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最新专利技术
  • 沟槽电容电极结构及沟槽电容
    沟槽电容电极结构及沟槽电容_苏州苏纳光电有限公司_202511217027.0
    本发明公开了一种沟槽电容电极结构及沟槽电容， 通过具有多重旋转对称性的基元单元高密度排列构成的基元阵列， 结合用于后期工艺中金属互联的互联区域的排布设计， 大幅提升容值密度的同时， 有效增加了电极表面积并优化了电场分布， 提升了器件的高频特...
    2025-10-30
  • 芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构及电子设备_TCL华星光电技术有限公司_202510779552.5
    本申请实施例提供一种芯片封装结构及电子设备， 涉及芯片封装技术领域， 其目的是解决相关技术中芯片封装结构散热效果差的问题。该芯片封装结构包括基板、至少一个第一芯片、第一金属线、第一重布线层以及散热垫。所述基板开设有第一凹槽， 所述第一芯片位...
    2025-10-30
  • 一种功率器件及其制备方法、电子设备
    一种功率器件及其制备方法、电子设备_比亚迪股份有限公司_202511230243.9
    本申请公开了一种功率器件及其制备方法、电子设备， 涉及电子元器件技术领域。该功率器件包括半导体基材以及位于所述半导体基材表面上的二维金属材料层。本申请中通过采用二维金属材料层与半导体基材相接触形成电极接触， 由于形成二维金属材料层的二维层状...
    2025-10-30
  • 新型垂直场效应晶体管结构及制作方法
    新型垂直场效应晶体管结构及制作方法_浙江熙芯微电子科技有限公司_202511090908.0
    本发明公开了一种新型垂直场效应晶体管结构， 包括N型外延及N型外延上的介质层， 所述介质层上嵌入有欧姆接触孔， 垂直场效应晶体管的源极和栅极均利用所述欧姆接触孔的金属作为连接金属；本发明还公开了一种新型垂直场效应晶体管结构的制作方法， 本发...
    2025-10-30
  • 晶体管和包括该晶体管的显示装置
    晶体管和包括该晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202510223793.1
    公开了晶体管和包括该晶体管的显示装置。该晶体管包括：设置在基板上的有源层， 该有源层包括具有第一金属的氧化物半导体材料；设置在有源层上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上至少部分地与有源层交叠的栅电极；第一源‑漏电极和第二源‑漏电极， 第一源‑漏电...
    2025-10-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_安徽大学_202511234762.2
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法， 包括：提供基底， 所述基底上形成有半导体结构， 所述半导体结构包括栅介质层和形成于所述栅介质层上的牺牲层；对所述半导体结构进行去耦等离子氮化处理， 处理后的所述半导体结构的氮元素含量高于处理前的所述半...
    2025-10-30
  • 用于功率装置和无源组件的蚀刻停止架构
    用于功率装置和无源组件的蚀刻停止架构_德州仪器公司_202510260699.3
    本公开涉及用于功率装置和无源组件的蚀刻停止架构。一种半导体装置包含：半导体衬底(310和/或320)；源极电极(334)、栅极电极(332)和漏极电极(336)， 其处于所述半导体衬底上；阶梯介电结构， 其处于所述半导体衬底上且横向处于所述...
    2025-10-30
  • 一种半导体芯片
    一种半导体芯片_三安日本科技株式会社_202510352461.3
    本申请涉及一种半导体芯片， 包含：由第一导电型的碳化硅形成的碳化硅基板， 由第一导电型的碳化硅形成的漂移层， 在漂移层上设置有源区域， 在俯视来看， 第二导电型半导体与第一主面侧电极被布置于该区域， 以及围绕有源区域以防止耐压劣化的终端区域...
    2025-10-30
  • 半导体器件之间的背侧图案化的鳍隔离结构
    半导体器件之间的背侧图案化的鳍隔离结构_英特尔公司_202510222911.7
    提供了形成具有从结构的背侧图案化的鳍隔离结构的集成电路的技术。FET(场效应晶体管)各自包括在源极区域和漏极区域之间共线地延伸的半导体材料， 以及围绕每个FET的半导体材料延伸的栅极结构。鳍隔离结构可以在FET之间延伸以在FET之间提供电隔...
    2025-10-30
  • 氮化物半导体装置的制造方法以及氮化物半导体装置
    氮化物半导体装置的制造方法以及氮化物半导体装置_三垦电气株式会社_202510362703.7
    氮化物半导体装置的制造方法以及氮化物半导体装置， 降低低浓度载流子区域载流子浓度偏差及由此引起的耐压偏差， 导通电阻低且高耐压。氮化物半导体装置具有第1导电型第1氮化物半导体层、载流子浓度比第1氮化物半导体层高的第1导电型第2氮化物半导体层...
