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最新专利技术
  • 用于有机发光器件的材料
    用于有机发光器件的材料_默克专利有限公司_202480056203.4
    本发明涉及作为OLED材料的具体的二氮杂二苯并呋喃和二氮杂二苯并噻吩衍生物，涉及包含这些化合物的混合物和制剂，并且涉及包含这些化合物的电子器件，特别是包含这些化合物作为基质材料、电子传输材料或空穴阻挡材料的有机发光器件。
    2026-04-18
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001599.2
    一种显示面板，包括：驱动基板；设置在所述驱动基板上的隔离结构层，所述隔离结构层限定出多个第一开口；多个发光器件，一个所述发光器件与一个所述第一开口对应设置；所述发光器件包括沿远离所述驱动基板的方向依次层叠设置的阳极、发光部和阴极，所述阴极与...
    2026-04-18
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001367.7
    一种显示面板以及显示装置，显示面板包括第一衬底基板、多个子像素以及像素限定部，多个子像素位于第一衬底基板上，子像素包括像素驱动电路和发光元件，发光元件包括发光功能层以及位于发光功能层两侧的第一电极和第二电极，第一电极比第二电极更靠近第一衬底...
    2026-04-18
  • 显示装置和用于制造该显示装置的方法
    显示装置和用于制造该显示装置的方法_三星显示有限公司_202480059394.X
    实施例的显示装置包括：基体层，其中限定有像素区域和与像素区域相邻的外围区域；像素限定膜，设置在基体层上，并且在像素限定膜中限定有与像素区域对应的像素开口；发光元件，设置在像素开口中并且产生第一颜色的光；以及封装层，设置在发光元件上，其中，封...
    2026-04-18
  • 发光设备、电子装置及制造发光设备的方法
    发光设备、电子装置及制造发光设备的方法_索尼半导体解决方案公司_202480058600.5
    根据本公开的一实施例的发光设备包括：基板，所述基板包括发光区域和非发光区域；多个发光部分，所述多个发光部分设置在发光区域中；保护层，所述保护层设置在发光区域和非发光区域之上以便覆盖所述多个发光部分；以及滤色器层，所述滤色器层设置在保护层上，...
    2026-04-18
  • 发光器件、显示装置、电子设备
    发光器件、显示装置、电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480059590.7
    提供一种特性良好的发光器件。提供一种形成在同一绝缘表面上的多个发光器件之一的发光器件，该发光器件包括第一电极、第二电极以及有机化合物层，相邻的发光器件独立地包括第一电极，第二电极由相邻的发光器件共同使用，有机化合物层位于第一电极与第二电极之...
    2026-04-18
  • 化合物、有机薄膜、光电转换元件、摄像元件、光传感器和固态摄像装置
    化合物、有机薄膜、光电转换元件、摄像元件、光传感器和固态摄像装置_三菱瓦斯化学株式会社_202480059028.4
    下述式(I)(R1和R2为氢原子，R3~R7各自独立地为氢原子、卤素原子、直链、支链或环状的烷基等)所示的化合物。
    2026-04-18
  • 用于微LED的半导体结构
    用于微LED的半导体结构_六边钻公司_202480058497.4
    提出的解决方案涉及用于微型发光二极管(微LED)的半导体结构(80)，其包含外延晶片(10)和在外延晶片上单片生长的多个InGaN片晶(100)。每个InGaN片晶包含QW层。所述多个InGaN片晶包括分别配置用于红光、绿光和蓝光发射的单独...
    2026-04-18
  • 发光装置以及发光装置的制造方法
    发光装置以及发光装置的制造方法_日亚化学工业株式会社_202480059777.7
    本发明涉及发光装置以及发光装置的制造方法。本发明提供一种具备散热性高的光反射部件的发光装置。本发明的发光装置包含：发光元件，其包含具有发光面、位于上述发光面的相反侧的电极形成面以及位于发光面与电极形成面之间的侧面的半导体构造体、以及设置在电...
    2026-04-18
  • 半导体继电器
    半导体继电器_松下知识产权经营株式会社_202480057448.9
    半导体继电器(100)具备发光元件(10)、受光元件(20)、第一开关元件及第二开关元件(31、32)、第一芯片焊盘及第二芯片焊盘(51、52)、第一端子及第二端子(41、42)、以及将它们收容在内部的封装(60)。受光元件(20)位于发光...
    2026-04-18
  • 具有微型存储库存储器的集成电路
    具有微型存储库存储器的集成电路_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480058678.7
    本文公开了集成电路，集成电路可以包括多个微型存储库，其中微型存储库中的每个微型存储库相对于彼此以间隔关系被设置，并且邻近第一表面。多个微型存储库包括第一微型存储库。此外，集成电路可以包括多个键合区域，其中每个键合区域被设置在第一表面上，并且...
