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最新专利技术
  • 存储器控制器及其操作方法、存储系统及电子设备
    存储器控制器及其操作方法、存储系统及电子设备_长江存储科技有限责任公司_202511656430.3
    本公开提供存储器控制器及其操作方法、存储系统及电子设备。所述存储器控制器被配置为：根据第一存储块的读取次数，判断是否对第一存储块进行读干扰处理；所述读干扰处理为采用单状态读取电压读取第一存储块的第一物理页，根据第一物理页空状态存储单元数量，...
    2026-04-12
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510205161.2
    本发明提供能够抑制消耗电力的半导体存储装置。半导体存储装置(2)具备输入输出用焊盘组(32)、包含多个存储单元的存储单元阵列(21)、设置于输入输出用焊盘组(32)和存储单元阵列(21)之间的输入输出电路(22)。输入输出电路(22)具备：...
    2026-04-12
  • 相变存储器及其操作方法
    相变存储器及其操作方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511722493.4
    本申请实施例提供一种相变存储器及其操作方法。该相变存储器包括：存储单元阵列和与存储单元阵列耦接的外围电路；存储单元阵列包括第一区域和第二区域；第二区域位于第一区域的远离第一区域中部的至少一侧；外围电路被配置为：响应于第一区域相应的误码率超过...
    2026-04-12
  • 时钟生成电路及静态随机存取存储器
    时钟生成电路及静态随机存取存储器_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511887866.3
    本申请提供一种时钟生成电路及静态随机存取存储器，该时钟生成电路架构简单且易控制，其包括第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管、第一逻辑控制电路、第一锁存模块、延时模块以及反馈模块，其能利用反馈模块将内部时钟信号反馈至第一上拉晶体管，...
    2026-04-12
  • 半导体装置、半导体装置的编程方法和数据存储系统
    半导体装置、半导体装置的编程方法和数据存储系统_三星电子株式会社_202511345459.X
    公开了半导体装置、半导体装置的编程方法和数据存储系统。所述半导体装置包括：串阵列，包括并联连接到位线的多个单元串；多个地选择晶体管，包括在所述多个单元串的每个中，在第一方向上堆叠并且彼此串联连接；以及多条地选择线，在第二方向上延伸并且被配置...
    2026-04-12
  • 一种适用于顺序读取场景的功耗优化SRAM电路及其控制方法
    一种适用于顺序读取场景的功耗优化SRAM电路及其控制方法_南京起跑线穿戴电子科技有限公司_202511729513.0
    本发明公开了一种适用于顺序读取场景的功耗优化SRAM电路及其控制方法，该SRAM电路包括地址处理模块、时序模块、读操作通路选择电路和支持多种读模式的SRAM模块；地址处理模块输出的结果可以切换读取模式，时序模块生成SRAM内部时序控制信号，...
    2026-04-12
  • 存储器系统及存储器系统的控制方法
    存储器系统及存储器系统的控制方法_铠侠股份有限公司_202510273679.X
    本发明涉及一种存储器系统及存储器系统的控制方法。实施方式的存储器系统提高数据读出的可靠性。实施方式的存储器系统具备存储器装置及存储器控制器，该存储器装置包含与多个字线中的每一个连接的多个存储单元，存储器控制器获取和与选择字线连接的多个选择单...
    2026-04-12
  • 一种数据读取电路、方法、存储器和电子设备
    一种数据读取电路、方法、存储器和电子设备_北京超弦存储器研究院_202411323646.3
    本公开提供一种数据读取电路、方法、存储器和电子设备，该电路包括：比较电路和控制电路；比较电路用于将目标电流与N个第一电流分别进行比较，生成N个第一比较信号；N个第一电流划分出N+1个电流区间；N个第一比较信号指示N+1个电流区间中的目标电流...
    2026-04-12
  • 字线驱动电路及其控制方法、存储器、电子设备
    字线驱动电路及其控制方法、存储器、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411308730.8
    本申请实施例提供了一种字线驱动电路及其控制方法、存储器、电子设备，涉及半导体电路设计技术领域。该字线驱动电路包括：至少一个子字线电压调节模块和至少一个共用电压调节模块；每个子字线电压调节模块与一个字线对应设置，每个子字线电压调节模块用于与一...
