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最新专利技术
  • 陶瓷基座
    陶瓷基座_日本碍子株式会社_202380014994.X
    本发明提供一种陶瓷基座，其具备：陶瓷板接合体，其由借助陶瓷接合界面而相互接合的第一陶瓷板及第二陶瓷板构成；内部电极，其植入于第一陶瓷板；端子孔，其设置为自第二陶瓷板的一个面沿厚度方向贯穿第二陶瓷板并横穿陶瓷接合界面，到达第一陶瓷板内的内部电...
    2026-03-10
  • 液滴射流喷嘴设计
    液滴射流喷嘴设计_应用材料公司_202480048959.4
    在一个实施例中，一种喷嘴组件包括主体，所述主体具有内部表面，所述内部表面形成所述主体内的内部空腔。所述组件还包括：气体入口，所述气体入口设置在所述主体内；流体入口，所述流体入口设置在所述主体内；以及混合腔室，所述混合腔室设置在所述主体的所述...
    2026-03-10
  • 用于IR激光剥离工艺的释放层
    用于IR激光剥离工艺的释放层_东京毅力科创株式会社_202380100785.7
    一种加工衬底的方法，该方法包括：在第一衬底上形成红外(IR)吸收分离层；在该IR吸收分离层上形成一个或多个层；使用直接键合技术在该一个或多个层与第二衬底之间的键合界面处键合该第一衬底和该第二衬底，以形成晶圆堆叠体；将该晶圆堆叠体暴露于红外(...
    2026-03-10
  • 等离子体处理方法
    等离子体处理方法_株式会社日立高新技术_202480008269.6
    本公开提供一种等离子体处理方法，在将被绝缘膜包围且存在接缝的导电材料回蚀至规定的深度的等离子体处理方法中，能够构建蚀刻深度的均匀性优异且与周边材料的选择比高的工艺。一种等离子体处理方法，对被绝缘膜包围且产生了接缝的导电材料进行回蚀，其中，包...
    2026-03-10
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202480004102.2
    本公开涉及半导体装置的制造方法，目的在于提供能够提高应用的场效应晶体管的可靠性的半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置的制造方法具备：在n型的GaN基板之上依次外延生长p型的GaN牺牲层、n型或未掺杂的GaN层、AlGaN层、以及缓冲层而...
    2026-03-10
  • 有机电致发光化合物、多种主体材料以及包含其的有机电致发光装置
    有机电致发光化合物、多种主体材料以及包含其的有机电致发光装置_杜邦特种材料韩国有限公司_202580003881.9
    本公开涉及有机电致发光化合物、多种主体材料、以及一种包含其的有机电致发光装置。通过包含根据本公开的化合物的特定组合作为多种主体材料，或者通过包含根据本公开的化合物，可以提供与常规有机电致发光装置相比具有改善的驱动电压、发光效率和/或寿命特征...
    2026-03-10
  • 有机光电子元件和显示装置
    有机光电子元件和显示装置_三星SDI株式会社_202480050553.X
    本发明涉及有机光电子元件和显示装置，该有机光电子元件包括：彼此面对的阳极和阴极；位于阳极和阴极之间的发光层；位于阳极和发光层之间的空穴传输层；以及位于发光层和空穴传输层之间的空穴传输辅助层，其中该空穴传输辅助层包括邻近于空穴传输层的第一空穴...
    2026-03-10
  • 发光基板、显示基板和显示装置
    发光基板、显示基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001231.6
    一种发光基板、显示基板和显示装置。该发光基板包括多个发光器件，多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件，第一发光器件和第二发光器件分别包括第一电极、第二电极、第一发光单元、第二发光单元和电荷产生层。第一发光单元和第二发光单元被配置为发相同...
    2026-03-10
  • 阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法
    阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法_京东方科技集团股份有限公司_202480001213.8
    阵列基板包括多个像素驱动电路。各个像素驱动电路包括驱动晶体管、第一开关晶体管和存储电容器。该阵列基板包括：衬底基板；驱动晶体管的有源层，其位于衬底基板上；存储电容器的第二电容器电极，其位于驱动晶体管的有源层远离衬底基板的一侧；连接电极以及第...
    2026-03-10
  • 阵列基板、显示装置以及制造阵列基板的方法
    阵列基板、显示装置以及制造阵列基板的方法_京东方科技集团股份有限公司_202480001162.9
    提供一种具有显示区域和周边区域的阵列基板。阵列基板包括：位于显示区域的多个像素驱动电路；位于周边区域的栅极信号驱动电路；位于周边区域的源集成电路；以及位于周边区域的扫描电路。多个像素驱动电路中的各个像素驱动电路包括：耦接在第一节点和第三节点...