    2026-04-18
  • 背侧功率架构中使用沟槽接地方案的栅极接地
    背侧功率架构中使用沟槽接地方案的栅极接地_高通股份有限公司_202480057352.2
    公开了利用背侧功率递送方案的栅极接地(GTD)单元，其中递送功率的金属线设置在晶片的背面上。因此，可实现超低高度标准单元。还可实现较高的面积微缩。此外，可最大化性能和功率增益。
    2026-04-18
  • 具有竖直布线结构的互补场效应晶体管(CFET)电路
    具有竖直布线结构的互补场效应晶体管(CFET)电路_高通股份有限公司_202480058295.X
    公开了具有竖直布线结构的互补场效应晶体管(CFET)电路及其制造方法。在一方面，一种半导体结构包括：第一电荷载流子类型的第一场效应晶体管(FET)，该第一场效应晶体管(FET)包括第一源极/漏极(S/D)区、第二S/D区和第一栅极；第二电荷...
    2026-04-18
  • 高密度金属氧化物半导体(MOS)电容器(MOSCAP)与金属氧化物金属(MOM)电容器(MOMCAP)的堆叠布局
    高密度金属氧化物半导体(MOS)电容器(MOSCAP)与金属氧化物金属(MOM)电容器(MOMCAP)的堆叠布局_高通股份有限公司_202480057722.2
    描述了一种集成电路(IC)。IC包括金属氧化物金属(MOM)电容器(MOMCAP)。MOMCAP包括耦合到第一金属互连层的第一多个指状物的第一端子。MOMCAP还包括第二端子，该第二端子耦合到第一金属互连层的第二多个指状物并且与第一金属互连...
    2026-04-18
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_美蓓亚功率半导体株式会社_202480059391.6
    本发明提供一种半导体装置，在经由焊料合金将半导体元件的表背两面与刚体连接的构造的半导体装置中，缓和在半导体装置使用中的半导体元件的表背两面产生的热应力的影响。一种半导体装置，其具有：半导体元件；引线框；绝缘基板；第一接合材料，其将所述半导体...
    2026-04-18
  • 针对面对面键合的具有构造即正确时序收敛的系统和方法
    针对面对面键合的具有构造即正确时序收敛的系统和方法_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480058190.4
    用于实现构造即正确时序收敛的系统和有关方法可以包括第一半导体设备，第一半导体设备在基部管芯上提供薄接口模块，薄接口模块包括：地址寄存机制，地址寄存机制根据来自地址时钟互连件的地址时钟用于地址互连件；数据寄存机制，数据寄存机制根据来自数据时钟...
    2026-04-18
  • 具有在最低通道下方比通道之间更厚的栅极的背接触式全环绕栅极场效应晶体管结构
    具有在最低通道下方比通道之间更厚的栅极的背接触式全环绕栅极场效应晶体管结构_高通股份有限公司_202480057672.8
    公开了一种全环绕栅极场效应晶体管(FET)结构以及用于制造该全环绕栅极场效应晶体管(FET)结构的方法。在一方面，一种全环绕栅极FET结构包括栅极结构(244a‑244e)，该栅极结构设置于第一垂直源极/漏极(S/D)结构(208b)与第二...
    2026-04-18
  • 半导体功率装置
    半导体功率装置_沃尔塔半导体公司_202480058028.2
    揭露了具有较低电阻和较高击穿电压的半导体功率装置。揭露了操作半导体功率装置的方法。此半导体功率装置包括：漏极区域；第一区域，其接触该漏极区域且具有与该漏极区域的导电类型相同的导电类型，与该漏极区域的掺杂相比，该第一区域被掺杂得更轻；源极区域...
    2026-04-18
  • 包括多层沟槽桥接结构的三维存储器器件及其形成方法
    包括多层沟槽桥接结构的三维存储器器件及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202580004628.5
    一种半导体结构包括：第一层结构，该第一层结构包含第一绝缘层和第一导电层的一对第一交替堆叠；存储器开口，该存储器开口包含竖直延伸穿过第一层结构的存储器开口填充结构；横向隔离腔，该横向隔离腔位于该一对第一交替堆叠之间并且具有一对沿长度方向侧壁，...
    2026-04-18
  • 含有由竖直半导体沟道围绕的核心偏置电极的半导体器件
    含有由竖直半导体沟道围绕的核心偏置电极的半导体器件_桑迪士克科技股份有限公司_202580004679.8
    一种半导体器件包括：绝缘层与导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中并包括存储器膜、由该存储器膜横向围绕的竖直半导体沟道、接触该竖直半导体沟道的第一端部部分...
    2026-04-18
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