    2025-10-30
  • 半导体装置与其形成方法
    半导体装置与其形成方法_鸿扬半导体股份有限公司_202410331732.2
    一种半导体装置包含基板、漂移层、接面场效应晶体管区、阱区、源极区与栅极结构。漂移层在基板上。接面场效应晶体管区在漂移层上， 其中接面场效应晶体管区的掺杂浓度随着越远离基板而递减。阱区在漂移层上与接面场效应晶体管区的一侧。源极区在阱区中。栅极...
    2025-10-30
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510737792.9
    本发明提供了一种半导体器件及半导体器件的制造方法， 涉及半导体技术领域， 为解决相关技术中存在的半导体器件漏电风险较大的问题而设计。该半导体器件包括：衬底；绝缘层， 设置于衬底；至少一个沟道层， 设置于绝缘层， 至少一个沟道层在竖直方向间隔...
    2025-10-30
  • 一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺
    一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺_杭州清芯微电子有限公司_202511205237.8
    本发明涉及MOS半导体技术领域， 且公开了一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺， 包括若干个相互并列的MOS元胞， 单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极和源极， 所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层和P+...
    2025-10-30
  • 一种集成JBS二极管的碳化硅MOSFET及其制作方法
    一种集成JBS二极管的碳化硅MOSFET及其制作方法_山东大学_202511194677.8
    本发明涉及功率半导体技术领域， 尤其涉及一种集成JBS二极管的碳化硅MOSFET及其制作方法。该碳化硅MOSFET具有通过再生长技术制作的两层的元胞结构， 并且刻蚀碳化硅形成沟槽结构， 在沟槽底部和侧壁上部分进行p型离子注入并实现欧姆接触，...
    2025-10-30
  • 一种SiC MOSFET器件及其制作方法
    一种SiC MOSFET器件及其制作方法_浙江大学_202511188731.8
    本发明涉及一种SiC MOSFET器件及其制作方法， 所述SiC MOSFET器件的元胞包括：N+SiC衬底、N‑漂移区、N+源区、P体区、P+区、栅介质层、栅极、场钝化层、源电极和漏电极， 还包括：P底部区和空穴吸收区， 高掺杂的P底部区...
    2025-10-30
  • 一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺
    一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511158164.1
    本发明公开了一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺， 属于半导体领域。包括由若干个相互并列的MOS元胞构成， 单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，...
    2025-10-30
  • 一种集成霍尔效应电流传感器的沟槽栅场效应晶体管
    一种集成霍尔效应电流传感器的沟槽栅场效应晶体管_强华时代(成都)科技有限公司_202510959027.1
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种集成霍尔效应电流传感器的沟槽栅场效应晶体管， 本发明所述的集成霍尔效应电流传感器的沟槽栅场效应晶体管在传统沟槽栅场效应晶体管的基础上， 通过设置集成了霍尔半导体的电流传感器， 利用霍尔效应， 使器件内...
    2025-10-30
  • 一种宽安全工作区功率器件及制备方法
    一种宽安全工作区功率器件及制备方法_华羿微电子股份有限公司_202510869894.6
    本发明公开了一种宽安全工作区功率器件及制备方法， 该器件包括：金属层、绝缘层、多晶硅、多个接触孔、接触孔注入层、接触孔修饰层；接触孔为连接金属层和多晶硅的垂直通道， 接触孔注入层位于接触孔的孔底；接触孔修饰层覆盖于接触孔注入层外表面， 接触...
    2025-10-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511135008.3
    一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构包括：基底；漂移区， 位于基底中， 漂移区中具有第一型掺杂离子， 漂移区包括多个掺杂离子浓度不同的子漂移区， 靠近基底顶面一侧的任一子漂移区位于相邻的另一子漂移区中， 且沿基底底面指向基底顶面的方向，...
    2025-10-30
  • 具有交替绝缘层的半导体装置及其制造方法
    具有交替绝缘层的半导体装置及其制造方法_德州仪器公司_202411912177.9
    本公开描述了具有交替绝缘层的半导体装置及其制造方法。例如， 一种半导体装置(100)包含半导体层(108)、设置在所述半导体层(108)中的漏极区(110)、设置在所述半导体层(108)中的源极区(114)、设置在所述漏极区(110)与所述...
    2025-10-30
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