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最新专利技术
  • 一种模块化安装的电能计量箱
    一种模块化安装的电能计量箱_河北启顺电力器材科技有限公司_202610038564.7
    本发明公开了一种模块化安装的电能计量箱，涉及电能计量箱技术领域，包括电能计量箱主体，所述电能计量箱主体正面铰接有前端密封箱门，所述电能计量箱主体底部固定安装有支撑底框，所述电能计量箱主体内部正面一侧嵌入安装有前端密封板，本发明通过拼接安装箱...
    2026-04-24
  • 一种带引流装置避雷器
    一种带引流装置避雷器_浙江东高电气有限公司_202610044009.5
    本发明公开了一种带引流装置避雷器，涉及避雷器技术领域，包括支架，所述支架上设置有支撑机构，所述支撑机构上设置有避雷器本体，所述避雷器本体的底部设置有接地线。该带引流装置避雷器，当把挂钩引流线夹挂在高压输电线上时，通过螺杆和挂钩引流线夹之间的...
    2026-04-24
  • 一种半导体激光器的光谱合束装置
    一种半导体激光器的光谱合束装置_北京工业大学_202311756947.0
    本发明公开了一种半导体激光器的光谱合束装置，包括：沿半导体激光器的光轴依次设置的快轴准直镜、慢轴准直镜、第一可旋转半波片、第一柱面传输透镜和第一衍射光栅；第一衍射光栅的0级透射光束方向上依次设有第二柱面传输透镜、第二可旋转半波片、第三柱面传...
    2026-04-24
  • 大规模集成激光器点然核聚变装置的制作方法
    大规模集成激光器点然核聚变装置的制作方法_何世鸿_202310608699.9
    大规模集成激光器点然核聚变装置的制作方法，使用记录机的技术制造快速大规模可以打出不同角度孔洞的设备，用这个设备打出大量的可以把放入的激光器射出的光子束流都指向同一个点，孔洞数量根据点然核聚变反应需要确定，孔洞直径由设备精度和点燃核聚变需要确...
    2026-04-24
  • 一种多周期叠层Si基InAs/GaAs量子点阵列结构及其制备方法
    一种多周期叠层Si基InAs/GaAs量子点阵列结构及其制备方法_海南师范大学_202511816533.1
    本发明公开了一种多周期叠层Si基InAs/GaAs量子点阵列结构及其制备方法，该结构包括：Si衬底；覆盖于所述Si衬底上的SiO2掩膜层，所述SiO2掩膜层设有呈矩阵排列的圆孔阵列，用于暴露下方的Si衬底区域；在每个圆孔内暴露的Si衬底上，...
    2026-04-24
  • 低95%能量发散角的复合光子晶体半导体激光器
    低95%能量发散角的复合光子晶体半导体激光器_中国科学院半导体研究所_202512012260.1
    本申请提供了一种低95%能量发散角的复合光子晶体半导体激光器，应用于半导体激光器领域。该半导体激光器包括由下至上依次层叠的衬底、N型限制层、复合光子晶体层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型限制层；其中，复合光子晶体层由沿外延方向堆叠的多...
    2026-04-24
  • 激光器及其制备方法和激光系统
    激光器及其制备方法和激光系统_甬江实验室_202511757497.6
    本申请提供了一种激光器及其制备方法和激光系统，涉及光电技术领域，该激光器包括外延结构和脊波导。其中，外延结构包括有源层；脊波导位于外延结构上，且沿第一方向延伸，且在第二方向上的尺寸小于有源层在第二方向上的尺寸；脊波导包括第一子部和沿第二方向...
    2026-04-24
  • 一种半导体激光器件及其制备方法
    一种半导体激光器件及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511901013.0
    本发明属于光电子技术领域，具体公开一种半导体激光器件及其制备方法。该器件沿外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、过渡层、限制层、波导层、量子阱、波导层、电子阻挡层、限制层、过渡层以及帽层。过渡层的铝组分沿厚度方向呈渐变分布，波导层与量子阱之间形...
    2026-04-24
  • 一种可调谐激光器的超宽带增益谱外延材料结构及其应用
    一种可调谐激光器的超宽带增益谱外延材料结构及其应用_雄安创新研究院_202511706432.9
    本发明提供了一种可调谐激光器的超宽带增益谱外延材料结构及其应用。本发明中的外延材料结构包括由下至上依序设置的衬底、下包层、波导层、上限制层、上包层和接触层；所述波导层包括本征波导层及嵌入本征波导层内的铋化物量子点层，其通过能带反交叉效应拓宽...
    2026-04-24
  • 一种具有垂直平面内倾斜腔面的半导体激光器及制造方法
    一种具有垂直平面内倾斜腔面的半导体激光器及制造方法_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202610059231.2
    本发明提供了一种具有垂直平面内倾斜腔面的半导体激光器及制造方法，该半导体激光器包括：层叠结构；主振荡器区、功率预放大器区和锥形功率放大器区，主振荡器区、功率预放大器区和锥形功率放大器区沿波导光路轴线的延伸方向依次集成于层叠结构上；衬底，层叠...