    2026-03-10
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001247.7
    一种显示面板，该显示面板包括：衬底和多个发光器件，多个发光器件位于所述衬底的同侧；所述多个发光器件包括：第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件出射第一颜色光，所述第二发光器件出射第二颜色光；其中，沿垂直所述衬底且远离所述衬底的第一方向...
    2026-03-10
  • 显示基板、显示装置
    显示基板、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001239.2
    一种显示基板、显示装置，显示基板包括基底以及设置在基底上的多个子像素，至少部分子像素包括像素驱动电路、阳极(90)和阳极连接电极(83)，在同一个子像素中，像素驱动电路通过阳极连接电极(83)与阳极(90)电连接；在垂直于显示基板所在平面的...
    2026-03-10
  • 阵列基板和显示装置
    阵列基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001221.2
    提供了一种阵列基板。阵列基板包括：第一坝结构和第二坝结构，其位于阵列基板的周边区域；第一槽，其位于第一坝结构和阵列基板的显示区域之间；以及第二槽，其位于第一坝结构和第二坝结构之间。沿着垂直于衬底基板的表面并与第一坝结构、第二坝结构、第一槽和...
    2026-03-10
  • 先进图案化OLED悬垂子像素电路和图案化方法
    先进图案化OLED悬垂子像素电路和图案化方法_应用材料公司_202480050036.2
    本文所描述的实施例涉及一种形成子像素的方法。所述方法包括在基板和阳极上方沉积第一结构材料。所述阳极设置在所述基板上方。在所述第一结构材料上方沉积层间介电(ILD)材料。将ILD材料图案化。在所述ILD材料和所述第一结构材料上方沉积中间结构材...
    2026-03-10
  • 显示面板、其制作方法及显示装置
    显示面板、其制作方法及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202280001788.0
    本公开提供一种显示面板、其制作方法及显示装置，像素界定层包括交叉设置的多个第一挡墙和多个第二挡墙，其中，第一挡墙的高度小于第二挡墙的高度，连接发光器件的过孔在衬底基板的正投影位于第二挡墙在衬底基板的正投影之内。第二挡墙具有较大厚度，因此将过...
    2026-03-10
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202380008062.4
    一种显示面板和显示装置。显示面板包括：衬底基板，包括多个发光区和位于相邻发光区之间的非发光区；像素限定层，位于所述衬底基板上，具有主体部和由所述主体部限定的多个开口，所述开口被配置为限定所述多个发光区中的至少一个；第一结构层，至少位于一个所...
    2026-03-10
  • 显示面板、显示屏和电子设备
    显示面板、显示屏和电子设备_华为技术有限公司_202580003050.1
    本申请涉及显示面板技术领域，公开了一种显示面板、显示屏和电子设备，显示面板。该显示面板的CGL包括依次层叠的N‑CGL、i‑CGL以及P‑CGL。其中，对应于i‑CGL采用有机材料，则该有机材料的LUMO能级小于或等于‑3.5eV；对应于i...
    2026-03-10
  • 显示基板及其制作方法
    显示基板及其制作方法_京东方科技集团股份有限公司_202480001237.3
    一种显示基板及其制作方法，显示基板包括：衬底；设置在衬底上的多个发光组件，发光组件包括：发光单元以及设置在发光单元背离衬底一侧的光学功能单元，至少部分发光组件的光学功能单元用于对进入光学功能单元的光线的颜色进行转换；相邻两个发光组件之间限定...
    2026-03-10
  • 微型LED以及微型LED显示面板
    微型LED以及微型LED显示面板_上海显耀显示科技股份有限公司_202380100537.2
    一种微型LED，包括键合层、形成于所述键合层上的N型半导体层、形成于所述N型半导体层上的发光层、形成于所述发光层上的P型半导体层以及形成于所述P型半导体层上的顶部导电层。所述键合层包括第一金属键合层、与所述N型半导体层相键合的第二金属键合层...
    2026-03-10
  • 微型LED以及微型LED显示面板
    微型LED以及微型LED显示面板_上海显耀显示科技股份有限公司_202380100533.4
    一种微型LED，包括键合层、形成于所述键合层上的N型半导体层、形成于所述N型半导体层上的发光层以及形成于所述发光层上的P型半导体层。所述键合层包括第一金属键合层、与所述N型半导体层相键合的第二金属键合层；以及形成于所述第一金属键合层和所述第...
    2026-03-10
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