    2026-04-12
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510275268.4
    本公开涉及存储装置。第1及第2变换器连接于第1、第2节点间。第1变换器包括与第3节点连接的第3晶体管。第2变换器包括与第4节点连接的第5晶体管。第6晶体管与第5晶体管的栅极连接于第3节点。第7晶体管与第3晶体管的栅极连接于第4节点。第8晶体...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510268576.4
    本发明的半导体装置提高光刻裕度。一实施方式的半导体装置具备：控制电路，设置在衬底；及多个导电体，设置在位于与衬底在第1方向上分开的位置的层。多个导电体包含依次排列在第2方向上的第1导电体、第2导电体、第3导电体及第4导电体。控制电路构成为，...
    2026-04-12
  • 存储器系统及存储器系统的控制方法
    存储器系统及存储器系统的控制方法_铠侠股份有限公司_202510275013.8
    本发明提供一种能够提高可靠性及性能的存储器系统及存储器系统的控制方法。实施方式的存储器系统包含存储器器件、存储器控制器、电源电路及蓄电装置。存储器控制器控制存储器器件。电源电路将基于从外部电源供给的电力而产生的电力供给到存储器器件及存储器控...
    2026-04-12
  • 位线补偿校准调谐系统、电子设备及方法
    位线补偿校准调谐系统、电子设备及方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511896003.2
    本申请涉及一种位线补偿校准调谐系统、电子设备及方法，其中，位线补偿校准调谐系统包括：开关控制模块，开关控制模块的一端通过位线与至少一个铁电存储单元相连；电容阵列模块，电容阵列模块的一端与开关控制模块的另一端相连，电容阵列模块的另一端与接地节...
    2026-04-12
  • 数据读写电路、铁电存储器及数据读写方法
    数据读写电路、铁电存储器及数据读写方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511799397.X
    本申请涉及一种数据读写电路、铁电存储器及数据读写方法，其中，数据读写电路包括：飞电容辅助开关，用于对输入信号进行无直流偏移采样得到输出信号；比较模块，比较模块包括比较单元、校准单元和消除单元，其中，比较单元用于接收输出信号，并对输出信号进行...
    2026-04-12
  • 包括铁电单元电容器的非易失性存储器件及其操作方法
    包括铁电单元电容器的非易失性存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202510529374.0
    提供了一种包括铁电单元电容器的非易失性存储器件以及该非易失性存储器件的操作方法。非易失性存储器件包括：存储单元阵列，包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元连接到多条字线之中的与地址相对应的所选择的字线；第一局部板线驱动器...
    2026-04-12
  • 具有堆叠晶体管对的非易失性存储器
    具有堆叠晶体管对的非易失性存储器_IMEC非营利协会_202511335538.2
    公开了一种位单元(100)，其包括非易失性存储器元件(110)和晶体管装置(120)，该晶体管装置被配置成提供切换存储器元件的状态的写信号。存储器元件的第一端子(111)被连接到位线(BL)，存储器元件的第二端子(112)被连接到晶体管装置...
    2026-04-12
  • 存储系统以及控制器进行的控制方法
    存储系统以及控制器进行的控制方法_铠侠股份有限公司_202510194199.4
    提供性能高的存储系统以及控制器进行的控制方法。存储系统具备多个存储单元和控制器。控制器通过使用参照读电压进行对多个存储单元的读取，取得与多个存储单元的阈值电压的分布对应的数据集。控制器基于数据集来选择取得用于对多个存储单元所保存的数据进行读...
    2026-04-12
  • 控制装置、存储系统、控制方法、以及程序
    控制装置、存储系统、控制方法、以及程序_株式会社东芝_202411691361.5
    本实施方式提供能够抑制在易失性存储器中不使用的存储区域变多的控制装置、存储系统、控制方法、以及程序。本实施方式的控制装置是控制易失性存储器的控制装置。实施方式的控制装置在保存在所述易失性存储器的存储区域的数据的读入中产生了错误时产生所述错误...
    2026-04-12
  • 存储器装置和计算系统
    存储器装置和计算系统_爱思开海力士有限公司_202510952228.9
    本公开涉及一种存储器装置和计算系统，该存储器装置可以通过第一子阵列和第二子阵列共享的感测放大器执行数据复制和非计算。存储器装置可以使用第一子阵列和第二子阵列之一作为存储用于计算的数据的区域，可以使用另一子阵列作为执行计算的区域，并且可以提供...
    2026-04-12
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510214757.9
    本发明提供一种能够缩短处理时间的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1布线层、第2布线层及多个第3布线层，在第1方向上相互分离，依次排列而设置；存储柱，在第1方向上延伸，且与第1布线层相交的部分作为第1存储单元发挥功能；以及控制...
    2026-04-12
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