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最新专利技术
  • 一种双功能超高镍三元正极材料及其制备方法
    一种双功能超高镍三元正极材料及其制备方法_陕西彩虹新材料有限公司_202511899097.9
    本发明属于锂电池技术领域，公开了一种双功能超高镍三元正极材料及其制备方法，其中，所述制备方法包括将超高镍三元正极材料前驱体、锂源、镓铟锡合金粉与羟基磷灰石纳米粉混合得到物料，将物料进行球磨后进行一次过筛，得到混合物料，将混合物料进行烧结，得...
    2026-03-16
  • 一种无高分子粘结剂的碳复合流体制备方法
    一种无高分子粘结剂的碳复合流体制备方法_天津理工大学_202511836670.1
    本发明提出了一种无需高分子粘接剂的碳复合集流体制备方法。该方法巧妙利用导电碳材料与助剂间的电荷转移及π‑π相互作用，实现导电碳材料的浸润，辅助其均匀混合最终形成膏状浆料。膏状浆料经压制工序和洗涤后，在基底表面构筑出厚度均一、导电性能好的碳复...
    2026-03-16
  • 一种具有良好分散性的锂离子电池导电浆料及制备方法
    一种具有良好分散性的锂离子电池导电浆料及制备方法_金华王点科技有限公司_202511830507.4
    一种具有良好分散性的锂离子电池导电浆料及其制备方法，属于锂离子电池技术领域。所述导电浆料包括导电剂、碳纳米管、稳定剂、分散剂和溶剂，其中分散剂采用聚(3, 4‑乙烯二氧噻吩)(PEDOT)。PEDOT具有正电荷特性，能有效吸附于导电剂和碳纳...
    2026-03-16
  • 磷酸铁锂电芯负极材料表面改性工艺
    磷酸铁锂电芯负极材料表面改性工艺_广东集能固态电池有限公司_202511723802.X
    本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了磷酸铁锂电芯负极材料表面改性工艺，该工艺包括：将有机硅材料与功能化纳米填料混合，将所得混合物包覆于石墨负极材料表面，随后在特定气氛下进行热处理，通过该工艺，在石墨颗粒表面形成了一种复合包覆层，该包覆层以有...
    2026-03-16
  • 双极电极和双极电极的制造方法
    双极电极和双极电极的制造方法_丰田自动车株式会社_202511165668.6
    本发明涉及双极电极和双极电极的制造方法。双极电极的制造方法包括：将包含正极活性物质或负极活性物质和粘合剂树脂的混合物、与能够纤维化的化合物剪切混合，分别制备正极粉体和负极粉体的工序；将所述正极粉体和所述负极粉体压延，分别形成正极层和负极层的...
    2026-03-16
  • 一种自支撑柔性水凝胶电极及制法、共平面全水凝胶锌离子电池及制法与应用
    一种自支撑柔性水凝胶电极及制法、共平面全水凝胶锌离子电池及制法与应用_东南大学_202511828325.3
    本发明公开了一种自支撑柔性水凝胶电极及制法、共平面全水凝胶锌离子电池及制法与应用。该电极通过将电化学活性填料和导电填料与聚丙烯酸水凝胶前驱体均匀混合，形成具有多孔结构的自支撑水凝胶电极膜。电极表现出超300%的断裂伸长率和超50 kPa的拉...
    2026-03-16
  • 碰撞池装置处理离子的方法、装置、碰撞池装置、存储介质和计算机程序产品
    碰撞池装置处理离子的方法、装置、碰撞池装置、存储介质和计算机程序产品_广州禾信仪器股份有限公司_202512016380.9
    本申请涉及一种碰撞池装置处理离子的方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：在检测到离子进入碰撞池装置的情况下，控制离子富集在碰撞池装置内的轴线；基于轴线上的行波驱动力和气流拖拽力，从离子中协同筛选出目标离子；控制目标...
    2026-03-16
  • 一种用于PVD涂层设备的离子刻蚀装置
    一种用于PVD涂层设备的离子刻蚀装置_广东川海真空科技有限公司_202511919342.8
    本发明公开了一种用于PVD涂层设备的离子刻蚀装置，包括辅助阳极、主备用双组钨丝加热模块、惰性气体定向引入模块、真空与电连接模块和控制与保护模块。本发明通过主备用双组钨丝设计与自动交叠切换策略，确保在一组钨丝失效时能无缝切换至备用组，有效避免...
    2026-03-16
  • 刻蚀设备用禁闭环的加工冶具及加工方法
    刻蚀设备用禁闭环的加工冶具及加工方法_杭州盾源聚芯半导体科技有限公司_202511690033.8
    本申请涉及刻蚀设备技术领域，并公开了一种刻蚀设备用禁闭环的加工冶具，其中，刻蚀设备用禁闭环的加工装置包括，第一挡板，第一挡板为圆环形结构，第一挡板位于容纳腔体内，第一挡板与第一抵接面相抵，第一挡板与第一侧板相抵，第一挡板与第二侧板间具有第一...