    2026-04-24
  • 一种垂直外腔表面发射激光器及激光设备
    一种垂直外腔表面发射激光器及激光设备_苏州知行半导体科技有限公司_202512031052.6
    本申请公开一种垂直外腔表面发射激光器及激光设备，涉及半导体光源技术领域。该垂直外腔表面发射激光器，包括层叠设置的泵浦光源、泵浦透明反射层以及第一有源层，第一有源层远离泵浦透明反射层的一侧还设置有第一反射镜，第一反射镜与泵浦透明反射层形成谐振...
    2026-04-24
  • 多结偏振受控的垂直腔面发射激光器及其制造方法
    多结偏振受控的垂直腔面发射激光器及其制造方法_II-VI特拉华股份有限公司_202511065466.4
    公开了多结偏振受控的垂直腔面发射激光器及其制造方法。公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)以及制造或形成VCSEL的方法，该VCSEL从VCSEL的底部到顶部包括半导体基板、底部分布式布拉格反射器(DBR)、包括至少一个有源子区域的半导...
    2026-04-24
  • 一种猫眼式外腔半导体激光器及其使用方法
    一种猫眼式外腔半导体激光器及其使用方法_中科酷原科技(武汉)有限公司_202512044998.6
    本发明涉及半导体激光器技术领域，特别是涉及一种猫眼式外腔半导体激光器及其使用方法。该激光器包括外壳和设置在外壳底部的半导体制冷器，所述半导体制冷器用于控制激光器的温度，以保证激光器输出波长与功率的稳定性；所述外壳内部设置有猫眼组件和滤光组件...
    2026-04-24
  • 分布反馈激光器及其制备方法
    分布反馈激光器及其制备方法_鹏城实验室_202511683597.9
    本申请涉及光电子技术领域，公开了一种分布反馈激光器及其制备方法，分布反馈激光器包括衬底层、分离限制异质结构、耦合光栅层、电介质层、阳极和阴极。在耦合光栅层的脊形波导的侧壁沿腔长分段布置布拉格光栅，光栅至少包含两段耦合系数不同的光栅段，并在腔...
    2026-04-24
  • 一种环形微腔量子级联激光器及制备方法
    一种环形微腔量子级联激光器及制备方法_启明光子(北京)科技有限公司_202511997331.1
    本申请公开的一种环形微腔量子级联激光器，包括自下而上依次设置的衬底；环形微腔，设置于所述衬底上，环形微腔为带缺口的椭圆谐振器，环形微腔的中心区域设有凹槽；半绝缘InP : Fe填充层设置于环形微腔中心区域的凹槽中，半绝缘InP : Fe填充...
    2026-04-24
  • 一种异质结集成超宽带可调谐半导体激光器
    一种异质结集成超宽带可调谐半导体激光器_雄安创新研究院_202511706309.7
    本发明提供了一种异质结集成超宽带可调谐半导体激光器，包括有集成于CMOS兼容硅光子芯片上的III‑V/Si异质结增益模块、DBR‑微环复合调谐模块、相位控制模块、总线波导、可调耦合器模块及输出模块，各模块协同作用，既保障宽谱增益的高效激发，...
    2026-04-24
  • 一种冷原子稳频激光器及其实现方法
    一种冷原子稳频激光器及其实现方法_西安电子科技大学_202512047184.8
    本发明公开了一种冷原子稳频激光器及其实现方法，属于激光技术领域。本发明为解决基于光学谐振腔的激光稳频中腔长热噪声大以及基于原子分子气室的稳频中存在多普勒展宽和碰撞展宽的问题，通过利用冷原子反冲共振谱线作为频率参考源，构建包括光学探测链路与电...
    2026-04-24
  • 一种薄膜钽酸锂外腔稳频调频激光器及其制备方法与工作方法
    一种薄膜钽酸锂外腔稳频调频激光器及其制备方法与工作方法_上海交通大学_202511801570.5
    本发明公开了一种薄膜钽酸锂外腔稳频扫频激光器及其制备与工作方法，属于集成激光器技术领域。该激光器采用半导体增益芯片与薄膜钽酸锂外腔芯片混合集成。钽酸锂芯片上单片集成了移相器、嵌入式混合光栅、光开关及相位调制器。其核心在于通过驱动器向移相器和...
    2026-04-24
  • VCSEL激光芯片的切割方法及VCSEL激光芯片
    VCSEL激光芯片的切割方法及VCSEL激光芯片_杭州开幕光子技术有限公司_202610061945.7
    本申请实施例涉及一种VCSEL激光芯片的切割方法及VCSEL激光芯片，该方法包括：提供一VCSEL激光芯片；于VCSEL激光芯片上旋涂一第一保护胶层；去除沟道内的部分第一保护胶层；于第一保护胶层上旋涂一第二保护胶层，得到中间VCSEL激光芯...
    2026-04-24
  • 一种半导体激光器的水冷散热结构
    一种半导体激光器的水冷散热结构_安徽先导先进科技有限公司_202511745221.6
    本申请属于半导体激光器技术领域，公开了一种半导体激光器的水冷散热结构，包括水冷底座、水冷板、COS单元，水冷底座安装在水冷板上，水冷底座上具有多个COS焊接位，COS焊接位用于连接COS单元，水冷底座和水冷板之间具有用于容纳冷却液的腔室，水...
    2026-04-24
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