提供一种技术，具有：供给部，其供给气体；以及多个排气口，其排出所述气体，所述多个排气口包括：第一排气口，其设置于与所述供给部对置的方向；第二排气口，其构成为，设置于与从所述供给部朝向所述第一排气口的直线交叉的直线上，该直线与从所述供给...
    2026-02-25
  • 薄膜修饰电极和使用其的有机元件
    薄膜修饰电极和使用其的有机元件_株式会社日本触媒_202480048234.5
    本发明提供一种大气稳定性和电子注入性特别优异的电极以及使用了这种电极的有机元件。本发明涉及一种薄膜修饰电极，该薄膜修饰电极在电极上相邻地具有包含金属和能够与该金属配位的有机化合物的层、或者包含金属的层和包含能够与该金属配位的有机化合物的层依...
    2026-02-25
  • 包含第一金属化合物和第二金属化合物的有机电致发光器件以及包含有机电致发光器件的显示装置
    包含第一金属化合物和第二金属化合物的有机电致发光器件以及包含有机电致发光器件的显示装置_诺瓦尔德股份有限公司_202480039378.4
    本发明涉及包含第一金属化合物和第二金属化合物的有机电致发光器件以及包含所述有机电致发光器件的显示装置。
    2026-02-25
  • 电荷传输性清漆及其制造方法
    电荷传输性清漆及其制造方法_日产化学株式会社_202480048076.3
    作为形成空穴注入性优异的电荷传输性薄膜、同时保存稳定性也优异的电荷传输性清漆，提供电荷传输性清漆，其为包含用由式(S1)表示的硅烷偶联剂表面处理过的SiO22纳米粒子、电荷传输性物质、和有机溶剂的电荷传输性清漆，其中，残存硅烷偶联剂被除去处...
    2026-02-25
  • 包括含有丙烯酸酯的聚合物层的太阳能电池
    包括含有丙烯酸酯的聚合物层的太阳能电池_凡泰姆股份公司_202380099978.5
    本发明涉及太阳能电池，所述太阳能电池具有被布置为与保护层相邻的聚合物层，所述聚合物层包含丙烯酸酯聚合物；本发明还涉及其制造方法和用于制造所述聚合物层的液态组合物。
    2026-02-25
  • 发光装置及用于制造发光装置的方法
    发光装置及用于制造发光装置的方法_索尼半导体解决方案公司_202480048276.9
    根据本公开的一个实施方式的发光装置设置有：二维布置的多个发光元件；以及多个波长转换层，逐个设置在多个发光元件的光发射侧上，以分别面向发光元件。每个发光元件具有多层体，该多层体朝向波长转换层侧依次包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导...
    2026-02-25
  • 具有差异化P型和N型布局且采用点状扩散的太阳能电池发射区的制造
    具有差异化P型和N型布局且采用点状扩散的太阳能电池发射区的制造_迈可晟太阳能有限公司_202480047425.X
    本文描述了具有差异化P型和N型布局且采用点状扩散的太阳能电池发射区的制造方法以及由此制造出的太阳能电池。在示例中，太阳能电池包含具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射区在该基板的该背表面上的第一薄电介质层上。不同的第二导...
    2026-02-25
  • 薄膜太阳能电池以及相应的制造方法
    薄膜太阳能电池以及相应的制造方法_卢森堡大学_202480045878.9
    本发明涉及薄膜CIGS太阳能电池。用于生产这种太阳能电池的方法包括以下顺序步骤：提供基板(12)；在所述基板上形成背电极层(14)；在所述背电极层上形成空穴传输结构(20)，所述空穴传输结构包括在所述背电极层上的包括P型导电材料的空穴传输层...
    2026-02-25
  • 图像传感器、摄像头模组、电子设备及显示系统
    图像传感器、摄像头模组、电子设备及显示系统_华为技术有限公司_202380099891.8
    本申请实施例提供一种图像传感器、摄像头模组、电子设备及显示系统，图像传感器包括层叠设置的超表面层和光电转换层，光电转换层用于将透过超表面层的光转换成电信号。超表面层具有第一微纳结构层，第一微纳结构层包括多个微结构阵列，每个微结构阵列包括阵列...
    2026-02-25
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480047028.2
    提供一种高速驱动的半导体装置。该半导体装置中设置有包括第一至第四金属氧化物层的晶体管。第二金属氧化物层设置在第一金属氧化物层上。第三及第四金属氧化物层具有与第一及第二金属氧化物层的侧面接触的区域。第三金属氧化物层与第四金属氧化物层隔着第一及...
    2026-02-25
  • 用于低应力叠瓦式太阳能电池安装且提升美观性的受保护互连件
    用于低应力叠瓦式太阳能电池安装且提升美观性的受保护互连件_迈可晟太阳能有限公司_202480042707.0
    本发明公开了一种叠瓦式太阳能电池串。所述叠瓦式太阳能电池串具有由固化液态聚合物粘合剂制成的柔性接头，用于连接太阳能电池。导电互连件穿过所述柔性接头。所述叠瓦式太阳能电池串还具有由固化液态聚合物粘合剂制成的互连加强件，用于提高互连件对所述太阳...
    2026-02-25
  • 阵列基板、显示面板和显示装置
    阵列基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001111.6
    一种阵列基板、显示面板和显示装置。阵列基板，包括：衬底(1)；多个第一有源图案(20)；第一绝缘层(3)，具有多个第一过孔(K1)；第一金属层(M1)，位于第一绝缘层(3)背离第一有源层(2)的一侧，包括：多条第一金属线(M10)；第一金属...
    2026-02-25
  • 功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法
    功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法_厦门市三安集成电路有限公司_202480001676.4
    本发明提供了一种功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域，该功率半导体器件包括衬底、半导体外延复合层、p型半导体层、源极、漏极和栅电极层，p型半导体层、源极和漏极设置在半导体外延复合层上；钝化层设置在半导体外延复合层...
    2026-02-25
  • 不含掺杂物的半导体器件、制造方法以及电路元件
    不含掺杂物的半导体器件、制造方法以及电路元件_三五科技有限责任公司_202480046531.6
    公开了一种不含掺杂物的(也被称为无掺杂的)半导体器件(10)，包括：本征半导体层(12)；与半导体层(12)接触的第一触点(13)，第一触点(13)包括第一金属层，该第一金属层被配置为与半导体层(12)形成欧姆接触并且提供第一触点(13)以...
    2026-02-25
  • 场效应晶体管
    场效应晶体管_株式会社电装_202480041184.8
    一种场效应晶体管，在具有深层的场效应晶体管中抑制恢复电流。在场效应晶体管中，在从上方观察半导体基板时，在各沟槽间区域中，多个接触层在与多个沟槽平行的特定方向上隔开间隔部而配置，在从上方观察半导体基板时，在各沟槽间区域中，多个深层在所述特定方...
    2026-02-25
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