    2026-03-16
  • 一种射频输出装置及半导体工艺设备
    一种射频输出装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411171251.6
    本申请涉及涉及等离子体刻蚀技术领域，提供一种射频输出装置及半导体工艺设备，所述装置包括射频源，所述射频源用于输出射频信号；滤波器，用于对反射到射频源的干扰进行滤波；变频电路，通过所述滤波器与所述射频源连接，用于调节所述射频频率使得调节后的频...
    2026-03-16
  • 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411132886.5
    本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域，所公开的半导体工艺腔室包括腔体、上电极装置、下电极装置及内衬，上电极装置设于腔体的顶部，下电极装置和内衬设于腔体内，且上电极装置与下电极装置相对间隔设置，内衬分别环绕设置...
    2026-03-16
  • 一种离子注入机的特气安全控制系统及方法
    一种离子注入机的特气安全控制系统及方法_长春长光正圆微电子技术有限公司_202511771751.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种离子注入机的特气安全控制系统，包括传感器模块、数据分析模块、风险决策模块和声光报警模块，通过对设备周围进行气体数据采集，并对这些数据进行分析，得到各个位置的气体种类和浓度分析结果，对分析结果进行风险决...
    2026-03-16
  • 多带电粒子束检查中的串扰消除
    多带电粒子束检查中的串扰消除_ASML荷兰有限公司_202511779193.X
    公开了多带电粒子束检查中的串扰消除。减少多束检查系统中的串扰污染的操作包括：由多束检查系统分别获取样品上第一区和第二区的第一图像和第二图像，第一图像基于来自多束检查系统的第一检测区域的第一检测信号而被生成，第二图像基于来自多束检查系统的第二...
    2026-03-16
  • 一种高通量样品全表面观测载物台及使用方法
    一种高通量样品全表面观测载物台及使用方法_中原工学院_202511664633.7
    本发明提出了一种高通量样品全表面观测载物台及使用方法，所述载物台包括外壳，外壳内设置有旋转机构，旋转机构驱动若干个样品夹具旋转；将样品与样品夹具一一对应相连，然后将所述载物台放置于电镜样品室内，抽真空后，旋转机构驱动所有样品夹具旋转，进而带...
    2026-03-16
  • 一种定向离子束的控制装置、方法以及半导体设备
    一种定向离子束的控制装置、方法以及半导体设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511862093.3
    本申请涉及一种定向离子束的控制装置、方法以及半导体设备，该装置包括平行设置的屏栅极和加速栅极，均设有供离子束通过的对应孔阵；两栅极之间设有至少一个压电驱动器，用于改变离子束从加速栅极孔射出的初始方向，使离子束投射至目标位置。控制方法包括使离...
    2026-03-16
  • 通过样本偏置来控制离子束的入射角
    通过样本偏置来控制离子束的入射角_FEI公司_202511116283.0
    一种离子束铣削系统包括：真空室；离子柱，该离子柱用于将离子束引导朝向样本；以及平台，该平台设置在真空室内部并且被构造用于安装保持器以支撑样本。该平台包括相对于离子柱的轴线以第一角度设置的平台表面。对平台施加电偏置，以调节离子束相对于平台表面...
    2026-03-16
  • 使用多个带电粒子射束的装置
    使用多个带电粒子射束的装置_ASML荷兰有限公司_202511762270.0
    本公开提出一种防旋转透镜，并将其用作具有预子射束形成机构的多射束装置中的防旋转聚光透镜。防旋转聚光透镜在改变其电流时保持子射束的旋转角度不变，从而使得预子射束形成机构能够尽可能多地阻断未使用的电子。以这种方式，多射束装置可以以高分辨率和高吞...
    2026-03-16
  • 一种碳化硅栅网及其制备方法、离子源装置和半导体设备
    一种碳化硅栅网及其制备方法、离子源装置和半导体设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411189208.2
    本发明提供了一种碳化硅栅网及其制备方法、离子源装置和半导体设备，涉及半导体技术领域。该碳化硅栅网的制备方法是基于CVD工艺来制备碳化硅栅网，相比较现有技术的金属栅网和石墨栅网而言，本申请制备的碳化硅栅网不仅具有良好的电学性能和热导性能，而且...
    2026-03-16
  • 一种栅网及其制备方法、离子源装置和半导体设备
    一种栅网及其制备方法、离子源装置和半导体设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411187579.7
    本发明提供了一种栅网及其制备方法、离子源装置和半导体设备，涉及半导体技术领域。通过在具有栅网孔洞分布的栅网的表面，以及栅网孔洞的内壁制备厚度和成分均匀且性能稳定的保护层，通过使用保护层的栅网，有效降低IBS以及离子束刻蚀工艺中栅网引入的颗粒...
    2026-03-16
  • 一种碳化硅栅网及其制备方法、离子源装置和半导体设备
    一种碳化硅栅网及其制备方法、离子源装置和半导体设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411186442.X
    本发明提供了一种碳化硅栅网及其制备方法、离子源装置和半导体设备，涉及半导体技术领域。通过对基板进行改进使其第一表面和第二表面上分别具有多个间隔排布的凸起结构，凸起结构所在位置是基于栅网孔洞来确定的，基于此基板结构形成碳化硅涂层，在一次切割处...
    2026-03-16
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